ZrO 2 gate dielectrics produced by ultraviolet ozone oxidation for GaN and AlGaN/GaN transistors

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 24, Issue 2, 2006, Pages 575-581

  Dora, Yuvaraj ^a   Han, Sooyeon ^a,b   Klenov, Dmitri ^a   Hansen, Peter J ^a   No, Kwang Soo ^b   Mishra, Umesh K ^a   Stemmer, Susanne ^a   Speck, James S ^a  

^a University of California   (United States)

^b Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COATED SAMPLES; HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT); SAPPHIRE SUBSTRATES;

ALUMINUM COMPOUNDS; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ELECTRON MOBILITY; OXIDATION; ULTRAVIOLET RADIATION; ZIRCONIUM COMPOUNDS;

DIELECTRIC MATERIALS;

EID: 33645510585     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2167991     Document Type: Article

References (19)

1. A. Chini, D. Buttari, R. Coffie, L. Shen, S. Heikman, A. Chakraborty, S. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 25, 229 (2004).
2. Y. -F. Wu, A. Saxler, M. Moore, R. P. Smith, S. Sheppard, P. M. Chavarkar, T. Wisleder, U. K. Mishra, and P. Parikh, IEEE Electron Device Lett. 25, 117 (2004).
3. A. Chini, J. Wittich, S. Heikman, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 25, 55 (2004).
4. U. K. Mishra, P. Parikh, and Y. Wu, Proc. IEEE 90, 1022 (2002).
5. P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. Keller, J. S. Speck, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 975 (1998).
6. E. J. Miller, X. Z. Dang, and E. T. Yu, J. Appl. Phys. 88, 5951 (2000).
7. M. A. Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2000).
8. P. J. Hansen, L. Shen, Y. Wu, A. Stonas, Y. Terao, S. Heikman, D. Buttari, T. R. Taylor, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, R. A. York, and J. S. Speck, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2479 (2004).
9. P. J. Hansen, Y. Terao, Y. Wu, R. A. York, U. K. Mishra, and J. S. Speck, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 162 (2005).
10. B. P. Gila, K. N. Lee, W. Johnson, F. Ren, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, M. Hong, J. Kwo, J. P. Mannaerts, and K. A. Anselm, Proceedings of the IEEE-Cornell Conference on High Performance Devices (IEEE, New York, 2000), p. 182.
11. R. Mehandru, B. Luo, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, D. Gotthold, R. Birkhahn, B. Peres, R. Fitch, J. Gillespie, T. Jenkins, J. Sewell, D. Via, and A. Crespo, Appl. Phys. Lett. 82, 2530 (2003).
12. B. Luo, J. W. Johnson, J. Kim, R. M. Mehandru, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, C. Monier, and J. Han, Appl. Phys. Lett. 80, 1661 (2002).
13. S. Ramanathan, P. C. McIntyre, S. Guha, and E. Gusev, Appl. Phys. Lett. 84, 389 (2004).
14. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
15. J. Shappir, A. Anis, and I. Pinsky, IEEE Trans. Electron Devices 33, 442 (1986).
16. S. Ramanathan, G. D. Wilk, D. A. Muller, C. M. Park, and P. C. McIntyre, Appl. Phys. Lett. 79, 2621 (2001).
17. M. -Y. Ho, H. Gong, G. D. Wilk, B. W. Busch, M. L. Green, P. M. Voyles, D. A. Muller, M. Bude, W. H. Lin, A. See, M. E. Loomans, S. K. Lahiri, and P. I. Ralsanen, J. Appl. Phys. 93, 1477 (2003).
18. S. Ramanathan, C. Park, and P. C. McIntyre, J. Appl. Phys. 91, 4521 (2002).
19. H. Xing, Y. Dora, A. Chini, S. Heikman, S. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 25, 161 (2004).