Soft deposition of large-area metal contacts for molecular electronics

Advanced Materials

Volumn 18, Issue 12, 2006, Pages 1499-1504

  Shimizu, Ken T ^a   Fabbri, Jason D ^a   Jelincic, Jim J ^a   Melosh, Nicholas A ^a  

^a Stanford University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRODES; ELECTRONIC PROPERTIES; LITHOGRAPHY; MOLECULAR DYNAMICS; POWER ELECTRONICS; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS;

MACROSCOPIC DISTORTION; METAL CONTACTS; MOLECULAR ELECTRONICS; SPATIAL REGISTRY;

ELECTRIC CONTACTS;

EID: 33745555148     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200600195     Document Type: Article

References (43)

1. a) D. Goldhaber-Gordon, M. S. Montemerlo, J. C. Love, G. J. Opiteck, J. C. Ellenbogen, Proc. IEEE 1997, 85, 521.
2. b) A. R. Pease, J. O. Jeppesen, J. F. Stoddart, Y. Luo, C. P. Collier, J. R. Heath, Acc. Chem. Res. 2001, 34, 433.
3. a) D. M. Adams, L. Brus, C. E. D. Chidsey, S. Creager, C. Creutz, C. R. Kagan, P. V. Kamat, M. Lieberman, S. Lindsay, R. A. Marcus, R. M. Metzger, M. E. Michel-Beyerle, J. R. Miller, M. D. Newton, D. R. Rolison, O. Sankey, K. S. Schanze, J. Yardley, X. Y. Zhu, J. Phys. Chem. B 2003, 107, 6668.
4. b) C. Joachim, J. K. Gimzewski, A. Aviram, Nature 2000, 408, 541.
5. c) B. A. Mantooth, P. S. Weiss, Proc. IEEE 2003, 91, 1785.
6. W. K. Woo, K. T. Shimizu, M. V. Jarosz, R. G. Neuhauser, C. A. Leatherdale, M. A. Rubner, M. G. Bawendi, Adv. Mater. 2002, 14, 1068.
7. R. McCreery, J. Dieringer, A. O. Solak, B. Snyder, A. M. Nowak, W. R. McGovern, S. DuVall, J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 10748.
8. A. M. Nowak, R. L. McCreery, Anal. Chem. 2004, 76, 1089.
9. a) D. L. Allara, T. D. Dunbar, P. S. Weiss, L. A. Bumm, M. T. Cygan, J. M. Tour, W. A. Reinerth, Y. Yao, M. Kozaki, L. Jones, in Molecular Electronics: Science and Technology, Vol. 852 (Eds. A. Aviram, M. Ratner) Annals of the New York Academy of Sciences, New York 1998, 349.
10. b) G. C. Herdt, D. R. Jung, A. W. Czanderna, J. Adhes. 1997, 60, 197.
11. c) D. R. Jung, A. W. Czanderna, G. C. Herdt, J. Vac. Sci. Technol. A 1996, 14, 1779.
12. A. Hooper, G. L. Fisher, K. Konstadinidis, D. Jung, H. Nguyen, R. Opila, R. W. Collins, N. Winograd, D. L. Allara, J. Am. Chem. Soc. 1999, 121, 8052.
13. a) C. Joachim, J. K. Gimzewski, R. R. Schlittler, C. Chavy, Phys. Rev. Lett. 1995, 74, 2102.
14. b) X. D. Cui, A. Primak, X. Zarate, J. Tomfohr, O. F. Sankey, A. L. Moore, T. A. Moore, D. Gust, G. Harris, S. M. Lindsay, Science 2001, 294, 571.
15. D. J. Wold, C. D. Frisbie, J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 5549.
16. A. M. Rawlett, T. J. Hopson, L. A. Nagahara, R. K. Tsui, G. K. Ramachandran, S. M. Lindsay, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3043.
17. a) D. L. Klein, R. Roth, A. K. L. Lim, A. P. Alivisatos, P. L. McEuen, Nature 1997, 389, 699.
18. b) H. Park, J. Park, A. K. L. Lim, E. H. Anderson, A. P. Alivisatos, P. L. McEuen, Nature 2000, 407, 57.
19. a) C. Zhou, C. J. Muller, M. R. Deshpande, J. W. Sleight, M. A. Reed, Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 1160.
20. b) M. A. Reed, C. Zhou, C. J. Muller, T. P. Burgin, J. M. Tour, Science 1997, 278, 252.
21. H. Haick, M. Ambrico, J. Ghabboun, T. Ligonzo, D. Cahen, Phys. Chem. Chem. Phys. 2004, 6, 4538.
22. Y. L. Loo, D. V. Lang, J. A. Rogers, J. W. P. Hsu, Nano Lett. 2003, 3, 913.
23. A. Vilan, D. Cahen, Adv. Funct. Mater. 2002, 12, 795.
24. J. Israelachivili, J. Chem. Soc. Faraday Trans. 2 1973, 1729.
25. -2.
26. a) H. Raether, Surface Plasmons on Smooth and Rough Surfaces and on Gratings, Springer, Berlin 1988.
27. b) I. Pockrand, J. D. Swalen, R. Santo, A. Brillante, M. R. Philpott, J. Chem. Phys. 1978, 69, 4001.
28. a) W. N. Hansen, J. Opt. Soc. Am. 1968, 58, 380.
29. b) W. Knoll, Annu. Rev. Phys. Chem. 1998, 49, 569.
30. B. Mann, H. Kuhn, J. Appl. Phys. 1971, 42, 4398.
31. B. Mann, H. Kuhn, L. V. Szentpal, Chem. Phys. Lett. 1971, 8, 82.
32. L. A. Bumm, J. J. Arnold, T. D. Dunbar, D. L. Allara, P. S. Weiss, J. Phys. Chem. B 1999, 103, 8122.
33. W. Y. Wang, T. Lee, M. A. Reed, Phys. Rev. B 2003, 68, 035416.
34. K. Slowinski, H. K. Y. Fong, M. Majda, J. Am. Chem. Soc. 1999, 121, 7257.
35. E. E. Polymeropoulos, J. Appl. Phys. 1977, 48, 2404.
36. J. G. Simmons, J. Appl. Phys. 1963, 34, 1793.
37. D. J. Wold, C. D. Frisbie, J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 2970.
38. A. Salomon, D. Cahen, S. Lindsay, J. Tomfohr, V. B. Engelkes, C. D. Frisbie, Adv. Mater. 2003, 15, 1881.
39. J. K. Tomfohr, O. F. Sankey, Phys. Rev. B 2002, 65, 245105.
40. Y. Luo, C. P. Collier, J. O. Jeppesen, K. A. Nielsen, E. Delonno, G. Ho, J. Perkins, H. R. Tseng, T. Yamamoto, J. F. Stoddart, J. R. Heath, ChemPhysChem 2002, 3, 519.
41. a) C. P. Collier, J. O. Jeppesen, Y. Luo, J. Perkins, E. W. Wong, J. R. Heath, J. F. Stoddart, J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 12632.
42. b) Y. Chen, D. A. A. Ohlberg, X. M. Li, D. R. Stewart, R. S. Williams, J. O. Jeppesen, K. A. Nielsen, J. F. Stoddart, D. L. Olynick, E. Anderson, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1610.
43. The typical yield of switching devices was greater than 70 %.