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Volumn 9, Issue 7, 2006, Pages

Etch rate modification of SiO2 by ion damage

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BORON; CATALYSTS; ETCHING; HYDROFLUORIC ACID; ION IMPLANTATION; OXIDES; REACTION KINETICS;

EID: 33646883326     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2200307     Document Type: Article
Times cited : (18)

References (9)
  • 4
    • 33646863127 scopus 로고    scopus 로고
    • http:// www.srim.org


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.