Poly- SiTiNHf O2 gate stack etching in high-density plasmas

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 25, Issue 3, 2007, Pages 767-778

  Le Gouil, A ^a   Joubert, O ^a   Cunge, G ^a   Chevolleau, T ^a   Vallier, L ^a   Chenevier, B ^b   Matko, I ^b  

^a CEA LETI   (France)

^b MINATEC   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ETCHING; PLASMAS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; TITANIUM COMPOUNDS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

GATE STACKS; METAL ETCHING;

GATES (TRANSISTOR);

EID: 34249888719     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2732736     Document Type: Article

References (26)

1. J. Tonotani, T. Iwamoto, F. Sato, K. Hattori, S. Ohmi, and H. Iwai, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2163 (2003).
2. H. Shimada and K. Maruyama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 1768 (2004).
3. W. S. Hwang, J. Chen, and W. Jong Yoo, J. Vac. Sci. Technol. A 23, 964 (2005).
4. M. H. Shin, M. S. Park, N. E. Lee, J. H. Kim, C. Y. Kim, and J. Ahn, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 1373 (2006).
5. S. Ma, M. Jain, and J. D. Chinn, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1440 (1998).
6. G. Cunge, R. L. Inglebert, O. Joubert, L. Vallier, and N. Sadeghi, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 2137 (2002).
7. A. Le Gouil, E. Pargon, G. Cunge, O. Joubert, and B. Pelissier, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 2191 (2006).
8. L. Vallier, J. Foucher, X. Detter, E. Pargon, O. Joubert, and G. Cunge, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 904 (2003).
9. E. Pargon, M. Darnon, O. Joubert, T. Chevolleau, L. Vallier, L. Mollard, and T. Lill, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 1913 (2005).
10. K. V. Guinn and V. M. Donnelly, J. Appl. Phys. 75, 2227 (1993).
11. F. H. Bell, O. Joubert, and L. Vallier, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 1796 (1996).
12. V. M. Donnelly, I. P. Herman, C. C. Cheng, and K. V. Guinn, Pure Appl. Chem. 68, 1071 (1996).
13. S. Vallon, L. Vallier, and O. Joubert, Proc.-Electrochem. Soc. 97, 168 (1997).
14. X. Detter, R. Palla, I. Thomas-Boutherin, E. Pargon, G. Cunge, O. Joubert, and L. Vallier, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2174 (2003).
15. G. S. Hwang and K. P. Giapis, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 70 (1996).
16. F. H. Bell and O. Joubert, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2493 (1996).
17. L. Desvoivres, L. Vallier, and O. Joubert, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 420 (2001).
18. J. Foucher, G. Cunge, L. Vallier, and O. Joubert, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 2024 (2002).
19. S. J. Ullal, A. R. Godfrey, E. A. Edelberg, L. B. Braly, V. Vahedi, and E. S. Aydil, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 43 (2002).
20. G. Cunge, O. Joubert, and N. Sadeghi, J. Appl. Phys. 94, 6285 (2003).
21. S. Xu, T. Lill, S. Deshmukh, and O. Joubert, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 2123 (2002).
22. G. Cunge, M. Mori, M. Kogelschatz, and N. Sadeghi, Appl. Phys. Lett. 88, 051501 (2006).
23. M. Kogelschatz, G. Cunge, and N. Sadeghi, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 624 (2004).
24. M. H́lot, T. Chevolleau, L. Vallier, O. Joubert, E. Blanquet, A. Pisch, P. Mangiagalli, and T. Lill, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 30 (2005).
25. L. Vallier, L. Desvoivres, M. Bonvalot, and O. Joubert, Appl. Phys. Lett. 75, 1069 (1999).
26. V. M. Donnelly, F. P. Klemens, T. W. Sorsch, G. L. Limp, and F. H. Baumann, Appl. Phys. Lett. 74, 1260 (1999).