Effect of sintering temperature on the phase transition and dielectrical response in the relaxor-ferroelectric-system 0.5PZN-0.5PZT

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 3, 2007, Pages

  Chang, Li Min ^b   Hou, Yu Dong ^a   Zhu, Man Kang ^b   Yan, Hui ^b  

^a BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

^b NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIELECTRIC DEVICES; GRAIN SIZE AND SHAPE; PHASE TRANSITIONS; RAMAN SCATTERING; SINTERING; X RAY DIFFRACTION;

DIELECTRICAL RESPONSE; MORPHOTROPIC PHASE BOUNDARY (MPB); RELAXOR FERROELECTRIC SYSTEMS; SINTERING TEMPERATURE;

FERROELECTRIC MATERIALS;

EID: 33847126905     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2432879     Document Type: Article

References (41)

1. K. Uchino, Solid State Ionics 108, 43 (1998).
2. T. Fujiu, A. Tanaka, K. Muramatsu, and T. Takenaka, Ceram. Trans. 22, 509 (1991).
3. V. A. Bokov and I. E. Myl'nikova, Sov. Phys. Solid State 2, 2428 (1961).
4. K. H. Yoon, J. H. Park, and D. H. Kang, J. Am. Ceram. Soc. 78, 2267 (1995).
5. F. Xia, X. Wang, and X. Yao, Ferroelectrics 215, 181 (1998).
6. N. Wakiya, N. Ishizawa, K. Shinozaki, and N. Mizutani, Mater. Res. Bull. 30, 1121 (1995).
7. N. Wakiya, K. Shinozaki, and N. Mizutani, J. Am. Ceram. Soc. 80, 3217 (1997).
8. H. Fan and H. E. Kim, J. Appl. Phys. 91, 317 (2002).
9. Y. Yamashita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 5328 (1994).
10. Y. L. Wang, S. S. N. Bharadwaja, A. K. Tagantsev, and N. Setter, J. Eur. Ceram. Soc. 25, 2521 (2005).
11. C. G. F. Stenger and A. J. Burggraaf, Phys. Status Solidi A 61, 275 (1980).
12. O. Bidault, E. Husson, and A. Morell, J. Appl. Phys. 82, 5674 (1997).
13. Y. D. Hou, M. K. Zhu, F. Gao, H. Wang, B. Wang, H. Yan, and C. S. Tian, J. Am. Ceram. Soc. 87, 847 (2004).
14. M. K. Zhu, P. X. Lu, Y. D. Hou, H. Wang, and H. Yan, J. Mater. Res. 20, 2670 (2005).
15. S. M. Lee, C. B. Yoon, S. H. Lee, and H. E. Kim, J. Mater. Res. 19, 2553 (2004).
16. A. Halliyal and A. Safari, Ferroelectrics 158, 295 (1994).
17. A. Garg and D. C. Agrawal, Mater. Sci. Eng., B 56, 46 (1999).
18. S. Chiang, N. Nasihoka, R. M. Fulrath, and J. A. Pask, Am. Ceram. Soc. Bull. 60, 484 (1981).
19. T. Y. Chen, S. Y. Chu, and Y. D. Juang, Sens. Actuators, A 102, 6 (2002).
20. B. Noheda, D. E. Cox, G. Shirane, J. Gao, and Z. G. Ye, Phys. Rev. B 66, 054104 (2002).
21. N. Vittayakorn, G. Rujijanagul, X. L. Tan, M. A. Marquardt, and D. P. Cann, J. Appl. Phys. 96, 5103 (2004).
22. H. Q. Fan and H. E. Kim, J. Am. Ceram. Soc. 84, 636 (2001).
23. T. Senda and R. C. Brad, J. Am. Ceram. Soc. 73, 106 (1990).
24. S. Wagner, D. Kahraman, H. Kungl, and M. J. Hoffmann, J. Appl. Phys. 98, 024102 (2005).
25. L. E. Cross, Mater. Chem. Phys. 43, 108 (1996).
26. A. E. Krumins, Ferroelectr., Lett. Sect. 89 (1983).
27. K. Uchino and S. Nomura, Ferroelectr., Lett. Sect. 44, 55 (1982).
28. Z. G. Zhu, G. R. Li, Z. J. Xu, W. Z. Zhang, and Q. R. Yin, J. Phys. D 38, 1464 (2005).
29. P. Groves, J. Phys. C 19, 111 (1986).
30. M. P. Harmer, J. Chen, P. Peng, H. M. Chan, and D. M. Smyth, Ferroelectrics 97, 263 (1989).
31. M. S. Yoon and H. M. Jang., J. Appl. Phys. 77, 3991 (1995).
32. P. Juhás, P. K. Davies, and M. A. Akbas, J. Am. Ceram. Soc. 87, 2086 (2004).
33. M. R. Shen and W. W. Cao, J. Appl. Phys. 95, 8124 (2004).
34. Z. K. Xu, S. M. Gupta, D. Viehland, Y. F. Yan, and S. J. Pennycook, J. Am. Ceram. Soc. 83, 181 (2000).
35. M. A. Akbas and P. K. Davies, J. Am. Ceram. Soc. 80, 2933 (1997).
36. M. Iwata, N. Tomisato, H. Orihara, N. Arai, N. Tanaka, H. Ohwa, N. Yasuda, and Y. Ishibashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 5819 (2001).
37. P. Colomban and M. P. Thi, J. Phys. IV 126, 73 (2005).
38. X. Zeng, A. L. Ding, T. Liu, G. C. Deng, X. S. Zheng, and W. X. Cheng, J. Am. Ceram. Soc. 89, 728 (2006).
39. J. Carreaud, P. Gemeiner, J. M. Kiat, B. Dkhil, C. Bogicevic, T. Rojac, and B. Malic, Phys. Rev. B 72, 174115 (2005).
40. A. Lebon, M. E. Marssi, R. Farhi, H. Dammak, and G. Calvarin, J. Appl. Phys. 89, 3947 (2001).
41. P. Colomban and G. Lucazeau, J. Chem. Phys. 72, 1213 (1980).