Mechanical stability of Ir electrodes used for stacked SrBi 2Ta2O9 ferroelectric capacitors

Integrated Ferroelectrics

Volumn 81, Issue 1, 2006, Pages 37-45

  Lisoni, J G ^a   Johnson, J A ^a   Everaert, J L ^a   Goux, L ^a   Vander Meeren, H ^a   Paraschiv, V ^a   Willegems, M ^a   Maes, D ^a   Haspeslagh, L ^a   Wouters, D J ^a   Caputa, C ^b   Zambrano, R ^b  

^a IMEC   (Belgium)

^b STMICROELECTRONICS   (Italy)

Author keywords

Ferroelectrics; Iridium; SBT; Stacked capacitors

Indexed keywords

ANNEALING; CAPACITORS; CRYSTALLIZATION; ELECTRODES; FERROELECTRIC MATERIALS; HIGH TEMPERATURE OPERATIONS; IRIDIUM; MECHANICAL PROPERTIES; METALLIC FILMS; OPTIMIZATION; PARTIAL PRESSURE; POLARIZATION;

BOTTOM ELECTRODE (BE); SBT; SRBI 2TA2O9; STACKED CAPACITORS;

FERROELECTRIC DEVICES;

EID: 33745864847     PISSN: 10584587     EISSN: 16078489     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1080/10584580600657898     Document Type: Article

References (19)

1. T. S. Moise, S. R. Summerfeit, H. McAdams, S. Aggarwal, K. R. Udayakumar, F. G. Celii, J. S. Martin, G. Xing, L. Hall, K. J. Taylor, T. Hurd, J. Rodriguez, K. Remack. M. D. Khan, K. Boku, G. Stacey, M. Yao, M. G. Albrecht, E. Zielinski, M. Thakre, S. Kuchimanchi, A. Thomas, B. McKee, J. Rickes, A. Wang, J. Grace, J. Fong, D. Lee, C. Pietrzyk, R. Lanham, S. R. Gilbert, D. Taylor, J. Amano, R. Bailey, F. Chu, G. Fox, S. Sun, and T. Davenport, IEDM 2002, session 21, (2002).
2. H. J. Joo, Y. J. Song, H. H. Kim, S. K. Kang, J. H. Park, Y. M. Kang, E. Y. Kang, S. Y. Lee, H. S. Jeong, and Kinam Kim, VLSI Tech 2004 148, (2004).
3. J. A. Johnson, J. G. Lisoni, and D. J. Wouters, Microelec. Engineering 70, 377 (2003).
4. H. Kanaya, K. Tomioka, T. Matsushita, M. Omura, T. Ozaki, Y. Kumura, Y. Shimojo, T. Morimoto, O. Hidaka, S. Shuto, H. Koyama, Y. Yamada, K. Osari, N. Tokoh, F. Fujisaki, N. Iwabuchi, N. Yamaguchi, T. Watanabe, M. Yabuki, H. Shinomiya, N. Watanabe, E. Itoh, T. Tsuchiya, K. Yamakawa, K. Natori, S. Yamazaki, K. Nakazawa, D. Takashima, S. Shiratake, S. Ohtsuki, Y. Oowaki, I. Kunishima, and A. Nitayama, VLSI Tech 2004 150 (2004).
5. D. Maes, J.-L. Everaert, L. Goux, J. G. Lisoni, V. Paraschiv, M. Schwitters, L. Haspeslagh, D. J. Wouters, C. Artoni, C. Caputa, P. Casella, G. Corallo, G. Russo, R. Zambrano, H. Monchoix, and L. Van Autryve, Integr. Ferroelectr. 66, 71 (2004).
6. J. G. Lisoni, J. A. Johnson, L. Goux, M. Schwitters, V. Paraschiv, D. Maes, L. Haspeslagh, C. Caputa, P. Casella, R. Zambrano, G. Vecchio, H. Monchoix, L. Van Autryve, and D. Wouters, Physica Status Solidi 1(S1), S78 (2004).
7. C. A. Paz de Araujo, J. D. Cuchiaro, L. D. McMillan, M. C. Scott, and J. F. Scott, Nature 374, 627 (1995).
8. S.-K. Hong, B. Yang, S. H. Oh, Y. M. Kang, N. S. Kang, C. Seon-Hwang and O. S. Kwon, J. Appl. Phys. 89, 8011 (2001).
9. S. Y. Cha and H. C. Lee, Jap. J. Appl. Phys. 38, L1128 (1999).
10. A. Grill and M. J. Brady, Integrated Ferroelectrics 9, 299 (1995).
11. J. G. Lisoni, K. Wafer, J. A. Johnson, B. Vandevelde, S. Bronsgersma, L. Goux, V. Paraschiv, D. Maes, L. Haspeslagh, D. J. Wouters, C. Caputa, and R. Zambrano, 16th International Symposium on Integrated Ferroelectrics (ISIF 2004, Gyeongju-Korea).
12. R. Vedula, C. S. Desu, S. Tirumala, H. D. Bhatt, S. B. Desu, and K. B. Lee, Appl. Phys. A 72, 13 (2001).
13. D. J. Wouters, D. Maes, L. Goux, J. G. Lisoni, V. Paraschiv, J. A. Johnson, M. Schwitters, J.-L. Everaert, W. Boullart, M. Schaekers, H. Vander Meeren, L. Haspeslagh, C. Artoni, C. Caputa, P. Casella, G. Corallo, G. Russo, R. Zambrano, H. Monchoix, G. Vecchio, and L. Van Autryve, Invited paper in J. Appl. Phys. Special Edition Ferroelectric Thin Films (editors Prof. S. Baik, Prof. N. Setter, and Dr. O. Auciello).
14. f curvature radii before and after a particular process, respectively.
15. Calculations based on Richardson-Ellingham diagrams from "Thermodynamics in Material Science," R. T. De Hoff, McGraw Hill, Inc (1993) and CRC, 77th edition, CRC press.
16. M. A. Pawlak, J. G. Lisoni, T. Schram, D. Smeets, K. Maex, and A. Vantomme; private communication (IMEC internal report).
17. B. K. Moon, O. Arisumi, R. Bruchhaus, K. Tsutsumi, H. Itokawa, K. Hornik, T. Tsuchiya, A. Hilliger, J. Lian, C. U. Pinnow, T. Ozaki, I. Kunishima, and N. Nagel, Integrated Ferroelectrics 53, 279 (2003).
18. f = 200 nm, L = 3 μm.
19. J. G. Lisoni, K. Wafer, J.A. Johnson, L. Goux, M. Schwitters, V. Paraschiv, D. Maes, L. Haspeslagh, C. Caputa, R. Zambrano, and D. J. Wouters, Ferroelectric Thin Films 12th Symp., Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 784, 3 (2004).