Evidence of environmental strains on charge injection in silole-based organic light-emitting diodes

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 75, Issue 11, 2007, Pages

  Huby, N ^a   Hirsch, L ^a   Aubouy, L ^b   Gerbier, P ^b   Van Der Lee, A ^c   Amy, F ^d   Kahn, A ^d  

^a UNIVERSITÉ DE BORDEAUX   (France)

^b UNIVERSITÉ DE MONTPELLIER   (France)

^c UNIVERSITÉ DE MONTPELLIER   (France)

^d Princeton University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 33947281415     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.75.115416     Document Type: Article

References (28)

1. M. Senna, J. Mater. Sci. JMTSAS 0022-2461 39, 4995 (2004).
2. L. C. Palilis, A. J. Mäkinen, M. Uchida, and Z. H. Kafafi, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1563838 82, 2209 (2003).
3. H. Murata, Z. H. Kafafi, and M. Uchida, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1432109 80, 189 (2002).
4. H. Murata, G. G. Malliaras, M. Uchidac, Y. Shenb, and Z. H. Kafafi, Chem. Phys. Lett. CHPLBC 0009-2614 10.1016/S0009-2614(01)00306-2 339, 161 (2001).
5. S. Yamaguchi and K. Tamao, Bull. Chem. Soc. Jpn. BCSJA8 0009-2673 10.1246/bcsj.69.2327 69, 2327 (1996).
6. S. Yamaguchi and K. Tamao, in Chemistry of Organic Silicon Compounds, edited by, Z. Rappoport, and, Y. Apeloig, (Wiley, Chichester, 2001), Vol. 3, p. 641.
7. K. Danel, T. H. Huang, J. T. Lin, Y. T. Tao, and C. H. Chuen, Chem. Mater. CMATEX 0897-4756 14, 3860 (2002).
8. P. Raghunath, M. A. Reddy, C. Gouri, K. Bhanuprakash, and V. J. Rao, J. Phys. Chem. A JPCAFH 1089-5639 110, 1152 (2006).
9. L. Aubouy, P. Gerbier, N. Huby, G. Wantz, L. Vignau, L. Hirsch, and J. M. Janot, New J. Chem. NJCHE5 1144-0546 10.1039/b405238b 28, 1086 (2004).
10. J. Lee, Q.-D. Liu, M. Motala, J. Dane, J. Gao, Y. Kang, and S. Wang, Chem. Mater. CMATEX 0897-4756 116, 1869 (2004).
11. N. Roques, P. Gerbier, U. Schatzschneider, J. P. Sutter, P. Guionneau, J. Vidal-Gancedo, J. Veciana, E. Rentschler, and C. Guérin, Chem.-Eur. J. CEUJED 0947-6539 10.1002/chem.200501280 12, 5547 (2006).
12. N. Roques, P. Gerbier, Y. Teki, S. Choua, P. Lesniakovà, J. P. Sutter, P. Guionneau, and C. Guérin, New J. Chem. NJCHE5 1144-0546 30, 1319 (2006).
13. F. Habrard, T. Ouisse, O. Stéphan, L. Aubouy, P. Gerbier, L. Hirsch, N. Huby, and A. v. d. Lee, Synth. Met. SYMEDZ 0379-6779 156, 1262 (2006).
14. K. Tamao, S. Yamagushi, M. Shiozaki, Y. Nakagawa, and Y. Ito, J. Am. Chem. Soc. JACSAT 0002-7863 114, 5867 (1992).
15. M. C. Burla, M. Camalli, B. Carrozzini, G. L. Cascarano, C. Giacovazzo, G. Polidori, and R. Spagna, J. Appl. Crystallogr. JACGAR 0021-8898 10.1107/S0021889803012585 36, 1103 (2003).
16. P. W. Betteridge, J. R. Carruthers, R. I. Cooper, K. Prout, and D. J. Watkin, J. Appl. Crystallogr. JACGAR 0021-8898 10.1107/S0021889803021800 36, 1487 (2003).
17. C. Janiak, J. Chem. Soc. Dalton Trans. JCDTBI 0300-9246 2000, 3885 (2000).
18. M. J. Frisch, G. W. Trucks, H. B. Schlegel, G. E. Scuseria, M. A. Robb, J. R. Cheeseman, J. A. Montgomery, T. Vreven, K. N. Kudin, J. C. Burant, J. M. Millam, S. S. Iyengar, J. Tomasi, V. Barone, B. Mennucci, M. Cossi, G. Scalmani, N. Rega, G. A. Petersson, H. Nakatsuji, M. Hada, M. Ehara, K. Toyota, R. Fukuda, J. Hasegawa, M. Ishida, T. Nakajima, Y. Honda, O. Kitao, H. Nakai, M. Klene, X. Li, J. E. Knox, H. P. Hratchian, J. B. Cross, V. Bakken, C. Adamo, J. Jaramillo, R. Gomperts, R. E. Stratmann, O. Yazyev, A. J. Austin, R. Cammi, C. Pomelli, J. W. Ochterski, P. Y. Ayala, K. Morokuma, G. A. Voth, P. Salvador, J. J. Dannenberg, V. G. Zakrzewski, S. Dapprich, A. D. Daniels, M. C. Strain, O. Farkas, D. K. Malick, A. D. Rabuck, K. Raghavachari, J. B. Foresman, J. V. Ortiz, Q. Cui, A. G. Baboul, S. Clifford, J. Cioslowski, B. B. Stefanov, G. Liu, A. Liashenko, P. Piskorz, I. Komaromi, R. L. Martin, D. J. Fox, T. Keith, M. A. Al-Laham, C. Y. Peng, A. Nanayakkara, M. Challacombe, P. M. W. Gill, B. Johnson, W. Chen, M. W. Wong, C. Gonzalez, and J. A. Pople, GAUSSIAN 03, Revision C.02, Gaussian, Inc., Wallingford, CT, 2004.
19. N. Huby, L. Hirsch, G. Wantz, L. Vignau, A. S. Barrière, J. P. Parneix, L. Aubouy, and P. Gerbier, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.2190714 99, 084907 (2006).
20. J. Lee, Q.-D. Liu, D.-R. Bai, Y. Kang, Y. Tao, and S. Wang, Organometallics ORGND7 0276-7333 23, 6205 (2004).
21. I. D. Parker, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.356350 75, 1656 (1994).
22. J. G. Simmons, Phys. Rev. PHRVAO 0031-899X 10.1103/PhysRev.155.657 155, 657 (1967).
23. S. M. Sze, Semiconductor Devices (Wiley Interscience, New York, 1981).
24. I. G. Hill, A. Rajagopal, A. Kahn, and Y. Hu, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.121940 73, 662 (1998).
25. S. Narioka, H. Ishii, D. Yoshimura, M. Sei, Y. Ouchi, K. Seki, S. Hasegawa, T. Miyazaki, Y. Harima, and K. Yamashita, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.114370 67, 1899 (1995).
26. G. Wantz, L. Hirsch, N. Huby, L. Vignau, A. S. Barrière, and J. P. Parneix, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1845580 97, 034505 (2005).
27. M. Anni, M. E. Caruso, S. Lattante, and R. Cingolani, J. Chem. Phys. JCPSA6 0021-9606 10.1063/1.2179795 124, 134707 (2006).
28. G. Y. Zhong, X. M. Ding, J. Zhou, N. Jiang, W. Huang, and X. Y. Hou, Chem. Phys. Lett. CHPLBC 0009-2614 420, 347 (2006).