Growth and properties of (104)-oriented ferroelectric Nd-substituted Bi 4Ti 3O 12 films on Si(100) using (111)-oriented SrRuO 3/Pt electrodes

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 6, 2006, Pages

  Lee, Sung Kyun ^a   Hesse, Dietrich ^a   Gösele, Ulrich ^a  

^a MAX PLANCK INSTITUTE OF MICROSTRUCTURE PHYSICS   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

REMANENT POLARIZATION; YTTRIA-STABILIZED ZRO 2 (YSZ);

ELECTRODES; EPITAXIAL GROWTH; PULSED LASER DEPOSITION; REMANENCE; STRONTIUM COMPOUNDS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

FERROELECTRIC THIN FILMS;

EID: 32444435230     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2168260     Document Type: Review

References (18)

1. R. A. McKee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm, Phys. Rev. Lett. 81, 3014 (1998).
2. K. Eisenbeiser, J. M. Finder, Z. Yu, J. Ramdani, J. A. Curless, J. A. Hallmark, R. Droopad, W. J. Ooms, L. Salem, S. Bradshaw, and C. D. Overgaard, Appl. Phys. Lett. 76, 1324 (2000).
3. Y. Wang, C. Ganpule, B. T. Liu, H. Li, K. Mori, B. Hill, M. Wuttig, R. Ramesha, J. Finder, Z. Yu, R. Droopad, and K. Eisenbeiser, Appl. Phys. Lett. 80, 97 (2002).
4. B. T. Liu, K. Maki, Y. So, V. Nagarajan, R. Ramesha, J. Lettieri, J. H. Haeni, D. G. Schlom, W. Tian, X. Q. Pan, F. J. Walker, and R. A. McKee, Appl. Phys. Lett. 80, 4801 (2002).
5. A. D. Rae, J. G. Thompson, and R. L. Withers, Acta Crystallogr., Sect. B: Struct. Sci. 48, 418 (1992).
6. A. D. Rae, J. G. Thompson, R. L. Withers, and A. C. Willis, Acta Crystallogr., Sect. B: Struct. Sci. 46, 474 (1990).
7. S. E. Cummins and L. E. Cross, J. Appl. Phys. 39, 2268 (1968).
8. S. Y. Hou, J. Kwo, R. K. Watts, J.-Y. Cheng, and D. K. Fork, Appl. Phys. Lett. 67, 1387 (1995).
9. H. N. Lee, S. Senz, N. D. Zakharov, C. Harnagea, A. Pignolet, D. Hesse, and U. Gösele, Appl. Phys. Lett. 77, 3260 (2000).
10. H. N. Lee, S. Senz, A. Pignolet, and D. Hesse, Appl. Phys. Lett. 78, 2922 (2001).
11. U. Chon, H. M. Jang, M. G. Kim, and C. H. Chang, Phys. Rev. Lett. 89, 087601 (2002).
12. A. Garg, Z. H. Barber, M. Dawber, J. F. Scott, A. Snedden, and P. Lightfoot, Appl. Phys. Lett. 83, 2414 (2003).
13. T. Kojima, T. Sakai, T. Watanabe, H. Funakubo, K. Saito, and M. Osada, Appl. Phys. Lett. 80, 2746 (2002).
14. P. Tiwari, X. D. Wu, S. R. Foltyn, M. Q. Le, I. H. Campbell, R. C. Dye, and R. E. Muenchausen, Appl. Phys. Lett. 64, 634 (1994).
15. G. Asayama, J. Lettieri, M. A. Zurbuchen, Y. Jia, S. Trolier-McKinstry, D. G. Schlom, S. K. Streiffer, J-P. Maria, S. D. Bu, and C. B. Eom, Appl. Phys. Lett. 80, 2371 (2002).
16. D. Hesse, S. K. Lee, and U. Gösele, Phys. Status Solidi A 202, 2287 (2005).
17. P. C. McIntyre, C. J. Maggiore, and M. Nastasi, J. Appl. Phys. 77, 6201 (1995).
18. K. H. Ahn, S. Baik, and S. S. Kim, J. Mater. Res. 17, 2334 (2002).