Functional characterization of SrTiO3 tunnel barriers by conducting atomic force microscopy

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 17, 2006, Pages

  Infante, I C ^a   Sanchez F ^a   Laukhin, V ^a,c   Prez Del Pino A ^a   Fontcuberta, J ^a   Bouzehouane, K ^b   Fusil, S ^b   Barthlmy A ^b  

^a CSIC   (Spain)

^b CNRS   (France)

^c INSTITUCIÓ CATALANA DE RECERCA I ESTUDIS AVANÇATS ICREA   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC RESISTANCE; THIN FILMS;

BARRIER HEIGHT; ELECTRIC TRANSPORT; TIP-CONTACT AREA; TUNNEL BARRIERS;

STRONTIUM COMPOUNDS;

EID: 33750487789     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2360898     Document Type: Article

References (23)

1. S. Yuasa, T. Nagahama, A. Fukushima, Y. Suzuki, and K. Ando, Nat. Mater. 3, 868 (2004).
2. W. H. Butler, X. G. Zhang, T. C. Schulthess, and J. M. MacLaren, Phys. Rev. B 63, 054416 (2001).
3. M. Viret, M. Drouet, J. Nassar, J. P. Contour, C. Fermon, and A. Fert, Europhys. Lett. 39, 545 (1997).
4. J. Z. Sun, L. Krusin-Elbaum, P. R. Duncombe, A. Gupta, and R. B. Laibowitz, Appl. Phys. Lett. 70, 1769 (1997).
5. J. M. De Teresa, A. Barth́ĺmy, A. Fert, J. P. Contour, R. Lyonnet, F. Montaigne, P. Seneor, and A. Vaur̀s, Phys. Rev. Lett. 82, 4288 (1999).
6. M. Klaua, D. Ullmann, J. Barthel, W. Wulfhekel, J. Kirschner, R. Urban, T. L. Monchesky, A. Enders, J. F. Cochran, and B. Heinrich, Phys. Rev. B 64, 134411 (2001).
7. M. Bibes, K. Bouzehouane, A. Barth́ĺmy, M. Besse, S. Fusil, M. Bowen, P. Seneor, J. Carrey, V. Cros, A. Vaur̀s, J. P. Contour, and A. Fert, Appl. Phys. Lett. 83, 2629 (2003).
8. D. Xu, G. D. Watt, J. N. Harb, and R. C. Davis, Nano Lett. 5, 571 (2005).
9. W. Wang, T. Lee, and M. A. Reed, Phys. Rev. B 68, 035416 (2003).
10. T. Dimopoulos, V. Da Costa, C. Tiusan, K. Ounadjela, and H. A. M. van den Berg, J. Appl. Phys. 89, 7371 (2001).
11. Y. Ando, H. Kameda, H. Kubota, and T. Miyazaki, J. Appl. Phys. 87, 5206 (2000).
12. E. Z. Luo, S. K. Wong, A. B. Pakhomov, J. B. Xu, I. H. Wilson, and C. Y. Wong, J. Appl. Phys. 90, 5202 (2001).
13. V. Da Costa, C. Tiusan, T. Dimopoulos, and K. Ounadjela, Phys. Rev. Lett. 85, 876 (2000).
14. V. Da Costa, Y. Henry, F. Bardou, M. Romero, and K. Ounadjela, Eur. Phys. J. B 13, 297 (2000).
15. F. Sánchez, I. C. Infante, U. Lüders, Ll. Abad, and J. Fontcuberta, Surf. Sci. 600, 1231 (2006).
16. F. Houź, R. Meyer, O. Schneegans, and L. Boyer, Appl. Phys. Lett. 69, 1975 (1996).
17. D. W. Reagor, S. Y. Lee, Y. Li, and Q. X. Jia, J. Appl. Phys. 95, 7971 (2004).
18. J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1785 (2000) (using S=0.3 and φNDL ≈3.9 eV).
19. J. G. Simmons, J. Appl. Phys. 0021-8979 34, 1963 (1963); J. G. Simmons, J. Phys. D 4, 613 (1971).
20. J. G. Simmons, J. Appl. Phys. 0021-8979 34, 1963 (1963); J. G. Simmons, J. Phys. D 4, 613 (1971).
21. J. F. Scott, Integr. Ferroelectr. 42, 1 (2002).
22. J. D. Baniecki, T. Shioga, K. Kurihara, and N. Kamehara, J. Appl. Phys. 94, 6741 (2003).
23. K. M. Lang, D. A. Hite, R. W. Simmonds, R. McDermott, D. P. Pappas, and J. M. Martinis, Rev. Sci. Instrum. 75, 2726 (2004).