Combined effect of preferential orientation and Zr/Ti atomic ratio on electrical properties of Pb(ZrxTi1-x)O3 thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 96, Issue 1, 2004, Pages 590-595

  Gong, Wen ^a   Li, Jing Feng ^a   Chu, Xiangcheng ^a   Gui, Zhilun ^a   Li, Longtu ^a  

^a TSINGHUA UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CERAMIC MATERIALS; CRYSTAL ORIENTATION; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; DEPOSITION; ELECTRIC FIELD EFFECTS; FERROELECTRICITY; PERMITTIVITY; PEROVSKITE; PIEZOELECTRICITY; SOL-GELS; SPIN COATING; THIN FILMS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

DOMAIN WALL DENSITY; DOMAIN WALL MOTION; MORPHOTROPIC PHASE BOUNDARY (MPB); SEEDING LAYERS;

LEAD COMPOUNDS;

EID: 3142745659     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1759072     Document Type: Article

References (30)

1. M. J. Hoffmann, M. Hammer, A. Endriss, and D. C. Lupascu, Acta Mater. 49, 1301 (2001).
2. M. R. Scares, A. M. R. Senos, and P. Q. Mantas, J. Eur. Ceram. Soc. 19, 1865 (1999).
3. D. V. Taylor and D. Damjanovic, Appl. Phys. Lett. 76, 1615 (2000).
4. W. Gong, J.-F. Li, C. X. Chu, Z. L. Gui, and L. T. Li, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L1459 (2003).
5. J. R. Cheng, W. Y. Zhu, N. Li, and L. E. Cross, J. Appl. Phys. 91, 5997 (2002).
6. H. N. Alshareef, K. R. Bellur, O. Auciello, X. Chen, and A. I. Kingon, Thin Solid Films 252, 38 (1994).
7. Z. H. Mai et al., Supercond. Sci. Technol. 13, 598 (2000).
8. S. M. Ha, W. S. Kim, H. H. Park, and T. S. Kim, Ferroelectrics 263, 1635 (2001).
9. H. Maiwa and N. Ichinose, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 4392 (2003).
10. E. B. Araujo and J. A. Eiras, Ferroelectrics 270, 1237 (2002).
11. M. Es-Souni, M. Abed, C. H. Solterbeck, and A. Piorra, Mater. Sci. Eng., B 94, 229 (2002).
12. N. Ledermann, P. Muralt, J. Baborowski, S. Gentil, K. Mukati, M. Cantoni, A. Seifert, and N. Setter, Sens. Actuators, A 105, 162 (2003).
13. S. Kalpat and K. Uchino, J. Appl. Phys. 90, 2703 (2001).
14. X. J. Meng, J. G. Cheng, J. L. Sun, J. Tan, H. J. Ye, and J. H. Chu, Thin Solid Films 368, 22 (2000).
15. T. Tuchiya, T. Itoh, G. Sasaki, and T. Suga, J. Ceram. Soc. Jpn. 104, 159 (1996).
16. W. Gong, J.-F. Li, X. C. Chu, Z. L. Gui, and L. T. Li, J. Eur. Ceram. Soc. 24, 2977 (2004).
17. S. Sun, Y. M. Wang, P. A. Fuierer, and B. A. Turtle, Integr. Ferroelectr. 23, 25 (1999).
18. K. Tokita, M. Aratani, and H. Funakubo, Appl. Phys. Lett. 81, 898 (2002).
19. T. L. Ren, L. T. Zhang, L. T. Liu, and Z. J. Li, Ferroelectrics 259, 311 (2001).
20. P. Muralt et al., J. Appl. Phys. 83, 3835 (1998).
21. D. S. Fu, H. Suzuki, T. Ogawa, and K. Ishikawa, Appl. Phys. Lett. 80, 3572 (2002).
22. S. H. Oh and H. M. Jang, Appl. Phys. Lett. 72, 1457 (1998).
23. T. L. Ren, L. T. Zhang, L. T. Liu, and Z. J. Li. J. Phys. D 33, L77 (2000).
24. K. M. Lee et al., Integr. Ferroelectr. 48, 171 (2002).
25. H. Suzuki, T. Koizumi, Y. Kondo, and S. Kaneko, J. Eur. Ceram. Soc. 19, 1397 (1999).
26. S. Venkataraj, J. Geurts, H. Weis, O. Kappertz, W. K. Njoroge, R. Jayavel, and M. Wuttig, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 2870 (2001).
27. F. Xu, S. Trolier-McKinstry, W. Ren, B. M. Xu, Z. L. Xie, and K. J. Hemker, J. Appl. Phys. 89, 1336 (2001).
28. X. H. Du, U. Belegundu, and K. Uchino, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 5580 (1997).
29. D. J. Kim, J. P. Maria, A. I. Kingon, and S. K. Streiffer, J. Appl. Phys. 93, 5568 (2003).
30. S. Y. Chen and C. L. Sun, J. Appl. Phys. 90, 2970 (2001).