Transverse electric dominant intersubband absorption in Si-doped GaInAsNGaAs quantum wells

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 4, 2006, Pages

  Zhang, D H ^a   Liu, W ^a   Sun, L ^a   Fan, W J ^a   Yoon, S F ^a   Wang, S Z ^a   Liu, H C ^b  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b NATIONAL RESEARCH COUNCIL CANADA   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GROUND STATE; NITROGEN; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING SILICON;

INTERSUBBAND ABSORPTION; NITROGEN STATE; TRANSVERSE ELECTRIC (TE) DOMINANT;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 33644606712     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2172719     Document Type: Article

References (28)

1. A. Buyanova, W. M. Chen, and B. Monemar, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 6, 2 (2001).
2. W. G. Bi and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 70, 1608 (1997).
3. M. Weyers and M. Sato, Appl. Phys. Lett. 62, 1396 (1992).
4. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1273 (1996).
5. J. D. Perkins, A. Mascarenhas, Y. Zhang, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 3312 (1999).
6. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999).
7. E. D. Jones, N. A. Modine, A. A. Allerman, S. R. Kurtz, A. F. Wright, S. T. Torez, and X. Wei, Phys. Rev. B 60, 4430 (1999).
8. T. Mattila, S.-H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 60, R11245 (1999).
9. T. Miyamoto, K. Takeuchi, F. Koyama, and K. Iga, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 1448 (1997).
10. M. Fischer, M. Reinhardt, and A. Forchel, Electron. Lett. 36, 1208 (2000).
11. B. Borchert, A. Yu. Egorov, S. Illek, M. Komainda, and H. Riechert, Electron. Lett. 35, 2204 (1999).
12. S. R. Kurtz, A. A. Allerman, E. D. Jones, J. M. Gee, J. J. Banas, and B. E. Hammons, Appl. Phys. Lett. 74, 729 (1999).
13. J.-Y. Duboz, J. A. Gupta, M. Byloss, G. C. Aers, H. C. Liu, and Z. R. Wasilewski, Appl. Phys. Lett. 81, 1836 (2002).
14. W. J. Fan, L. Sun, S. F. Yoon, D. H. Zhang, S. Z. Wang, T. Mei, and P. L. Lee, Proceedings of 2002 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, Sydney, Australia, 11-13 December 2002 (IEEE, New York, 2002), pp. 455-457.
15. S. L. Chuang, in Physics of Optoelectronic Devices, Wiley Series in Pure and Applied Optics, edited by, J. W. Goodman, (Wiley, New York, 1995).
16. B. F. Levine, J. Appl. Phys. 74, R1 (1993).
17. H. C. Liu, M. Buchanan, and Z. R. Wasilewski, Phys. Rev. B 44, 1411 (1991).
18. L. H. Peng, J. H. Smet, T. P. E. Broekaert, and C. G. Fonstad, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.108312 61, 2078 (1992); Y. Hirayama, J. H. Smet, L. H. Peng, C. G. Fonstad, and E. P. Ippen, Appl. Phys. Lett. 63, 1663 (1993).
19. L. H. Peng, J. H. Smet, T. P. E. Broekaert, and C. G. Fonstad, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.108312 61, 2078 (1992); Y. Hirayama, J. H. Smet, L. H. Peng, C. G. Fonstad, and E. P. Ippen, Appl. Phys. Lett. 63, 1663 (1993).
20. S. Y. Wang and C. P. Lee, Appl. Phys. Lett. 71, 119 (1997).
21. G. Karunasiri, J. S. Park, J. Chen, R. Shin, J. Scheihing, and M. A. Dodd, Appl. Phys. Lett. 67, 2600 (1995).
22. J. Hernando, J. L. Sanchez-Rojas, A. Guzman, E. Munoz, J. M. G. Tijero, D. Gonzalez, G. Aragon, and Garcia, Appl. Phys. Lett. 78, 2390 (2001).
23. H. C. Liu, M. Buchanan, and Z. R. Wasilewski, Appl. Phys. Lett. 14, 1682 (1998).
24. R. Q. Yang and J. M. Xu, Phys. Rev. B 50, 7474 (1994).
25. S. Tomic et al., IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 1228 (2003).
26. P. J. Klar, H. Grüning, J. Koch, S. Schäfer, K. Volz, W. Stolz, and W. Heimbrodt, Phys. Rev. B 64, 121203 (2001).
27. M. E. Flatt́, P. M. Young, L. H. Peng, and H. Ehrenreich, Phys. Rev. B 53, 1963 (1996).
28. L. H. Peng and C. G. Fonstad, J. Appl. Phys. 77, 747 (1995).