Al0.15Ga0.85N/GaN high electron mobility transistor structures grown on p-type Si substrates

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 13, 2006, Pages

  Liang, C T ^a   Chen, Kuang Yao ^a   Chen, N C ^b   Chang, P H ^b   Chang, Chin An ^b  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^b CHANG GUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL GROWTH; CRYSTAL STRUCTURE; ELECTRON MOBILITY; OSCILLATIONS; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING SILICON; SHUBNIKOV-DE HAAS EFFECT;

ALXGA1-X; HALL MOBILITY; SI (111); STRUCTURES GROWN;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 33749260490     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2357005     Document Type: Article

References (23)

1. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, J. Appl. Phys. 76, 8189 (1994).
2. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Hagahama, Y. Yamada, and Y. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1332 (1995).
3. M. A. Khan, Q. Chen, M. S. Shur, B. McDermott, J. Higgins, J. Burm, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 17, 584 (1996).
4. Y. Wu, B. Keller, S. Keller, D. Kalponek, P. Kozodoy, S. DenBaars, and U. Mishra, Appl. Phys. Lett. 69, 1438 (1996).
5. G. E. Bulman, K. Doverspike, S. T. Sheppard, T. W. Weeks, H. S. Kong, H. M. Dieringer, J. A. Edmond, J. D. Brown, J. T. Swindell, and J. F. Schetzina, Electron. Lett. 33, 1556 (1997).
6. M. P. Mack, A. Abare, M. Aizcorbe, P. Kozodoy, S. Keller, U. K. Mishra, L. Coldren, and S. Denbaars, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 41 (1997).
7. J. R. Juang, T.-Y. Huang, T.-M. Chen, M.-G. Lin, G.-H. Kim, Y. Lee, C.-T. Liang, D. R. Hang, Y. F. Chen, and J.-I. Chyi, J. Appl. Phys. 94, 3181 (2003).
8. J. R. Juang, D. R. Hang, M.-G. Lin, T.-Y. Huang, G.-H. Kim, C.-T. Liang, Y. F. Chen, W. K. Hung, W. H. Seo, Y. Lee, and J. H. Lee, Chin. J. Phys. (Taipei) 42, 629 (2004).
9. J.-H. Chen, J.-Y. Lin, J.-K. Tsai, H. Park, G.-H. Kim, D. H. Youn, H.-I. Cho, E.-J. Lee, J.-H. Lee, C.-T. Liang, and Y. F. Chen, J. Korean Phys. Soc. 48, 1539 (2006).
10. J.-Y. Lin, J.-H. Chen, G.-H. Kim, H. Park, D. H. Youn, C. M. Jeon, J. M. Baik, J.-L. Lee, C.-T. Liang, and Y. F. Chen, J. Korean Phys. Soc. 49, 1130 (2006).
11. C. R. Elsass, I. P. Smorchkova, B. Heying, E. Haus, P. Fini, K. Maranowski, J. P. Ibbetson, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 74, 3528 (1999).
12. I. P. Smorchkova, C. R. Elsass, J. P. Ibbetson, R. Ventry, B. Heying, P. Fini, E. Haus, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 86, 4520 (1999).
13. L. K. Li, B. Turk, W. I. Wang, S. Syed, D. Simonian, and H. L. Stormer, Appl. Phys. Lett. 76, 742 (2000).
14. M. J. Manfra, L. N. Pfeiffer, K. W. West, H. L. Stornier, K. W. Baldwin, J. W. P. Hsu, D. V. Lang, and R. J. Molner, Appl. Phys. Lett. 77, 2888 (2000).
15. A. Krost and A. Dadgar, Mater. Sci. Eng., B 93, 77 (2002).
16. T. W. Weeks, Jr., M. D. Bremser, K. S. Ailey, E. Carlson, W. G. Perry, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 67, 401 (1995).
17. K.-T. Wu, P. H. Chang, S. T. Lien, N. C. Chen, C.-A. Chang, C. F. Shih, W. C. Lien, Y. H. Wu, S.-C. Chen, Y. H. Chang, and C.-T. Liang, Physica E (Amsterdam) 32, 568 (2006).
18. C.-A. Chang, S. T. Lien, C.-H. Liu, C.-F. Shih, N. C. Chen, P.-H. Chang, H.-C. Peng, T.-Y. Tang, W.-C. Lien, Y.-H. Wu, K.-T. Wu, J.-W. Chen, C.-T. Liang, Y. F. Chen, T.-U. Lu, and T. Y. Lin, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 45, 2516 (2006).
19. K. Pakula, R. Bozek, J. M. Baranowski, J. Jasinski, and Z. Liliental-Weber. J. Cryst. Growth 267, 1 (2004).
20. C. F. Huang, Y. H. Chang, C. H. Lee, H. T. Chou, H. D. Yeh, C.-T. Liang, Y. F. Chen, H. H. Lin, H. H. Cheng, and G. J. Hwang, Phys. Rev. B 65, 045303 (2002), and references therein.
21. A. F. Brana, C. Diaz-Paniagua, F. Batallan, J. A. Garrido, E. Munoz, and F. Omnes, J. Appl. Phys. 88, 932 (2000).
22. S. Elhamri, R. S. Newrock, D. B. Mast, M. Ahoujja, W. C. Mitchel, J. M. Redwing, M. A. Tischler, and J. S. Flynn, Phys. Rev. B 57, 1374 (1998).
23. For example, see N. Tang, B. Shen, M. J. Wang, Z. J. Yang, K. Xu, G. Y. Zhang, T. Lin, B. Zhu, W. Z. Zhou, and J. H. Chu, Appl. Phys. Lett. 88, 172115 (2006), and references therein.