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Volumn 51, Issue 14, 1987, Pages 1094-1096

Resolution of amorphous silicon thin-film transistor instability mechanisms using ambipolar transistors

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EID: 34248326216     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.98751     Document Type: Article
Times cited : (169)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.