Structural and optical properties of AgInSe2 films prepared on indium tin oxide substrates

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 50, Issue 4, 2007, Pages 1099-1103

  Lee, Jeoung Ju ^a   Lee, Jong Duk ^a   Ahn, Byeong Yeol ^a   Kim, Hyeon Soo ^a   Kim, Kun Ho ^a  

^a Gyeongsang National University   (South Korea)

Author keywords

Annealing effect; Optical band gap; PIDC

Indexed keywords

EID: 34248364429     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.50.1099     Document Type: Article

References (36)

1. J. L. Shay and J. H. Wernick, Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties and Applications, (Pergamon Press, Oxford, 1974).
2. J. E. Jaffe and A. Zunger, Phys. Rev. B 29, 1882 (1984).
3. S. M. Wasim, C. Rincon, G. Marin, P. Bocaranda, E. Hernandez, I. Bonalde and E. Medina, Phys. Rev. B 64, 195101 (2001).
4. D. Xue, K. Betzler and H. Hess, Phys. Rev. B 62, 13546 (2000).
5. J. B. Caceres and C. Rincon, Phys. Stat. Sol. B 234, 541 (2002).
6. R. Noufi, R. Axton, C. Herrington and S. K. Deb, Appl. Phys. Lett. 7, 668 (1984).
7. B. Tell, J. L. Shay and H. M. Kasper, J. Appl. Phys. 43, 2469 (1972).
8. Y. Ema and N. Harakawa, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 3260 (1995).
9. D. Raviendra and J. K. Sharma, Phys. Stat. Sol. (a) 88, 365 (1985).
10. Y. Satyanarayana, B. Srinivasula and P. Jayarama, Phys. Stat. Sol. (a) 115, K175 (1989).
11. S. M. Patel and A. D. Patel, Thin Solid Films 111, 53 (1984).
12. H. El-Zahed, Thin Solid Films 238, 104 (1994).
13. A. Jayaraman, V. Narayanamurti, H. M. Kasper, M. A. Chin and R. G. Maines, Phys. Rev. B 14, 3516 (1976).
14. A. K. Arora, T. Sakuntala and L. Artus, J. Phys. Chem. Solids 54, 381 (1993).
15. T. Tinoco, A. Polian, J. P. Itie, E. Moya and J. Bonzalez, J. Phys. Chem. Solids 56, 481 (1995).
16. T. Terasako, S. Shirakata and S. Isomura, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 4656 (1999).
17. M. Boumerzoug and Le. H. Dao, J. Mater. Sci.: Material in Electronics 1, 123 (1990).
18. Y. L. Wu, H. Y. Lin, C. Y. Sun, M. H. Yang and H. L. Hwang, Thin Solid Films 168, 113 (1989).
19. W. E. Devaney, W. S. Chen, J. M. Stewart and R. A. Mickelsen, IEEE Trans. Electron Dev. 37, 428 (1990).
20. R. D. L. Kristensen, S. N. Sahu and D. Haneman, Appl. Surf. Sci. 33-34, 1285 (1988).
21. P. Paul Ramesh, O. Md. Hussain, S. Uthanna, B. Srinivasulu Naidu and P. Jayarama Reddy, Mater. Lett. 34, 217 (1998).
22. R. D. Weir, P. E. Jessop and B. K. Garside, Can. J. Phys. 65, 1033 (1987).
23. J. Szot and U. Prinz, J. Appl. Phys. 66, 6077 (1989).
24. S. A. AL Kuhaimi and S. Bahammam, Jpn. J. Appl. Phys. 29, 1499 (1990).
25. K. Moriya, K. Tanaka and H. Uchiki, Jpn. J. Appl. Phys. 44, 715 (2005).
26. H. Hahn, G. Frank, W. Klingler, A. D. Meyer and G. Strorger, Z. Anorg. Chem. 271, 153 (1953).
27. J. J. Lee, C. S. Yang, Y. S. Park, K. H. Kim, M. S. Jin, H. L. Park and W. T. Kim, J. Appl. Phys. 80, 3270 (2001).
28. J. L. Hartke, Phys. Rev. 125, 1177 (1962).
29. H. Scher and E. W. Montroll, Phys. Rev. B. 12, 2455 (1975).
30. Y. S. Park, K. H. Kim, J. J. Lee and T. W. Kang, J. Korean Phys. Soc. 44, 875 (2004).
31. P. Paul Ramesh, S. Uthanna, B. Srinivasulu Naidu and P. Jayarama Reddy, Vacuum 47, 211 (1996).
32. R. Poerschke, Data in Science and Technology (Springer-Verlag, Berlin, 1992).
33. J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Dover, New York, 1971), Chaps. 1-3.
34. D. T. Kim, M. S. Jin and W. T. Kim, J. Korean Phys. Soc. 47, 331 (2005).
35. C. D. Kim, G. C. Park, M. S. Jin and D. T. Kim, J. Korean Phys. Soc. 48, 951 (2006).
36. I. P. Batra, K. Keiji Kanazawa and H. Seki, J. Appl. Phys. 41, 3416 (1970).