Effect of uniaxial strain on anisotropic diffusion in silicon

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 16, 2006, Pages

  Chen, Ming Jer ^a   Sheu, Yi Ming ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANISOTROPY; BORON; DIFFUSION; FIELD EFFECT TRANSISTORS; PARAMETER ESTIMATION; STRAIN;

ANISOTROPIC DIFFUSION; MIGRATION STRAIN ANISOTROPY; STRAIN INDUCED ACTIVATION; UNIAXIAL STRAIN;

SILICON;

EID: 33750152743     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2362980     Document Type: Article

References (19)

1. S. E. Thompson, M. Armstrong, C. Auth, M. Alavi, M. Buehler, R. Chau, S. Cea, T. Ghani, G. Glass, T. Hoffman, C. H. Jan, C. Kenyon, J. Klaus, K. Kuhn, Z. Ma, B. Mcintyre, K. Mistry, A. Murthy, B. Obradovic, R. Nagisetty, P. Nguyen, S. Sivakumar, R. Shaheed, L. Shifren, B. Tufts, S. Tyagi, M. Bohr, and Y. El-Mansy, IEEE Trans. Electron Devices 51, 1790 (2004).
2. C. H. Ge, C. C. Lin, C. H. Ko, C. C. Huang, Y. C. Huang, B. W. Chen, B. C. Perng, C. C. Sheu, P. Y. Tsai, L. G. Yao, C. L. Wu, T. L. Lee, C. J. Chen, C. T. Wang, S. C. Lin, Y. C. Yeo, and C. Hu, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2003, 73.
3. N. Moriya, L. C. Feldman, H. S. Luftman, C. A. King, J. Bevk, and B. Freer, Phys. Rev. Lett. 71, 883 (1993).
4. P. Kuo, J. L. Hoyt, J. F. Gibbons, J. E. Turner, R. D. Jacowitz, and T. I. Kamins, Appl. Phys. Lett. 62, 612 (1993).
5. N. E. B. Cowern, P. C. Zalm, P. van der Sluis, D. J. Gravesteijn, and W. B. de Boer, Phys. Rev. Lett. 72, 2585 (1994).
6. F. H. Baumann, J. H. Huang, J. A. Rentschler, T. Y. Chang, and A. Ourmazd, Phys. Rev. Lett. 73, 448 (1994).
7. P. Kuo, J. L. Hoyt, J. F. Gibbons, J. E. Turner, and D. Lefforge, Appl. Phys. Lett. 66, 580 (1995).
8. P. Kringhoj, A. Nylandsted Larsen, and S. Y. Shirayev, Phys. Rev. Lett. 76, 3372 (1996).
9. N. R. Zangenberg, J. Fage-Pedersen, J. Lundsgaard Hansen, and A. Nylandsted Larsen, J. Appl. Phys. 94, 3883 (2003).
10. M. S. Daw, W. Windl, N. N. Carlson, M. Laudon, and M. P. Masquelier, Phys. Rev. B 64, 045205 (2001).
11. M. Laudon, N. N. Carlson, M. P. Masquelier, M. S. Daw, and W. Windl, Appl. Phys. Lett. 78, 201 (2001).
12. M. Diebel, Ph.D. Dissertation, University of Washington, 2004.
13. S. T. Dunham, M. Diebel, C. Ahn, and C. L. Shih, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 456 (2006).
14. M. J. Aziz, Appl. Phys. Lett. 70, 2810 (1997).
15. Y. Zhao, M. J. Aziz, H. J. Gossmann, S. Mitha, and D. Schiferl, Appl. Phys. Lett. 74, 31 (1999).
16. Y. Zhao, M. J. Aziz, H. J. Gossmann, S. Mitha, and D. Schiferl, Appl. Phys. Lett. 75, 941 (1999).
17. Y. M. Sheu, S. J. Yang, C. C. Wang, C. S. Chang, L. P. Huang, T. Y. Huang, M. J. Chen, and C. H. Diaz, IEEE Trans. Electron Devices 52, 30 (2005).
18. M. J. Aziz, Y. Zhao, H. J. Gossmann, S. Mitha, S. P. Smith, and D. Schiferl, Phys. Rev. B 73, 054101 (2006).
19. H. F. Wolf, Semiconductors (Wiley, New York, 1971), p. 44.