Fabrication of probe-typed carbon nanotube point emitters

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 23, 2006, Pages

  Jung, Seung Il ^a   Choi, Jai Seong ^b   Shim, Hyung Cheoul ^b   Kim, Soohyun ^b   Jo, Sung Ho ^c   Lee, Cheol Jin ^c  

^a Hanyang University   (South Korea)

^b Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

^c Korea University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CURRENT DENSITY; ELECTRIC CURRENTS; ELECTRON BEAMS; ELECTROPHORESIS; MICROWAVE AMPLIFIERS;

DIELECTROPHORESIS; FIELD EMISSION; FOWLER-NORDHEIM PLOTS;

CARBON NANOTUBES;

EID: 33845411270     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2402222     Document Type: Article

References (27)

1. L. A. Chernozatonskii, Y. V. Gulyaev, Z. J. Kosakovskaja, N. I. Sinitsyn, G. V. Torgashov, Y. F. Zakharchenko, E. A. Fedorov, and V. P. Val'chuk, Chem. Phys. Lett. 233, 63 (1995).
2. A. G. Rinzler, J. H. Hafner, P. Nikolaev, L. Lou, S. G. Kim, D. Tománek, P. Nordlander, D. T. Colbert, and R. E. Smalley, Science 269, 1550 (1995).
3. W. A. De Heer, A. Châtelain, and D. Ugarte, Science 270, 1179 (1995).
4. J. S. Suh, K. S. Jeong, J. S. Lee, and I. Han, Appl. Phys. Lett. 80, 2392 (2002).
5. S. Fan, M. G. Chapline, N. R. Franklin, T. W. Tombler, A. M. Cassell, and H. Dai, Science 283, 512 (1999).
6. H. Gao, C. Mu, F. Wang, D. Xu, K. Wu, Y. Xie, S. Liu, E. Wang, J. Xu, and D. Yu, J. Appl. Phys. 93, 5602 (2003).
7. J.-M. Bonard, H. Kind, T. Stöckli, and L.-O. Nilsson, Solid-State Electron. 45, 893 (2001).
8. N. de Jonge and J.-M. Bonard, Philos. Trans. R. Soc. London, Ser. A 362, 2239 (2004).
9. N. de Jonge, Y. Lamy, K. Schoots, and T. H. Oosterkamp, Nature (London) 420, 393 (2002).
10. K. B. K. Teo, M. Chhowalla, G. A. J. Amaratunga, W. I. Milne, P. Legagneux, G. Pirio, L. Gangloff, D. Pribat, V. Semet, V. T. Binh, W. H. Bruenger, J. Eichholz, H. Hanssen, D. Friedrich, S. B. Lee, D. G. Hasko, and H. Ahmed, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 693 (2003).
11. Y. Cheng, J. Zhang, Y. Z. Lee, B. Gao, S. Dike, W. Lin, J. P. Lu, and O. Zhou, Rev. Sci. Instrum. 75, 3264 (2004).
12. W. B. Choi, D. S. Chung, J. H. Kang, H. Y. Kim, Y. W. Jin, I. T. Han, Y. H. Lee, J. E. Jung, N. S. Lee, G. S. Park, and J. M. Kim, Appl. Phys. Lett. 75, 3129 (1999).
13. G. Z. Yue, Q. Qiu, B. Gao, Y. Cheng, J. Zhang, H. Shimoda, S. Chang, J. P. Lu, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 81, 355 (2002).
14. T. Utsumi, IEEE Trans. Electron Devices 38, 2276 (1991).
15. J. Y. Huang, K. Kempa, S. H. Jo, S. Chen, and Z. F. Ren, Appl. Phys. Lett. 87, 053110 (2005).
16. H.-F. Cheng, Y.-M. Tsau, T. Y. Chang, T.-S. Lai, T.-F. Kuo, and I.-N. Lin, Physica B 323, 158 (2002).
17. G. Zhang, Z. Zhang, H. Zhang, J. Sun, S. Hou, X. Zhao, W. Liu, Z. Xue, Z. Shi, and Z. Gu, Appl. Surf. Sci. 195, 20 (2002).
18. M. S. Wang, J. Y. Wang, and L.-M. Peng, Appl. Phys. Lett. 88, 243108 (2006).
19. M. S. Wang, L.-M. Peng, J. Y. Wang, and Q. Chen, J. Phys. Chem. B 109, 110 (2005).
20. M. S. Wang, L.-M. Peng, J. Y. Wang, C. H. Jin, and Q. Chen, J. Phys. Chem. B 110, 9397 (2006).
21. L.-M. Peng, M. Wang, and J. Wang, Surf. Interface Anal. 38, 1073 (2006).
22. H. W. Lee, S. H. Kim, Y. K. Kwak, and C. S. Han, Rev. Sci. Instrum. 76, 046108 (2005).
23. H. W. Lee, S. H. Kim, Y. K. Kwak, E. S. Lee, and C. S. Han, Sens. Actuators, A A125, 41 (2005).
24. W. Zhu, C. Bower, O. Zhou, G. Kochanski, and S. Jin, Appl. Phys. Lett. 75, 873 (1999).
25. R. G. Forbes, Solid-State Electron. 45, 779 (2001).
26. P. G. Collins and A. Zettl, Phys. Rev. B 55, 9391 (1997).
27. J.-M. Bonard, M. Croci, I. Arfaoui, O. Noury, D. Sarangi, and A. Châtelain, Diamond Relat. Mater. 11, 763 (2002).