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Volumn 55, Issue 7, 2006, Pages 3622-3628

Current slump mechanism and its physical model of AlGaN/GaN HEMTs under DC bias

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AlGaN GaN HEMT; Current slump; DC sweep; Model

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EID: 33747503897     PISSN: 10003290     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.