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Volumn 60, Issue 27, 2006, Pages 3269-3271

Elastic properties of InAs under pressure up to 18 GPa

Author keywords

Elastic constants; III V semiconductors; Phase transition

Indexed keywords

CRYSTAL STRUCTURE; ELECTRICITY; HYDROSTATIC PRESSURE; ZINC;

EID: 33748433084     PISSN: 0167577X     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.matlet.2006.03.011     Document Type: Article
Times cited : (10)

References (23)
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    • R.K. Willardson, E.R. Weber (Eds.), Semiconductors and Semimetals, Vol. 54.


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.