SCOPUS 정보 검색 플랫폼 - 논문 보기

메뉴 건너뛰기

Chemistry of Materials

Volumn 18, Issue 24, 2006, Pages 5652-5658

Reactive deposition of conformal ruthenium films from supercritical carbon dioxide

(2) O'Neil, Adam a Watkins, James J a

a UNIVERSITY OF MASSACHUSETTS (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONFORMAL RUTHENIUM FILMS; SUBSTRATE TEMPERATURES; SUPERCRITICAL CARBON DIOXIDE;

CARBON DIOXIDE; DEPOSITION; RUTHENIUM; SILICON WAFERS; SUPERCRITICAL FLUIDS; THERMAL EFFECTS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

METALLIC FILMS;

EID: 33845380773 PISSN: 08974756 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1021/cm060142d Document Type: Article

Times cited : (45)

References (59)

1
- 84860049384
- International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS); http://public.itrs.net/Files/2003ITRS/Home2003.htm, 2003.
- (2003)

2
- 4344580459
- Chan, R.; Arunagiri, T. N.; Zhang, Y.; Chyan, O.; Wallace, R. M.; Kim, M. J.; Hurd, T. Q. Electrochem. Solid State Lett. 2004, 7, G154-G157.
- (2004) Electrochem. Solid State Lett. , vol.7
- Chan, R.¹ Arunagiri, T.N.² Zhang, Y.³ Chyan, O.⁴ Wallace, R.M.⁵ Kim, M.J.⁶ Hurd, T.Q.⁷

3
- 0033891549
- Park, S. E.; Kim, H. M.; Kim, K. B.; Min, S. H. J. Electrochem. Soc. 2000, 147, 203-209.
- (2000) J. Electrochem. Soc. , vol.147 , pp. 203-209
- Park, S.E.¹ Kim, H.M.² Kim, K.B.³ Min, S.H.⁴

4
- 0001254260
- Aoyama, T.; Kiyotoshi, M.; Yamazaki, S.; Eguchi, K. Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 1999, 38, 2194-2199.
- (1999) Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 , vol.38 , pp. 2194-2199
- Aoyama, T.¹ Kiyotoshi, M.² Yamazaki, S.³ Eguchi, K.⁴

5
- 0001761031
- Trent, D. E.; Paris, B.; Krause, H. H. Inorg. Chem. 1964, 3, 1057-1058.
- (1964) Inorg. Chem. , vol.3 , pp. 1057-1058
- Trent, D.E.¹ Paris, B.² Krause, H.H.³

6
- 0037156020
- Kim, J. J.; Jung, D. H.; Kim, M. S.; Kim, S. H.; Yoon, D. Y. Thin Solid Films 2002, 409, 28-32.
- (2002) Thin Solid Films , vol.409 , pp. 28-32
- Kim, J.J.¹ Jung, D.H.² Kim, M.S.³ Kim, S.H.⁴ Yoon, D.Y.⁵

7
- 0033347996
- Aoyama, T.: Eguchi, K. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 1999, 38, L1134-L1136.
- (1999) Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 , vol.38
- Aoyama, T.¹ Eguchi, K.²

8
- 0035262730
- Matsui, Y.; Hiratani, M.; Nabatame, T.; Shimamoto, Y.; Kimura, S. Electrochem. Solid Stale Lett. 2001, 4, C9-C12.
- (2001) Electrochem. Solid Stale Lett. , vol.4
- Matsui, Y.¹ Hiratani, M.² Nabatame, T.³ Shimamoto, Y.⁴ Kimura, S.⁵

9
- 0036222615
- Matsui, Y.; Hiratani, M.; Nabatame, T.; Shimamoto, Y.; Kimura, S. Electrochem. Solid State Lett. 2002, 5, C18-C21.
- (2002) Electrochem. Solid State Lett. , vol.5
- Matsui, Y.¹ Hiratani, M.² Nabatame, T.³ Shimamoto, Y.⁴ Kimura, S.⁵

10
- 0034316091
- Nabatame, T.; Hiratani, M.; Kadoshima, M.; Shimamoto, Y.; Matsui, Y.; Ohji, Y.; Asano, I.; Fujiwara, T.; Suzuki, T. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 2000, 39, L1188-L1190.
- (2000) Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 , vol.39
- Nabatame, T.¹ Hiratani, M.² Kadoshima, M.³ Shimamoto, Y.⁴ Matsui, Y.⁵ Ohji, Y.⁶ Asano, I.⁷ Fujiwara, T.⁸ Suzuki, T.⁹

11
- 33845433179
- U.S. Patent 6479100
- Jin, X.; Wade, C. P.; Tao, X.; Pao, E.; Wang, Y.; Zhao, J. U.S. Patent 6479100, 2002.
- (2002)
- Jin, X.¹ Wade, C.P.² Tao, X.³ Pao, E.⁴ Wang, Y.⁵ Zhao, J.⁶

12
- 33845392247
- U.S. Patent 6440495
- Wade, C. P.; Pao, E.; Wang, Y.; Zhao, J. U.S. Patent 6440495, 2002.
- (2002)
- Wade, C.P.¹ Pao, E.² Wang, Y.³ Zhao, J.⁴

13
- 0000587714
- Berry, A. D.; Brown, D. J.; Kaplan, R.; Cukauskas, E. J. J. Vac. Sci. Technol. A 1986, 4, 215-218.
- (1986) J. Vac. Sci. Technol. A , vol.4 , pp. 215-218
- Berry, A.D.¹ Brown, D.J.² Kaplan, R.³ Cukauskas, E.J.⁴

14
- 0000694668
- Boyd, E. P.; Ketchum, D. R.; Deng, H. B.; Shore, S. G. Chem. Mater. 1997, 9, 1154-1158.
- (1997) Chem. Mater. , vol.9 , pp. 1154-1158
- Boyd, E.P.¹ Ketchum, D.R.² Deng, H.B.³ Shore, S.G.⁴

15
- 1642398240
- Wang, Q.; Ekerdt, J. G.; Gay, D.; Sun, Y. M.; White, J. M. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 1380-1382.
- (2004) Appl. Phys. Lett. , vol.84 , pp. 1380-1382
- Wang, Q.¹ Ekerdt, J.G.² Gay, D.³ Sun, Y.M.⁴ White, J.M.⁵

16
- 0002598478
- Lee, F. J.; Chi, Y.; Liu, C. S.; Hsu, P. F.; Chou, T. Y.; Peng, S. M.; Lee, G. H. Chem. Vap. Dep. 2001, 7, 99-101.
- (2001) Chem. Vap. Dep. , vol.7 , pp. 99-101
- Lee, F.J.¹ Chi, Y.² Liu, C.S.³ Hsu, P.F.⁴ Chou, T.Y.⁵ Peng, S.M.⁶ Lee, G.H.⁷

17
- 33845432685
- U.S. Patent 4250210
- Crosby, J. N.; Hanley, R. S. U.S. Patent 4250210, 1981.
- (1981)
- Crosby, J.N.¹ Hanley, R.S.²

18
- 0037166604
- Lee, D. J.; Kang, S. W.; Rhee, S. W. Thin Solid Films 2002, 413, 237-242.
- (2002) Thin Solid Films , vol.413 , pp. 237-242
- Lee, D.J.¹ Kang, S.W.² Rhee, S.W.³

19
- 0034272603
- Lee, J. H.; Kim, J. Y.; Rhee, S. W.; Yang, D. V.; Kim, D. H.; Yang, C. H.; Han, Y. K.; Hwang, C. J. J. Vac. Sci. Technol., A 2000, 18, 2400-2403.
- (2000) J. Vac. Sci. Technol., A , vol.18 , pp. 2400-2403
- Lee, J.H.¹ Kim, J.Y.² Rhee, S.W.³ Yang, D.V.⁴ Kim, D.H.⁵ Yang, C.H.⁶ Han, Y.K.⁷ Hwang, C.J.⁸

20
- 0033453727
- Lee, J. M.; Kang, S. Y.; Shin, J. C.; Hwang, C. S.; Kim, H. J.; Suk, C. G. J. Korean Phys. Soc. 1999, 35, S107-S109.
- (1999) J. Korean Phys. Soc. , vol.35
- Lee, J.M.¹ Kang, S.Y.² Shin, J.C.³ Hwang, C.S.⁴ Kim, H.J.⁵ Suk, C.G.⁶

21
- 0035457063
- Lee, J. W.; Kim, K. M.; Song, H. S.; Jeong, K. C.; Lee, J. M.; Roh, J. S. Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 2001, 40, 5201-5205.
- (2001) Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 , vol.40 , pp. 5201-5205
- Lee, J.W.¹ Kim, K.M.² Song, H.S.³ Jeong, K.C.⁴ Lee, J.M.⁵ Roh, J.S.⁶

22
- 0033729140
- Lee, S. H.; Chun, J. K.; Hur, J. J.; Lee, J. S.; Rue, G. H.; Bae, Y. H.; Hahm, S. H.; Lee, Y. H.; Lee, J. H. IEEE Electron Device Lett. 2000, 21, 261-263.
- (2000) IEEE Electron Device Lett. , vol.21 , pp. 261-263
- Lee, S.H.¹ Chun, J.K.² Hur, J.J.³ Lee, J.S.⁴ Rue, G.H.⁵ Bae, Y.H.⁶ Hahm, S.H.⁷ Lee, Y.H.⁸ Lee, J.H.⁹

23
- 0037088523
- Kadoshima, M.; Nabatame, T.; Hiratani, M.; Nakamura, Y.; Asano, I.; Suzuki, T. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 2002, 41, L347-L350.
- (2002) Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 , vol.41
- Kadoshima, M.¹ Nabatame, T.² Hiratani, M.³ Nakamura, Y.⁴ Asano, I.⁵ Suzuki, T.⁶

24
- 33745209254
- Kim, Y.; Ha, S. C.; Jeong, K. C.; Hong, K.; Roh, J. S.; Yoon, H. K. Integr. Ferroelectr. 2001, 36, 285-294.
- (2001) Integr. Ferroelectr. , vol.36 , pp. 285-294
- Kim, Y.¹ Ha, S.C.² Jeong, K.C.³ Hong, K.⁴ Roh, J.S.⁵ Yoon, H.K.⁶

25
- 0036478505
- Kim, K. W.; Kim, N. S.; Kim, Y. S.; Choi, I. S.; Kim, H. J.; Park, J. C.; Lee, S. Y. Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 2002, 41, 820-825.
- (2002) Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 , vol.41 , pp. 820-825
- Kim, K.W.¹ Kim, N.S.² Kim, Y.S.³ Choi, I.S.⁴ Kim, H.J.⁵ Park, J.C.⁶ Lee, S.Y.⁷

26
- 0037456212
- Lashdaf, M.; Hatanpaa, T.; Krause, A. O. I.; Lahtinen, J.; Lindblad, M.; Tiitta, M. Appl. Catal, A 2003, 241, 51-63.
- (2003) Appl. Catal, A , vol.241 , pp. 51-63
- Lashdaf, M.¹ Hatanpaa, T.² Krause, A.O.I.³ Lahtinen, J.⁴ Lindblad, M.⁵ Tiitta, M.⁶

27
- 0037667843
- Sun, H. J.; Kim, K. M.; Kim, Y. S.; Cho, K. J.; Park, K. S.; Lee, J. M.; Roh, J. S. Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 2003, 42, 582-586.
- (2003) Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 , vol.42 , pp. 582-586
- Sun, H.J.¹ Kim, K.M.² Kim, Y.S.³ Cho, K.J.⁴ Park, K.S.⁵ Lee, J.M.⁶ Roh, J.S.⁷

28
- 3042853068
- Sun, H. J.; Kim, Y. S.; Song, H. S.; Lee, J. M.; Roh, J. S.; Sohn, H. C. Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 2004, 43, 1566-1570.
- (2004) Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 , vol.43 , pp. 1566-1570
- Sun, H.J.¹ Kim, Y.S.² Song, H.S.³ Lee, J.M.⁴ Roh, J.S.⁵ Sohn, H.C.⁶

29
- 33845468161
- U.S. Patent 6303809
- Chi, Y.; Lee, F. J.; Liu, C.-S. U.S. Patent 6303809, 2001.
- (2001)
- Chi, Y.¹ Lee, F.J.² Liu, C.-S.³

30
- 0001573958
- Senzaki, Y.; Gladfelter, W. L.; McCormick, F. B. Chem. Mater. 1993, 5, 1715-1721.
- (1993) Chem. Mater. , vol.5 , pp. 1715-1721
- Senzaki, Y.¹ Gladfelter, W.L.² McCormick, F.B.³

31
- 4244018764
- Senzaki, Y.; McCormick, F. B.; Gladfelter, W. L. Chem. Mater. 1992, 4, 747-749.
- (1992) Chem. Mater. , vol.4 , pp. 747-749
- Senzaki, Y.¹ McCormick, F.B.² Gladfelter, W.L.³

32
- 0041565413
- Lai, Y. H.; Chen, Y. L.; Chi, Y.; Liu, C. S.; Carty, A. J.; Peng, S. M.; Lee, G. H. J. Mater. Chem. 2003, 13, 1999-2006.
- (2003) J. Mater. Chem. , vol.13 , pp. 1999-2006
- Lai, Y.H.¹ Chen, Y.L.² Chi, Y.³ Liu, C.S.⁴ Carty, A.J.⁵ Peng, S.M.⁶ Lee, G.H.⁷

33
- 0034318813
- Smith, K. C.; Sun, Y. M.; Mettlach, N. R.; Hance, R. L.; White, J. M. Thin Solid Films 2000, 376, 73-81.
- (2000) Thin Solid Films , vol.376 , pp. 73-81
- Smith, K.C.¹ Sun, Y.M.² Mettlach, N.R.³ Hance, R.L.⁴ White, J.M.⁵

34
- 0032679367
- Barreca, D.; Buchberger, A.; Daolio, S.; Depero, L. E.; Fabrizio, M.; Morandini, F.; Rizzi, G. A.; Sangaletti, L.; Tondello, E. Langmuir 1999, 15, 4537-4543.
- (1999) Langmuir , vol.15 , pp. 4537-4543
- Barreca, D.¹ Buchberger, A.² Daolio, S.³ Depero, L.E.⁴ Fabrizio, M.⁵ Morandini, F.⁶ Rizzi, G.A.⁷ Sangaletti, L.⁸ Tondello, E.⁹

35
- 3042845794
- Choi, J.; Choi, Y.; Hong, J.; Tian, H.; Roh, J. S.; Kim, Y.; Chung, T. M.; Oh, Y. W.; Kim, C. G.; No, K. Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 2002, 41, 6852-6856.
- (2002) Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 , vol.41 , pp. 6852-6856
- Choi, J.¹ Choi, Y.² Hong, J.³ Tian, H.⁴ Roh, J.S.⁵ Kim, Y.⁶ Chung, T.M.⁷ Oh, Y.W.⁸ Kim, C.G.⁹ No, K.¹⁰

36
- 33845405442
- U.S. Patent 5372849
- McCormick, F. B.; Gladfelter, W. L.; Senzaki, Y. U.S. Patent 5372849, 1994.
- (1994)
- McCormick, F.B.¹ Gladfelter, W.L.² Senzaki, Y.³

37
- 0009479914
- Yuan, Z.; Puddephatt, R. J.; Sayer, M. Chem. Mater. 1993, 5, 908-910.
- (1993) Chem. Mater. , vol.5 , pp. 908-910
- Yuan, Z.¹ Puddephatt, R.J.² Sayer, M.³

38
- 0032755056
- Sankar, J.; Sham, T. K.; Puddephatt, R. J. J. Mater. Chem. 1999, 9, 2439-2444.
- (1999) J. Mater. Chem. , vol.9 , pp. 2439-2444
- Sankar, J.¹ Sham, T.K.² Puddephatt, R.J.³

39
- 0034317209
- Chen, L.; Magtoto, N.; Ekstrom, B.; Kelber, J. Thin Solid Films 2000, 376, 115-123.
- (2000) Thin Solid Films , vol.376 , pp. 115-123
- Chen, L.¹ Magtoto, N.² Ekstrom, B.³ Kelber, J.⁴

40
- 9744223614
- Dey, S. K.; Goswami, J.; Bhaskar, S.; Cao, W.; Noh, W. C. J. Vac. Sci. Technol. B 2004, 22, L32-L34.
- (2004) J. Vac. Sci. Technol. B , vol.22
- Dey, S.K.¹ Goswami, J.² Bhaskar, S.³ Cao, W.⁴ Noh, W.C.⁵

41
- 1242287585
- Kwon, O. K.; Kim, J. H.; Park, H. S.; Kang, S. W. J. Electrochem. Soc. 2004, 151, G109-G112.
- (2004) J. Electrochem. Soc. , vol.151
- Kwon, O.K.¹ Kim, J.H.² Park, H.S.³ Kang, S.W.⁴

42
- 0035812811
- Blackburn, J. M.; Long, D. P.; Cabanas, A.; Watkins, J. J. Science 2001, 294, 141-146.
- (2001) Science , vol.294 , pp. 141-146
- Blackburn, J.M.¹ Long, D.P.² Cabanas, A.³ Watkins, J.J.⁴

43
- 0000028015
- Watkins, J. J.; Blackburn, J. M.; McCarthy, T. J. Chem. Mater. 1999, 11, 213-215.
- (1999) Chem. Mater. , vol.11 , pp. 213-215
- Watkins, J.J.¹ Blackburn, J.M.² McCarthy, T.J.³

44
- 33845443870
- U.S. Patent 5789027
- Watkins, J. J.; McCarthy, T. J. U.S. Patent 5789027, 1998.
- (1998)
- Watkins, J.J.¹ McCarthy, T.J.²

45
- 0033701031
- Long, D. P.; Blackburn, J. M.; Watkins, J. J. Adv. Mater. 2000, 12, 913-915.
- (2000) Adv. Mater. , vol.12 , pp. 913-915
- Long, D.P.¹ Blackburn, J.M.² Watkins, J.J.³

46
- 1942438680
- Hunde, E. T.; Watkins, J. J. Chem. Mater. 2004, 16, 498-503.
- (2004) Chem. Mater. , vol.16 , pp. 498-503
- Hunde, E.T.¹ Watkins, J.J.²

47
- 0034839531
- Fernandes, N. E.; Fisher, S. M.; Poshusta, J. C.; Vlachos, D. G.; Tsapatsis, M.; Watkins, J. J. Chem. Mater. 2001, 13, 2023-2031.
- (2001) Chem. Mater. , vol.13 , pp. 2023-2031
- Fernandes, N.E.¹ Fisher, S.M.² Poshusta, J.C.³ Vlachos, D.G.⁴ Tsapatsis, M.⁵ Watkins, J.J.⁶

48
- 0042768125
- Cabanas, A.; Shan, X. Y.; Watkins, J. J. Chem. Mater. 2003, 15, 2910-2916.
- (2003) Chem. Mater. , vol.15 , pp. 2910-2916
- Cabanas, A.¹ Shan, X.Y.² Watkins, J.J.³

49
- 0036776396
- Cabanas, A.; Blackburn, J. M.; Watkins, J. J. Microelectron. Eng. 2002, 64, 53-61.
- (2002) Microelectron. Eng. , vol.64 , pp. 53-61
- Cabanas, A.¹ Blackburn, J.M.² Watkins, J.J.³

50
- 0033809946
- Blackburn, J. M.; Long, D. P.; Watkins, J. J. Chem. Mater. 2000, 12, 2625-2631.
- (2000) Chem. Mater. , vol.12 , pp. 2625-2631
- Blackburn, J.M.¹ Long, D.P.² Watkins, J.J.³

51
- 6044274613
- Onde, H.; Kramer, S.; Moore, S.; Wai, C. M. Chem. Mater. 2004, 16, 4028-4031.
- (2004) Chem. Mater. , vol.16 , pp. 4028-4031
- Onde, H.¹ Kramer, S.² Moore, S.³ Wai, C.M.⁴

52
- 0036776430
- Kondoh, E.; Kato, H. Microelectron. Eng. 2002, 64, 495-499.
- (2002) Microelectron. Eng. , vol.64 , pp. 495-499
- Kondoh, E.¹ Kato, H.²

53
- 4444283754
- Kondoh, E. Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 2004, 43, 3928-3933.
- (2004) Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 , vol.43 , pp. 3928-3933
- Kondoh, E.¹

54
- 13444283762
- Zong, Y. F.; Watkins, J. J. Chem. Mater. 2005, 17, 560-565.
- (2005) Chem. Mater. , vol.17 , pp. 560-565
- Zong, Y.F.¹ Watkins, J.J.²

55
- 0032394465
- Kreher, U.; Schebesta, S.; Walther, D. Z. Anorg. Allg. Chem. 1998, 624, 602-312.
- (1998) Anorg. Allg. Chem. , vol.624 , pp. 602-1312
- Kreher, U.¹ Schebesta, S.² Walther, D.Z.³

56
- 6344241177
- Boultif, A.; Louer, D. J. Appl. Crystallogr. 2004, 37, 724-731.
- (2004) J. Appl. Crystallogr. , vol.37 , pp. 724-731
- Boultif, A.¹ Louer, D.²

57
- 0000084791
- Wiles, D. B.; Young, R. A. J. Appl. Crystallogr. 1981, 14, 149-151.
- (1981) J. Appl. Crystallogr. , vol.14 , pp. 149-151
- Wiles, D.B.¹ Young, R.A.²

58
- 84860050979
- www-mincryst, accessed June 2005
- www-mincryst; http://database.iem.ac.ru/mincryst/, accessed June 2005.

59
- 33845429373
- Wyckoff, R. W. G.; 2 ed.; Interscience Publishers: 1963; Vol. 1, 8-11
- Wyckoff, R. W. G.; 2 ed.; Interscience Publishers: 1963; Vol. 1, 8-11.

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.