Formation and morphological stability of NiSi in the presence of W, Ti, and Ta alloying elements

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 4, 2007, Pages

  Deduytsche, D ^a   Detavernier, C ^a   Van Meirhaeghe, R L ^a   Jordan Sweet, J L ^b   Lavoie, C ^b  

^a GHENT UNIVERSITY   (Belgium)

^b IBM T J WATSON RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALLOYING ELEMENTS; MORPHOLOGY; NICKEL COMPOUNDS; PHASE STABILITY; TANTALUM; TITANIUM; TUNGSTEN;

AGGLOMERATION TEMPERATURE; IN SITU TECHNIQUES; METAL RICH PHASES; MORPHOLOGICAL STABILITY;

THIN FILMS;

EID: 33847687229     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2433133     Document Type: Article

References (36)

1. D. Deduytsche, C. Detaverier, R. L. Van Meirhaeghe, and C. Lavoie, J. Appl. Phys. 98, 033526 (2005)
2. R. W. Mann, G. L. Miles, T. A. Knotts, D. W. Rakowski, L. A. Clevenger, J. M. E. Harper, F. M. d'Heurle, and C. Cabral, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.115364 67, 3729 (1995).
3. F. M. d'Heurle, D. D. Anfiteatro, V. R. Deline, and T. G. Finstad, Thin Solid Films 0040-6090 10.1016/0040-6090(85)90339-6 128, 107 (1985).
4. C. Lavoie, C. Cabral, F. M. d'Heurle, J. L. Jordan-Sweet, and J. M. E. Harper, J. Electron. Mater. 31, 597 (2002).
5. C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, K. Maex, H. Bender, B. Brijs, and W. Vandervorst, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1340598 89, 2146 (2001).
6. C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, K. Maex, W. Vandervorst, B. Brijs, and F. Cardon, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1325401 77, 3170 (2000).
7. C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, and K. Maex, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.62.12045 62, 12045 (2000).
8. C. Detavernier, X. P. Qu, R. L. Van Meirhaeghe, B. Z. Li, and K. Maex, J. Mater. Res. 0884-2914 18, 1668 (2003).
9. D. Mangelinck, J. Y. Dai, J. Pan, and S. K. Lahiri, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.124803 75, 1736 (1999).
10. B. I. Boyanov, P. T. Goeller, D. E. Sayers, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.368872 84, 4285 (1998).
11. P. R. Besser, P. King, E. Paton, and S. Robie, Microelectron. Eng. 82, 467 (2005).
12. D. B. Aldrich, F. M. d'Heurle, D. E. Sayers, and R. J. Nemanich, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.53.16279 53, 16279 (1996).
13. C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, and K. Maex, Thin Solid Films 0040-6090 10.1016/S0040-6090(00)01872-1 384, 243 (2001).
14. R. N. Wang and J. Y. Feng, J. Phys. Condens. Matter 0953-8984 10.1088/0953-8984/15/12/310 15, 1935 (2003).
15. J. F. Liu, H. B. Chen, J. Y. Feng, and J. Zhu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1313815 77, 2177 (2000).
16. J. F. Liu, J. Y. Feng, and J. Zhu, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1379053 90, 745 (2001).
17. J. F. Liu, J. Y. Feng, and J. Zhu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1434311 80, 270 (2002).
18. P. S. Lee, K. L. Pey, D. Mangelinck, J. Ding, D. Z. Chi, J. Y. Dai, and L. Chan, J. Electrochem. Soc. 0013-4651 10.1149/1.1473192 149, G331 (2002).
19. P. S. Lee, K. L. Pey, D. Mangelinck, D. Z. Chi, and T. Osipowicz, J. Electrochem. Soc. 0013-4651 10.1149/1.1862255 152, G305 (2005).
20. S. L. Chiu, Y. C. Chu, C. J. Tsai, and H. Y. Lee, J. Electrochem. Soc. 0013-4651 10.1149/1.1747891 151, G452 (2004).
21. R. T. P. Lee, D. Z. Chi, M. Y. Lai, N. L. Yakovlev, and S. J. Chua, J. Electrochem. Soc. 0013-4651 10.1149/1.1782634 151, G642 (2004).
22. J. S. Maa, Y. Ono, D. J. Tweet, F. Zhang, and S. T. Hsu, J. Vac. Sci. Technol. A 0734-2101 10.1116/1.1372916 19, 1595 (2001).
23. Y. Setiawan, P. S. Lee, C. W. Tan, and K. L. Pey, Thin Solid Films 0040-6090 504, 1-2 (2006).
24. A. Lauwers, J. A. Kittl, M. J. H. Van Dal, O. Chamirian, M. A. Pawlak, M. de Potter, R. Lindsay, T. Raymakers, X. Pages, B. Mebarki, T. Mandrekar, and K. Maex, Mater. Sci. Eng., B 114-115, 29 (2004).
25. D. Lee, K. Do, D. -H. Ko, S. Choi, J. -H. Ku, and C. -W. Yang, Mater. Sci. Eng., B 114-115, 241 (2004).
26. W. Huang, L. C. Zhang, Y. Z. Gao, H. Y. Jin, B. J. Ning, and G. Q. Zhang, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.2101647 23, 2304 (2005).
27. C. Lavoie, C. Detavernier, C. Cabral, Jr., F. M. d'Heurle, A. J. Kellock, J. Jordan-Sweet, and J. M. E. Harper, Microelectron. Eng. 0167-9317 83, 11-12 (2006).
28. J. L. Jordan-Sweet, IBM J. Res. Dev. 44, 457 (2000).
29. C. Lavoie, C. Cabral, F. M. d'Heurle, J. L. Jordan-Sweet, and J. M. E. Harper, J. Electron. Mater. 31, 597 (2002).
30. S. -L. Zhang and F. M. d'Heurle, Thin Solid Films 0040-6090 10.1016/0040-6090(94)06288-9 256, 155 (1995).
31. K. Maex and M. Van Rossum, Properties of metal silicides (Inspec, United Kingdom, 1995).
32. C. Detavernier, A. S. Özcan, J. Jordan-Sweet, E. A. Stach, J. Tersoff, F. M. Ross, and C. Lavoie, Nature 0028-0836 10.1038/nature02198 426, 641 (2003).
33. C. Lavoie, C. Coia, F. M. d'Heurle, C. Detavernier, C. Cabral, Jr., P. Desjardins, and A. J. Kellock, Defect Diffus. Forum 0015-8356 825, 237 (2005).
34. L. J. Chen Mater. Sci. Eng., R. 29, 115 (2000).
35. J. S. Kwak, E. J. Chi, J. D. Choi, S. W. Park, H. K. Baik, M. G. So, and S. M. Lee, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.360292 78, 983 (1995).
36. C. Detavernier and C. Lavoie, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1719276 84, 3549 (2004).