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Volumn 96, Issue 13, 2006, Pages

Erratum: Strain induced half-metal to semiconductor transition in GdN (Physical Review Letters (2005) 94 (237201))

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EID: 33645659381     PISSN: 00319007     EISSN: 10797114     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevLett.96.139901     Document Type: Erratum
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.