Nonlinear optical response of As+-ion implanted GaAs studied using time resolved reflectivity

Applied Physics Letters

Volumn 68, Issue 23, 1996, Pages 3287-3289

  Janz, S ^a   Akano, Usman G ^b   Mitchell, Ian V ^b  

^a NATIONAL RESEARCH COUNCIL CANADA   (Canada)

^b UNIVERSITY OF WESTERN ONTARIO   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 3142757753     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.116576     Document Type: Article

References (22)

1. A. Claverie, F. Namavar, and Z. Liliental-Weber, Appl. Phys. Lett. AIP 62, 1271 (1992).
2. H. Fujioka, J. Krueger, A. Prasad, X. Liu, E. E. R. Weber, and A. K. Verma, J. Appl. Phys. AIP 78, 1470 (1995).
3. A. C. Warren, J. M. Woodall, J. L. Freeouf, D. Grischkowsky, M. R. Melloch, and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. AIP 57, 1331 (1990).
4. X. Liu, A. Prasad, W. M. Chen, A. Kupriewski, A. Stoschek, Z. Liliental-Weber, and E. M. Weber, Appl. Phys. Lett. AIP 65, 3002 (1994).
5. S. Gupta, M. Y. Frankel, J. A. Valdmanis, J. F. Whitaker, G. A. Mourou, F. W. Smith, and A. R. Calawa, Appl. Phys. Lett. AIP 59, 3276 (1991).
6. G. R. Jacobovitz-Veselka, U. Keller, and M. T. Asom, Opt. Lett. AIP 17, 1791 (1992).
7. S. D. Benjamin, A. Othonos, and P. W. E. Smith, Electron. Lett. INS 30, 1704 (1994).
8. A. C. Warren, J. H. Burroughes, J. M. Woodall, D. T. McInturf, R. T. Hodgson, and M. R. Melloch, IEEE Electron Device Lett. INS 12, 527 (1991).
9. S. Y. Chou, Y. Liu, W. Khalil, T. Y. Hsiang, and S. Alexandrou, Appl. Phys. Lett. AIP 61, 819 (1992).
10. D. D. Nolte, M. R. Melloch, S. J. Ralph, and J. M. Woodall, Appl. Phys. Lett. AIP 61, 3098 (1992).
11. X. Q. Zhou, H. M. van Driel, W. W. Rühle, Z. Gogolak, and K. Ploog, Appl. Phys. Lett. AIP 61, 3020 (1992).
12. A. Krotkus, S. Marcinkevicius, J. Jasinski, M. Kaminska, H. H. Tan, and C. Jagadish, Appl. Phys. Lett. AIP 66, 3304 (1995).
13. S. Janz, M. Buchanan, F. Chatenoud, J. P. Mcaffrey, R. Normandin, U. G. Akano, and I. V. Mitchell, Appl. Phys. Lett. AIP 65, 216 (1994).
14. A. A. Said, M. Sheik-Bahai, D. J. Hagan, T. H. Wei, J. Wang, J. Young, and E. W. van Stryland, J. Opt. Soc. Am. B AIP 9, 405 (1992).
15. J. Shah, B. Deveaud, T. C. Damen, W. T. Tsang, A. C. Gossard, and P. Lugli, Phys. Rev. Lett. AIP 59, 2222 (1987).
16. T. Elseasser, J. Shah, L. Rota, and P. Lugli, Phys. Rev. Lett. AIP 66, 1757 (1991).
17. X. Q. Zhou, G. C. Cho, U. Lemmer, W. Kütt, K. Wolter, and H. Kurz, Solid State Electron. INS 32, 1591 (1989).
18. D. D. Sell, H. C. Casey, Jr., and K. W. Wecht, J. Appl. Phys. AIP 45, 2650 (1974).
19. Y. H. Lee, A. Chavez-Pirson, S. W. Koch, H. M. Gibbs, S. H. Park, J. Morhange, A. Jeffrey, N. Peyghambarian, L. Banyai, A. C. Gossard, and W. Wiegemann, Phys. Rev. Lett. AIP 57, 2246 (1986).
20. Z. Vardeny and J. Tauc, in Semiconductors Probed by Ultrafast Laser Spectroscopy, edited by R. Alfano (Academic, Orlando, 1984), Vol. 2, p. 23.
21. J. Kuhl, E. O. Göbel, Th. Pfeiffer, and A. Jonietz, Appl. Phys. A INS 34, 105 (1984).
22. F. Evangelisti, A. Frova, and J. U. Fischbach, Phys. Rev. Lett. AIP 29, 1001 (1972).