In-plane bandgap engineering by modulated hydrogenation of dilute nitride semiconductors

Advanced Materials

Volumn 18, Issue 15, 2006, Pages 1993-1997

  Felici, Marco ^a   Polimeni, Antonio ^a   Salviati, Giancarlo ^b   Lazzarini, Laura ^b   Armani, Nicola ^b   Masia, Francesco ^a   Capizzi, Mario ^a   Martelli, Faustino ^c,d   Lazzarino, Marco ^c,d   Bais, Giorgio ^c,d   Piccin, Matteo ^c,d   Rubini, Silvia ^c,d   Franciosi, Alfonso ^c,d  

^a UNIVERSITÀ DI ROMA LA SAPIENZA   (Italy)

^b IMEM CNR   (Italy)

^c LABORATORIO TASC   (Italy)

^d UNIVERSITY OF TRIESTE   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATHODOLUMINESCENCE; ELECTRON BEAMS; ELECTRONIC PROPERTIES; GALLIUM; HETEROJUNCTIONS; HYDROGENATION; LIGHT EMISSION; LIGHT MODULATION; NITRIDES; PHOTOLITHOGRAPHY; SEMICONDUCTOR GROWTH;

DILUTE NITRIDE SEMICONDUCTORS; GALLIUM HETEROSTRUCTURES; IN-PLANE BANDGAP ENGINEERING; NITROGEN PASSIVATION SITES;

SEMICONDUCTOR MATERIALS;

EID: 33746819954     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200600487     Document Type: Article

References (27)

1. F. Capasso, Science 1987, 235, 172.
2. C. Weisbuch, B. Vinter, Quantum Semiconductor Structures, Academic Press, San Diego, CA1991.
3. Ch. Gréus, L. Butov, F. Daiminger, A. Forchel, P. A. Knipp, T. L. Reinecke, Phys. Rev. B 1993, 47, 7626(R).
4. D. Bimberg, M. Grundmann, N. N. Ledentsov, Quantum Dot Heterostructures, Wiley, Chichester, UK 1998.
5. A. Polimeni, M. Henini, A. Patané, L. Eaves, P. C. Main, G. Hill, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 1415.
6. M. Sugawara, N. Hatori, H. Ebe, M. Ishida, Y. Arakawa, T. Akiyama, K. Otsubo, Y. Nakata, J. Appl. Phys. 2005, 97, 043 523.
7. R. G. Hunsperger, Integrated Optics: Theory and Technology, Springer, Berlin, Germany 2002.
8. G. Ciatto, F. Boscherini, A. Amore Bonapasta, F. Filippone, A. Polimeni, M. Capizzi, Phys. Rev. B 2005, 71, 201 301.
9. Dilute Nitride Semiconductors (Ed: M. Henini), Elsevier, Amsterdam, The Netherlands 2005.
10. Physics and Applications of Dilute Nitrides (Eds: I. A. Buyanova, W. M. Chen), Taylor and Francis, New York 2004.
11. G. Steinle, F. Mederer, M. Kicherer, R. Michalzik, G. Kristen, A. Y. Egorov, H. Riechert, H. D. Wolf, K. J. Ebeling, Electron. Lett. 2001, 37, 632.
12. S. R. Kurtz, A. A. Allerman, E. D. Jones, J. M. Gee, J. J. Banas, B. E. Hammons, Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 729.
13. R. J. Welty, H. Xin, C. W. Tu, P. M. Asbeck, J. Appl. Phys. 2004, 95, 327.
14. A. Ignatov, A. Patané, O. Makarovsky, L. Eaves, Appl. Phys. Lett. 2006, 85, 032 107.
15. A. Polimeni, G. Baldassarri Höger von Högersthal, M. Bissiri, M. Fischer, M. Reinhardt, A. Forchel, Phys. Rev. B 2001, 63, 201 304(R).
16. G. Baldassarri Höger von Högersthal, M. Bissiri, A. Polimeni, M. Capizzi, M. Fischer, M. Reinhardt, A. Forchel, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 3472.
17. A. Amore Bonapasta, F. Filippone, P. Giannozzi, M. Capizzi, A. Polimeni, Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 216 401.
18. A. Polimeni, G. Baldassarri Höger von Högersthal, F. Masia, A. Frova, M. Capizzi, S. Sanna, V. Fiorentini, P. J. Klar, W. Stolz, Phys. Rev. B 2004, 69, 041 201 (R).
19. A. Polimeni, G. Ciatto, L. Ortega, F. Jiang, F. Boscherini, F. Filippone, A. Amore Bonapasta, M. Stavola, M. Capizzi, Phys. Rev. B 2003, 68, 085 204(R).
20. M. Pavesi, M. Manfredi, G. Salviati, N. Armani, F. Rossi, G. Meneghesso, S. Levada, E. Zanoni, S. Du, I. Eliashevich, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 3403.
21. S. Silvestre, D. Bernard-Loridant, E. Constant, M. Constant, J. Chevallier, Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 3206.
22. J. Christen, M. Grundmann, D. Bimberg, J. Vac. Sci. Technol. B 1991, 9, 2358.
23. Cathodoluminescence Microscopy of Inorganic Solids (Eds: B. G. Yacobi, D. B. Holt), Plenum, New York 1990.
24. A. Petersson, A. Gustafsson, L. Samuelson, S. Tanaka, Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 3513.
25. L.-L. Chao, G. S. Cargill, III, M. Levy, R. M. Osgood, Jr., G. F. McLane, Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 408.
26. A. Polimeni, M. Bissiri, M. Felici, M. Capizzi, I. A. Buyanova, W. M. Chen, H. P. Xin, C. W. Tu, Phys. Rev. B 2003, 67, 201 303(R).
27. G. Leibiger, V. Gottschalch, B. Rheinländer, J. Šik, M. Schubert, J. Appl. Phys. 2001, 89, 4927.