Effect of a titanium cap in reducing interfacial oxides in the formation of nickel silicide

Journal of Applied Physics

Volumn 91, Issue 5, 2002, Pages 2901-2909

  Tan, W L ^a   Pey, K L ^a   Chooi, Simon Y M ^b   Ye, J H ^c   Osipowicz, T ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD   (Singapore)

^c INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 33845383908     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1448672     Document Type: Article

References (37)

1. H. Jeon, C. A. Sukow, J. W. Honeycutt, G. A. Rozgonyi, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 71, 4269 (1992).
2. J. B. Lasky, J. S. Nakos, O. J. Cain, and P. J. Geiss, IEEE Trans. Electron Devices ED-38, 262 (1991).
3. Z. Ma, L. H. Allen, and D. D. Allman, J. Appl. Phys. 77, 4384 (1995).
4. J. A. Kittl and Q. Z. Hong, Thin Solid Films 320, 110 (1998).
5. W. J. Freitas and J. W. Swat, J. Electrochem. Soc. 138, 3067 (1991).
6. K. Suguro et al., Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 514, 171 (1998).
7. K. Inoue, K. Mikagi, H. Abiko, and T. Kikkawa, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 445 (1995).
8. S. L. Hsia, T. Y. Tan, P. Smith, and G. E. McGuire, J. Appl. Phys. 72, 1864 (1992).
9. A. Vantomme, M.-A. Nicolet, G. Bai, and D. B. Fraser, Appl. Phys. Lett. 62, 243 (1992).
10. S.-L. Zhang, J. Cardenas, F. M. d'Heurle, B. G. Svensson, and C. S. Petersson, Appl. Phys. Lett. 66, 58 (1995).
11. G. B. Kim, H. K. Baik, and S. M. Lee, Appl. Phys. Lett. 69, 3498 (1996).
12. S. Hong, P. Wetzel, G. Gewinner, and C. Pirri, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 3236 (1996).
13. R. T. Tung and F. Schrey, Appl. Phys. Lett. 67, 2164 (1995).
14. S. Ohmi and R. T. Tung, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 564, 117 (1999).
15. A. R. Londergan, G. Nuesca, C. Goldberg, C. Peterson, A. E. Kaloyeros, B. Arkles, and J. J. Sullivan, J. Electrochem. Soc. 148, C21 (2001).
16. A. Lauwers et al., Microelectron. Eng. 50, 103 (2000).
17. P. S. Lee, D. Mangelinck, K. L. Pey, J. Ding, J. Dai, C. S. Ho, and A. See, Microelectron. Eng. 51, 583 (2000).
18. X. W. Lin, N. Ibrahim, L. Topete, and D. Pramanik, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 514, 179 (1998).
19. G. B. Kim, J. S. Kwak, and H. B. Biak, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 162 (1999).
20. C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, R. A. Donaton, and K. Maex, Microelectron. Eng. 50, 125 (2000).
21. T.-H Hou and T.-F. Lei, IEEE Electron Device Lett. 20, 572 (1999).
22. T. Suzuki and S. Adachi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 2689 (1994).
23. D. Manglinck, Y. J. Dai, J. S. Pan, and S. K. Lahiri, Appl. Phys. Lett. 75, 1736 (1999).
24. D. J. Cole and E. H. Phoderick, J. Phys. D 9, 965 (1976).
25. Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy (Physical Electronics, Perkin-Elmer, Eden Prairie, MN, 1995).
26. F. M. d'Heurle, S. Petersson, L. Stolt, and B. Stritzker, J. Appl. Phys. 53, 5678 (1982).
27. P. S. Lee, D. Mangelinck, K. L. Pey, Z. X. Shen, J. Ding, T. Osipowicz, and A. See, Electrochem. Solid-State Lett. 3, 153 (2000).
28. H. Dallaporta, M. Liehr, and J. E. Lewis, Phys. Rev. B 41, 5075 (1990).
29. J. T. Mayer, R. F. Lin, and E. Garfunkel, Surf. Sci. 265, 102 (1992).
30. E. Kondoh, T. Conard, B. Brijis, S. Jin, H. Bender, M. de Potter, and K. Maex, J. Mater. Res. 14, 4402 (1999).
31. CRC Handbook of Physics and Chemistry, 64th ed. (Chemical Rubber, Boca Raton, FL, 1983).
32. C. Detavernier, R. A. Donaton, K. Maex, S. Jin, H. Bender, R. V. Meirhaeghe, and F. Cardon, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 564, 139 (1999).
33. R. Beyers, J. Appl. Phys. 56, 147 (1984).
34. F. Fenske, A. Schopke, S. Schulze, and B. Selle, Appl. Surf. Sci. 104-105, 218 (1996).
35. W. L. Tan, K. L. Pey, S. Y. M. Chooi, and J. H. Ye, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (2001) (in press).
36. Properties of Metal Silicides, edited by K. Maex and M. van Rossum INSPEC, London (1995), p. 55.
37. VLSI Technology, 2nd ed., edited by S. M. Sze (McGraw-Hill, New York, 1988), p. 275.