Optical gain of InGaAsN/InP quantum wells for laser applications

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 18, 2006, Pages

  Carrre H ^a   Marie, X ^a   Lombez, L ^a   Amand, T ^a  

^a INSA   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GAIN MEASUREMENT; LASER APPLICATIONS; QUANTUM WELL LASERS; SEMICONDUCTING INDIUM PHOSPHIDE; SUBSTRATES;

EMISSION WAVELENGTH; N-FREE QUANTUM WELLS; OPTICAL GAIN;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 33750715721     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2372769     Document Type: Article

References (29)

1. P. J. A. Thijs, L. F. Tiemeijer, K. I. Kuindersma, J. J. M. Binsma, and T. van Dongen, IEEE J. Quantum Electron. 27, 1426 (1991).
2. M. Vanwolleghem, W. Van Parys, D. Van Thourhout, R. Baets, F. Lelarge, O. Gauthier-Lafaye, B. Thedrez, R. Wirix-Speetjens, and L. Lagae, Appl. Phys. Lett. 85, 3980 (2004).
3. F. Lelarge, B. Dagens, C. Cuisin, O. Le Gouezigou, G. Patriarche, W. Van Parys, M. Vanwolleghem, R. Baets, and J. L. Gentner, J. Cryst. Growth 278, 709 (2005).
4. W. Van Parys, B. Moeyersoon, D. Van Thourhout, R. Baets, M. Vanwolleghem, B. Dagens, J. Decobert, O. Le Gouezigou, D. Make, R. Vanheertum, and L. Lagae, Appl. Phys. Lett. 88, 071115 (2006).
5. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Wakahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1273 (1996).
6. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999).
7. K. Kim and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 86, 2609 (2001).
8. A. Lindsay and E. P. O'Reilly, Phys. Rev. Lett. 93, 196402 (2004).
9. M. Hofmann, A. Wagner, C. Ellmers, C. Schlichenmeier, S. Schafer, F. Hohnsdorf, J. Koch, W. Stolz, S. W. Koch, W. Ruhle, J. Hader, J. V. Moloney, E. P. O'Reilly, B. Borchert, A. Y. Egorov, and H. Riechert, Appl. Phys. Lett. 78, 3009 (2001).
10. W. Zhou, K. Uesugi, and I. Suemune, Appl. Phys. Lett. 83, 1992 (2003).
11. M. R. Gokhale, J. Wei, H. Wang, and S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 74, 1287 (1999).
12. L. Bellaiche, Appl. Phys. Lett. 75, 2578 (1999).
13. A. Ubukata, J. Dong, K. Matsumoto, and Y. Ishihara, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 5962 (2000).
14. D. Serries, T. Geppert, P. Ganser, M. Maier, K. Köhler, N. Herres, and J. Wagner, Appl. Phys. Lett. 80, 2448 (2002).
15. K. Köhler, J. Wagner, P. Ganser, D. Serries, T. Geppert, M. Maier, and L. Kirste, IEE Proc.: Optoelectron. 151, 247 (2004).
16. B. Gönül, K. Köksal, and E. Bakir, Physica E (Amsterdam) 31, 148 (2006).
17. R. Epenga, M. F. H. Schuurmans, and S. Colak, Phys. Rev. B 36, 1554 (1987).
18. D. Ahn and S. L. Chuang, IEEE J. Quantum Electron. 26, 13 (1990).
19. X. Marie, J. Barrau, B. Brousseau, T. Amand, M. Brousseau, E. V. K. Rao, and F. Alexandre, J. Appl. Phys. 69, 812 (1991).
20. H. Carrere, X. Marie, J. Barrau, and T. Amand, Appl. Phys. Lett. 86, 071116 (2005).
21. B. Grandidier, R. M. Feenstra, C. Silfvenius, and G. Landgren, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 2251 (1999).
22. A. Erol, S. Mazzucato, M. C. Arikan, H. Carrere, A. Arnoult, E. Bedel, and N. Balkan, Semicond. Sci. Technol. 18, 968 (2003).
23. I. A. Buyanova, W. M. Chen, B. Monemar, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 75, 3781 (1999).
24. H. P. Xin and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 72, 2442 (1998).
25. E. V. K. Rao, A. Ougazzaden, Y. Le Bellego, and M. Juhel, Appl. Phys. Lett. 72, 1409 (1998).
26. X. Yang, J. B. Heroux, M. J. Jurkovic, and W. I. Wang, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1144 (1999).
27. E. P. O'Reilly and A. R. Adams, IEEE J. Quantum Electron. 30, 366 (1994).
28. G. N. Childs, S. Brand, and R. A. Abram, Semicond. Sci. Technol. 1, 116 (1986).
29. J. Barrau, T. Amand, M. Brousseau, R. J. Simes, and L. Goldstein, J. Appl. Phys. 71, 5768 (1992).