Epitaxial growth of non-c-axis-oriented ferroelectric rare-earth element-substituted bismuth titanate thin films on Si(100)

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 4, 2006, Pages

  Lee, Sung Kyun ^a   Hesse, Dietrich ^a   Gösele, Ulrich ^a  

^a MAX PLANCK INSTITUTE OF MICROSTRUCTURE PHYSICS   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC CONDUCTANCE; EPITAXIAL GROWTH; FERROELECTRIC MATERIALS; FERROELECTRIC THIN FILMS; MOLECULAR ORIENTATION; RARE EARTH ELEMENTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION;

BISMUTH TITANATE THIN FILMS; EPITAXIAL TEMPLATES; EPITAXIAL THIN FILMS; PSEUDOPEROVSKITE BLOCKS;

BISMUTH COMPOUNDS;

EID: 33748300914     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2266238     Document Type: Article

References (32)

1. A. D. Rae, J. G. Thompson, and R. L. Withers, Acta Crystallogr., Sect. B: Struct. Sci. 48, 418 (1992).
2. A. D. Rae, J. G. Thompson, R. L. Withers, and A. C. Willis, Acta Crystallogr., Sect. B: Struct. Sci. 46, 474 (1990).
3. S. E. Cummins and L. E. Cross, J. Appl. Phys. 39, 2268 (1968).
4. J. Lettieri et al., Appl. Phys. Lett. 73, 2923 (1998).
5. S. Y. Wu, W. J. Takei, and M. H. Francombe, Appl. Phys. Lett. 22, 26 (1973).
6. S. E. Moon, T. K. Song, S. B. Back, S.-I. Kwun, J.-G. Yoon, and J. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 75, 2827 (1999).
7. H. N. Lee, D. N. Zakharov, S. Senz, A. Pignolet, and D. Hesse, Appl. Phys. Lett. 79, 2961 (2001).
8. J. Lettieri, M. A. Zurbuchen, Y. Jia, D. G. Schlom, S. K. Streiffer, and M. E. Hawley, Appl. Phys. Lett. 76, 2937 (2000).
9. J. Lettieri, M. A. Zurbuchen, Y. Jia, D. G. Schlom, S. K. Streiffer, and M. E. Hawley, Appl. Phys. Lett. 77, 3090 (2000).
10. H. N. Lee and D. Hesse, Appl. Phys. Lett. 80, 1040 (2002).
11. A. Garg, Z. H. Barber, M. Dawber, J. F. Scott, A. Snedden, and P. Lightfoot, Appl. Phys. Lett. 83, 2414 (2003).
12. T. Kojima, T. Sakai, T. Watanabe, H. Funakubo, K. Saito, and M. Osada, Appl. Phys. Lett. 80, 2746 (2002).
13. T. Watanabe, H. Funakubo, K. Saito, T. Suzuki, M. Fujimoto, M. Osada, Y. Noguchi, and M. Miyayama, Appl. Phys. Lett. 81, 1660 (2002).
14. H. N. Lee, S. Senz, A. Visinoiu, A. Pignolet, D. Hesse, and U. Gösele, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 71, 101 (2000).
15. H. N. Lee, S. Senz, A. Pignolet, and D. Hesse, Appl. Phys. Lett. 78, 2922 (2001).
16. H. N. Lee, D. Hesse, N. Zakharov, and U. Gösele, Science 296, 2006 (2002).
17. S. K. Lee, D. Hesse, and U. Gösele, Appl. Phys. Lett. 88, 062909 (2006).
18. Y. Shimakawa, Y. Kubo, Y. Tauchi, H. Asano, T. Kamiyama, F. Izumi, and Z. Hiroi, Appl. Phys. Lett. 79, 2791 (2001).
19. R. D. Shannon, Acta Crystallogr., Sect. A: Cryst. Phys., Diffr., Theor. Gen. Crystallogr., 32, 751 (1976).
20. U. Chon, H. M. Jang, M. G. Kim, and C. H. Chang, Phys. Rev. Lett. 89, 087601 (2002).
21. S. Okamoto, T. Watanabe, K. Akiyama, S. Kaneko, H. Funakubo, and S. Horita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, 5102 (2005).
22. U. Chon, G.-C. Yi, and H. M. Jang, Appl. Phys. Lett. 78, 658 (2001).
23. C.-H. Kim, J.-K. Lee, H.-S. Suh, J. Y. Yi, K.-S. Hong, and T.-S. Hang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 1495 (2002).
24. H. McMurdie, M. Morris, E. Evans, B. Paretzkin, W. Wong-Ng, and C. Hubbard, Powder Diffr. 1, 84 (1986).
25. G. Asayama et al., Appl. Phys. Lett. 80, 2371 (2002).
26. P. Tiwari, X. D. Wu, S. R. Foltyn, M. Q. Le, I. H. Campbell, R. C. Dye, and R. E. Muenchausen, Appl. Phys. Lett. 64, 634 (1994).
27. H. N. Lee, A. Visinoiu, S. Senz, C. Harnagea, A. Pignolet, D. Hesse, and U. Gösele, J. Appl. Phys. 88, 6658 (2000).
28. D. Hesse, N. D. Zakharov, A. Pignolet, A. R. James, and S. Senz, Cryst. Res. Technol. 35, 641 (2000).
29. M. A. Zurbuchen, J. Lettieri, Y. Jia, D. G. Schlom, S. K. Streiffer, and M. E. Hawley, J. Mater. Res. 16, 489 (2001).
30. D. Hesse, S. K. Lee, and U. Gösele, Phys. Status Solidi A 202, 2287 (2005).
31. A. R. James, A. Pignolet, S. Senz, N. D. Zakharov, and D. Hesse, Solid State Commun. 114, 249 (2000).
32. Z. Song, C. Lin, L. Wang, J. Huang, D. Hesse, N. D. Zakharov, H. Xu, and M. Okuyama, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 70, 355 (2000).