Anisotropy of ferroelectric and piezoelectric properties of Bi 3.15Pr0.85Ti3O12 thin films on Pt(100)/Ti/SiO2/Si substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 5, 2007, Pages

  Hu, G D ^a   Fan, S H ^b   Cheng, X ^a  

^a UNIVERSITY OF JINAN   (China)

^b SHANDONG JIANZHU UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANISOTROPY; FERROELECTRIC MATERIALS; PIEZOELECTRIC MATERIALS; REMANENCE; SUBSTRATES; VOLUME FRACTION;

COERCIVE FIELDS; PIEZOELECTRIC COEFFICIENT; PIEZORESPONSE MODES;

THIN FILMS;

EID: 33947323903     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2653878     Document Type: Article

References (27)

1. C. A. Paz de Araujo, J. D. Cuchiaro, L. D. McMillan, M. C. Scott, and J. F. Scott, Nature (London) 374, 627 (1995).
2. R. Dat, J. K. Lee, O. Auciello, and A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett. 67, 572 (1995).
3. O. Auciello, A. R. Krauss, J. Im, D. M. Gruen, E. A. Irene, R. P. H. Chang, and G. E. McGuire, Appl. Phys. Lett. 69, 2671 (1996).
4. B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee, and W. Jo, Nature (London) 401, 682 (1999).
5. A. Kingon, Nature (London) 401, 658 (1999).
6. Y. Adachi, D. Su, P. Muralt, and N. Setter, Appl. Phys. Lett. 86, 172904 (2005).
7. N. Setter, J. Appl. Phys. 100, 051606 (2006).
8. T. Watanabe, H. Funakubo, K. Saito, T. Suzuki, M. Fujimoto, M. Osada, Y. Noguchi, and M. Miyayama, Appl. Phys. Lett. 81, 1660 (2002).
9. R. E. Melgarejo, M. S. Tomar, S. Bhaskar, P. S. Dobal, and R. S. Katiyar, Appl. Phys. Lett. 81, 2611 (2002).
10. H. N. Lee, D. Hesse, N. Zakharov, and U. Goesele, Science 296, 2006 (2002).
11. A. D. Rae, J. G. Thompson, R. L. Withers, and A. C. Willis, Acta Crystallogr., Sect. B: Struct. Sci. 46, 474 (1990).
12. R. Ramesh and D. G. Schlom, Science 296, 1975 (2002).
13. U. Chon, K. Kim, H. M. Jang, and G. Yi, Appl. Phys. Lett. 79, 3137 (2001).
14. U. Chon, H. M. Jang, M. G. Kim, and C. H. Chang, Phys. Rev. Lett. 89, 087601-1 (2002).
15. U. Chon, J. S. Shim, and H. M. Jang, J. Appl. Phys. 93, 4769 (2003).
16. A. Garg, Z. H. Barber, M. Dawber, J. F. Scott, A. Snedden, and P. Lightfoot, Appl. Phys. Lett. 83, 2414 (2003).
17. J. Wang, Science 299, 1719 (2003).
18. C. J. Lu, Y. Qiao, Y. J. Qi, X. Q. Chen, and J. S. Zhu, Appl. Phys. Lett. 87, 222901 (2005).
19. C. J. Lu, X. L. Liu, X. Q. Chen, C. J. Nie, G. Le Rhun, S. Senz, and D. Hesse, Appl. Phys. Lett. 89, 062905 (2006).
20. G. D. Hu, J. Appl. Phys.. 100, 096109 (2006).
21. Y. Noguchi, I. Miwa, Y. Goshima, and M. Miyayama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L1259 (2000).
22. J. A. Christman, R. R. Woolcott, Jr., A. I. Kingon, and R. J. Nemanich, Appl. Phys. Lett. 73, 3851 (1998).
23. H. N. Lee, D. Hesse, N. Zakharov, S. K. Lee, and U. Gösele, J. Appl. Phys. 93, 5592 (2003).
24. H. N. Al-Shareef, D. Dimos, W. L. Warren, and B. A. Tuttle, Integr. Ferroelectr. 15, 53 (1997).
25. W. L. Warren, D. Dimos, B. A. Tuttle, R. D. Nasby, and G. E. Pike, Appl. Phys. Lett. 65, 1018 (1994).
26. D. Damjanovic, Rep. Prog. Phys. 61, 1267 (1998).
27. C. Harnagea, A. Pignolet, M. Alexe, and D. Hesse, Integr. Ferroelectr. 44, 113 (2002).