Epitaxial LaAl O3 thin film on silicon: Structure and electronic properties

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 18, 2007, Pages

  Mi, Y Y ^a   Yu, Z ^b   Wang, S J ^c   Lim, P C ^c   Foo, Y L ^c   Huan, A C H ^c   Ong, C K ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b FREESCALE SEMICONDUCTOR INC   (United States)

^c INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONDUCTION BANDS; ELECTRONIC PROPERTIES; LANTHANUM COMPOUNDS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; VALENCE BANDS; X RAY DIFFRACTION;

EPITAXIAL STRUCTURE; SEED LAYERS;

EPITAXIAL FILMS;

EID: 34247859278     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2736277     Document Type: Article

References (25)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. A. I. Kingon, J.-P. Maria, and S. K. Streiffer, Nature (London) 406, 1032 (2000).
3. S. Miyazaki, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2212 (2001).
4. C. J. Först, K. Schwarz, and P. E. Blöchl, Phys. Rev. Lett. 95, 137602 (2005).
5. The International Technology Roadmap for Semiconductor 2005, http://public.itrs.net
6. R. A. McKee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.81.3014 81, 3014 (1998); R. A. McKee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm, Science 293, 468 (2001).
7. R. A. McKee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.81.3014 81, 3014 (1998); R. A. McKee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm, Science 293, 468 (2001).
8. K. Eisenbeiser, J. M. Finder, Z. Yu, J. Ramdani, J. A. Curless, J. A. Hallmark, R. Droopad, W. J. Ooms, L. Salem, S. Bradshaw, and C. D. Overgaard, Appl. Phys. Lett. 76, 1324 (2000).
9. S. A. Chambers, Y. Liang, Z. Yu, R. Droopad, J. Ramdani, and K. Eisenbeiser, Appl. Phys. Lett. 77, 1662 (2000).
10. S. J. Wang and C. K. Ong, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1467970 80, 2541 (2002); S. J. Wang, C. K. Ong, S. Y. Xu, P. Chen, W. C. Tjiu, J. W. Chai, A. C. H. Huan, W. J. Yoo, J. S. Lim, W. Feng, and W. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 78, 1604 (2001).
11. S. J. Wang and C. K. Ong, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1467970 80, 2541 (2002); S. J. Wang, C. K. Ong, S. Y. Xu, P. Chen, W. C. Tjiu, J. W. Chai, A. C. H. Huan, W. J. Yoo, J. S. Lim, W. Feng, and W. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 78, 1604 (2001).
12. X. M. Hu, H. Li, Y. Liang, Y. Wei, Z. Yu, D. Marshall, J. Edwards, Jr., R. Droopad, X. Zhang, A. A. Demkov, K. Moore, and J. Kulik, Appl. Phys. Lett. 82, 203 (2003).
13. Z. Yu, J. Ramdani, J. A. Curless, J. M. Finder, C. D. Overgaard, R. Droopad, K. W. Eisenbeiser, J. A. Hallmark, W. J. Ooms, J. R. Conner, and V. S. Kaushik, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1653 (2000).
14. C. R. Ashman, C. J. Först, K. Schwarz, and P. E. Blöchl, Phys. Rev. B 69, 075309 (2004).
15. S. A. Chambers, Y. Liang, Z. Yu, R. Droopad, and J. Ramdani, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 934 (2001).
16. S. G. Lim, S. Kriventsov, T. N. Jackson, J. H. Haeni, D. G. Schlom, A. M. Balbashov, R. Uecker, P. Reiche, J. L. Freeouf, and G. Lucovsky, J. Appl. Phys. 91, 4500 (2002).
17. L. F. Edge, D. G. Schlom, S. A. Chambers, E. Cicerrella, J. L. Freeouf, B. Holländer, and J. Schubert, Appl. Phys. Lett. 84, 726 (2004).
18. P. Sivasubramani, M. J. Kim, B. E. Gnade, R. M. Wallace, L. F. Edge, D. G. Schlom, H. S. Craft, and J.-P. Maria, Appl. Phys. Lett. 86, 201901 (2005).
19. D. O. Klenov, D. G. Schlom, H. Li, and S. Stemmer, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L617 (2005).
20. S. J. Wang, A. C. H. Huan, Y. L. Foo, J. W. Chai, J. S. Pan, Q. Li, Y. F. Dong, Y. P. Feng, and C. K. Ong, Appl. Phys. Lett. 85, 4418 (2004).
21. E. A. Kraut, R. W. Grant, J. R. Waldrop, and S. P. Kowalczyk, Phys. Rev. Lett. 44, 1620 (1980).
22. E. A. Kraut, R. W. Grant, J. R. Waldrop, and S. P. Kowalczyk, Phys. Rev. B 28, 1965 (1983).
23. X. B. Lu, Z. G. Liu, Y. P. Wang, Y. Yang, X. P. Wang, H. W. Zhou, and B. Y. Nguyen, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1586976 94, 1229 (2003); A. D. Li, Q. Y. Shao, H. Q. Ling, J. B. Cheng, D. Wu, Z. G. Liu, N. B. Ming, C. Wang, H. W. Zhou, and B. Y. Nguyen, Appl. Phys. Lett. 83, 3540 (2003).
24. X. B. Lu, Z. G. Liu, Y. P. Wang, Y. Yang, X. P. Wang, H. W. Zhou, and B. Y. Nguyen, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1586976 94, 1229 (2003); A. D. Li, Q. Y. Shao, H. Q. Ling, J. B. Cheng, D. Wu, Z. G. Liu, N. B. Ming, C. Wang, H. W. Zhou, and B. Y. Nguyen, Appl. Phys. Lett. 83, 3540 (2003).
25. J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol. B 0734-211X 10.1116/1.591472 18, 1785 (2000);