ZnO metal-semiconductor-metal ultraviolet photodiodes with Au contacts

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 154, Issue 1, 2007, Pages

  Young, S J ^a   Ji, L W ^b   Chang, S J ^a   Du, X L ^c  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL FORMOSA UNIVERSITY   (Taiwan)

^c INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EPITAXIAL GROWTH; MOLECULAR BEAM EPITAXY; QUANTUM EFFICIENCY; SAPPHIRE; ULTRAVIOLET DEVICES; ZINC OXIDE;

CORRESPONDING DETECTIVITY; PLASMA ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY; SAPPHIRE SUBSTRATES; ULTRAVIOLET PHOTODIODES;

PHOTODIODES;

EID: 33845253333     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2387058     Document Type: Article

References (22)

1. M. Razeghi and A. Rogalski, J. Appl. Phys., 79, 7473 (1996).
2. Y. K. Su, S. J. Chang, C. H. Chen, J. F. Chen, G. C. Chi, J. K. Sheu, W. C. Lai, and J. M. Tsai, IEEE Sens. J., 2, 366 (2002).
3. Y. Z. Chiou, J. Electrochem. Soc., 152, G639 (2005).
4. S. J. Chang, T. K. Lin, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. K. Wang, S. P. Chang, C. M. Chang, J. J. Tang, and B. R. Huang, Mater. Sci. Eng., B, 127, 164 (2006).
5. T. M. Barnes, J. Leaf, S. Hand, C. Fry, and C. A. Wolden, J. Appl. Phys., 96, 7036 (2004).
6. H. Kato, M. Sano, K. Miyanoto, and T. Yao, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 42, L1002 (2003).
7. Y. I. Alivov, E. V. Kalinina, A. E. Cherenkov, D. C. Look, B. M. Ataev, A. K. Omaev, M. V. Chukichev, and D. M. Bagnall, Appl. Phys. Lett., 83, 4719 (2003).
8. S. Liang, H. Sheng, Y. Liu, Z. Huo, Y. Lu, and H. Shen, J. Cryst. Growth, 225, 110 (2001).
9. A. Mang, K. Reimann, and St. Rübenacke, Solid State Commun., 94, 251 (1995).
10. A. Setiawan, Z. Vashaei, M. W. Cho, T. Yao, H. Kato, M. Sano, K. Miyamoto, I. Yonenaga, and H. J. Ko, J. Appl. Phys., 96, 3763 (2004).
11. E. M. Kaidashev, M. Lorenz, H. von Wenckstern, A. Rahm, H. C. Semmelhack, K. H. Han, G. Benndorf, C. Bundesmann, H. Hochmuth, and M. Grundmann, Appl. Phys. Lett., 82, 3901 (2003).
12. K. Sakurai, D. Iwata, S. Fujita, and S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 38, 2606 (1999).
13. H. J. Ko, Y. F. Chen, S. K. Hong, and T. Yao, J. Cryst. Growth, 209, 816 (2000).
14. R. P. Joshi, A. N. Dharamsi, and J. McAdoo, Appl. Phys. Lett., 64, 3611 (1994).
15. E. Monroy, F. Calle, J. L. Pau, E. Munz, F. Omǹs, B. Beaumont, and P. Gibart, Phys. Status Solidi A, 185, 91 (2001).
16. J. C. Carrano, T. Li, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, R. D. Dupuis, and J. C. Campbell, J. Appl. Phys., 83, 6148 (1998).
17. F. D. Auret, S. A. Goodman, M. Hayes, M. J. Legodi, H. A. van Laarhoven, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett., 79, 3074 (2001).
18. Z. X. Mei, Y. Wang, X. L. Du, M. J. Ying, Z. Q. Zeng, H. Zheng, J. F. Jia, Q. K. Xue, and Z. Zhang, J. Appl. Phys., 96, 7108 (2004).
19. Y. F. Chen, H. J. Ko, S. K. Hong, and T. Yao, Appl. Phys. Lett., 76, 559 (2000).
20. C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, T. K. Lin, H. L. Liu, and J. J. Tang, Semicond. Sci. Technol., 20, 485 (2005).
21. F. Vigú, E. Tourní, and J. P. Faurie, IEEE J. Quantum Electron., 37, 1146 (2001).
22. T. G. M. Kleinpenning, Solid-State Electron., 22, 121 (1979).