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Volumn 96, Issue 16, 2006, Pages

Erratum: Ab Initio Study of Deep Defect States in Narrow Band-Gap Semiconductors: Group III Impurities in PbTe (Phys. Rev. Lett. (2006) 96 (056403))

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EID: 33646383893     PISSN: 00319007     EISSN: 10797114     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevLett.96.169907     Document Type: Erratum
Times cited : (11)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.