Fabrication of pyramidal patterned sapphire substrates for high-efficiency InGaN-based light emitting diodes

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 153, Issue 8, 2006, Pages

  Wuu, D S ^a,b   Wang, W K ^a   Wen, K S ^a   Huang, S C ^a   Lin, S H ^b   Horng, R H ^a   Yu, Y S ^c   Pan, M H ^c  

^a NATIONAL CHUNG HSING UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL FORMOSA UNIVERSITY   (Taiwan)

^c Wafer Works Corporation   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; DIODES; DISLOCATIONS (CRYSTALS); ELECTROCHEMISTRY; EXTRACTION; LIGHT EMISSION; PHOTOLUMINESCENCE; QUANTUM THEORY; SUBSTRATES;

DISLOCATION DENSITY; INGAN-BASED LIGHT EMITTING DIODES; MICRO PHOTOLUMINESCENCE MEASUREMENT; PATTERNED SAPPHIRE SUBSTRATE (PSS);

SAPPHIRE;

EID: 33745482395     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2209587     Document Type: Article

References (26)

1. Y. Narukawa, I. Niki, K. Izuno, M. Yamada, Y. Murazki, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 41, L371 (2002).
2. S. X. Jin, J. Li, J. Z. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett., 76, 631 (2000).
3. T. Kim, A. J. Danner, and K. D. Choquette, Electron. Lett., 41, 1138 (2005).
4. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E. L. Hu, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett., 84, 855 (2004).
5. P. Fini, L. Zhao, B. Moran, M. Hansen, H. Marchand, J. P. Ibbetson, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett., 75, 1706 (1999).
6. I. Akasaki, J. Cryst. Growth, 198/199, 885 (1999).
7. M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 37, L316 (1998).
8. P. Fini, L. Zhao, B. Moran, M. Hansen, H. Marchand, J. P. Ibbetson, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett., 75, 1706 (1999).
9. T. S. Zheleva, O. H. Nam, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett., 71, 2472 (1997).
10. S. Takumi, S. Hiroki, Y. Katsunori, Y. Masahito, and H. Kazumasa, J. Cryst. Growth, 189, 67 (1998).
11. X. Li, S. G. Bishop, and J. J. Coleman, Appl. Phys. Lett., 73, 1179 (1998).
12. A. Bell, R. Liu, F. A. Ponce, H. Amano, I. Akasaki, and D. Cherns, Appl. Phys. Lett., 82, 349 (2003).
13. K. Tadatomo, H. Okagawa, T. Tsunekawa, T. Jyouichi, Y. Imada, M. Kato, H. Kudo, and T. Taguchi, Phys. Status Solidi A, 188, 121 (2001).
14. S. J. Chang, Y. C. Lin, Y. K. Su, C. S. Chang, T. C. Wen, S. C. Shei, J. C. Ke, C. W. Kuo, S. C. Chen, and C. H. Liu, Solid-State Electron., 47, 1539 (2003).
15. W. K. Wang, D. S. Wuu, S. H. Lin, P. Han, R. H. Hrong, T. C. Hsu, D. C. Huo, M. J. Jou, Y. H. Yu, and A. Lin, IEEE J. Quantum Electron., 41, 1403 (2005).
16. D. S. Wuu, W. K. Wang, W. C. Shin, R. H. Hrong, C. E. Lee, Y. W. Lin, and J. S. Fang, IEEE Photon. Technol. Lett., 17, 288 (2005).
17. M. Kappelt and D. Bimberg, J. Electrochem. Soc., 143, 3271 (1996).
18. F. Dwikusuma, D. Saulys, and T. F. Kuech, J. Electrochem. Soc., 149, G603 (2002).
19. K. C. Chou, K. Hsu, P. C. Teng, C. Hsu, T. Y. Chou, F. H. Kan, and J. Y. Chu, J. Chin. Ceram. Soc., 27, 727 (1999).
20. W. Kern, RCA Rev., 39, 278 (1978).
21. S. Srinivasan, M. Stevens, F. A. Ponce, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett., 87, 131911 (2005).
22. B. Beaumont, Ph. Venńgùs, and P. Gibart, Phys. Status Solidi A, 227, 1 (2001).
23. L. Macht, J. L. Weyher, A. Grzegorczyk, and P. K. Larsen, Phys. Rev. B, 71, 073309 (2005).
24. L. Macht, P. R. Hageman, S. Haffouz, and P. K. Larsen, Appl. Phys. Lett., 87, 131904 (2005).
25. D. Wang, S. Jia, K. J. Chen, K. M. Lau, Y. Dikme, P. van Gemmern, Y. C. Lin, H. Kalisch, R. H. Jansen, and M. Heuken, J. Appl. Phys., 97, 056103 (2005).
26. C. C. Sun, C. Y. Lin, T. X. Lee, and T. H. Yang, Opt. Eng., 43, 1700 (2004).