Molecular beam epitaxy growth of ZnO using initial Zn layer and MgO buffer layer on Si(111) substrates

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 22, Issue 3, 2004, Pages 1484-1486

  Fujita, Miki ^a   Kawamoto, Noriaki ^a   Sasajima, Masanori ^a   Horikoshi, Yoshiji ^a  

^a NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BINDING ENERGY; FILM GROWTH; LIGHT EMITTING DIODES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; OXIDATION; PHOTOLUMINESCENCE; REFLECTION HIGH ENERGY ELECTRON DIFFRACTION; SAPPHIRE; SEMICONDUCTING SILICON; SUBSTRATES; THERMAL EXPANSION; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

BAND GAP SEMICONDUCTORS; BEAM EQUIVALENT PRESSURE (BEP); FULL WIDTH AT HALF MAXIMUM (FWMH); LAYER DEPOSITION;

ZINC OXIDE;

EID: 3242666208     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1740766     Document Type: Conference Paper

References (23)

1. Y. Segawa, A. Ohtomo, M. Kawasaki, H. Koinuma, Z. K. Tang, P. Yu, and G. K. L. Wong, Phys. Status Solidi B 202, 669 (1997).
2. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, M. Y. Shen, and T. Goto, Appl. Phys. Lett. 73, 1038 (1998).
3. M. A. L. Johnson, S. Fujita, W. H. Rowland, Jr., W. C. Hughes, J. W. Cook, Jr., and J. F. Schetzina, J. Electron. Mater. 25, 855 (1996).
4. Y. Chen, D. M. Bagnall, Z. Zhu, T. Sekiuchi, K.-T. Park, K. Hiraga, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen, and T. Goto, J. Cryst. Growth 181, 165 (1997).
5. A. Ohtomo, K. Tamura, K. Saikusa, K. Takahashi, T. Makino, Y. Segawa, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 75, 2635 (1999).
6. R. D. Vispute, V. Talyansky, S. Choopun, R. P. Shrama, T. Venkatesan, M. He, X. Tang, J. B. Halpern, M. G. Spencer, Y. X. Li, L. G. Salamanca-Riba, A. A. Iliadis, and K. A. Jones, Appl. Phys. Lett. 73, 348 (1998).
7. Th. Gruber, C. Kirchner, and A. Waang, Phys. Status Solidi B 229, 841 (2002).
8. K. Ogata, T. Kawanishi, K. Sakurai, S. W. Kim, K. Maejima, S. Fujita, and S. Fujita, Phys. Status Solidi B 229, 915 (2002).
9. H. Kato, M. Sano, K. Miyamoto, and T. Yao, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L1002 (2003).
10. J. H. Choi, H. Tabata, and T. Kawai, J. Cryst. Growth 266, 493 (2001).
11. K. Iwata, P. Fons, S. Niki, A. Yamada, K. Matsubara, K. Nakahara, T. Tanabe, and H. Takasu, J. Cryst. Growth 214/215, 50 (2000).
12. N. Kawamoto, M. Fujita, T. Tatsumi, and Y. Horikoshi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 7209 (2003).
13. M. Fujita, N. Kawamoto, T. Tatsumi, K. Yamagishi, and Y. Horikoshi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 67 (2003).
14. C. Wigren, J. N. Andersen, R. Nyholm, and U. O. Karlsson, Surf. Sci. 289, 290 (1993).
15. K. S. An, R. J. Park, J. S. Kim, C. Y. Park, S. B. Lee, T. Abukawa, S. Kono, T. Kinoshita, A. Kakizaki, and T. Ishii, J. Appl. Phys. 78, 1151 (1995).
16. O. Madelung: Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, Landolt-Bornstein (Springer, Heidelberg, 1982).
17. J. D. Ye, S. L. Gu, S. M. Zhu, T. Chen, W. Liu, F. Qin, L. Q. Hu, R. Zhang, Y. Shi, and Y. D. Zheng, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 979 (2003).
18. S. J. An, W. I. Park, G. C. Yi, and S. Cho, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 74, 509 (2002).
19. X. Q. Wang, H. Iwaki, M. Murakami, X. L. Du, Y. Ishitani, and A. Yoshikawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L99 (2003).
20. X. Wang, S. Yang, J. Wang, M. Li, X. Jiang, G. Du, X. Liu, and R. P. H. Chang, Opt. Quantum Electron. 34, 883 (2002).
21. H. Alves, D. Pfisterer, A. Zeuner, T. Riemann, J. Christen, D. M. Hormann, and B. K. Meyer, Opt. Mater. (Amsterdam, Neth.) 23, 33 (2003).
22. K. Thonke, Th. Gruber, N. Teofilov, R. Schönfelder, A. Waag, and R. Sauer, Physica B 308-310, 945 (2001).
23. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).