Effect of p-type activation ambient on acceptor levels in Mg-doped GaN

Journal of Applied Physics

Volumn 96, Issue 1, 2004, Pages 415-419

  Nakano, Yoshitaka ^a   Fujishima, Osamu ^a   Kachi, Tetsu ^a  

^a Rd Management Section   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; ATMOSPHERIC PRESSURE; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CAPACITANCE; CARRIER CONCENTRATION; ELECTRON IRRADIATION; HALL EFFECT; HYDROGEN; LIGHT EMITTING DIODES; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; NITROGEN; RAPID THERMAL ANNEALING; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; SEMICONDUCTOR DOPING;

ACCEPTOR LEVELS; DEVICE FABRICATION; HOLE EMISSION RATES; THERMAL ADMITTANCE SPECTROSCOPY;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 3142705135     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1755856     Document Type: Article

References (28)

1. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. S. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
2. T. P. Chow and R. Tyagi, IEEE Trans. Electron Devices 41, 1481 (1994).
3. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L2112 (1989).
4. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L139 (1992).
5. W. Götz, N. M. Johnson, J. Walker, D. P. Bour, and R. A. Street, Appl. Phys. Lett. 68, 667 (1996).
6. J. W. Huang, T. F. Kuech, H. Lu, and I. Bhat, Appl. Phys. Lett. 68, 2392 (1996).
7. W. Götz, N. M. Johnson, and D. P. Bour, Appl. Phys. Lett. 68, 3470 (1996).
8. J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, A. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 69, 1474 (1996).
9. A. Krtschil, H. Witte, M. Lisker, J. Christen, U. Birkle, S. Einfeldt, and D. Hommel, J. Appl. Phys. 84, 2040 (1998).
10. P. Kozodoy, H. Xing, S. P. Denbaars, U. Mishra, A. Saxler, R. Perrin, S. Elhamri, and W. C. Mitchel, J. Appl. Phys. 87, 1832 (2000).
11. D. J. Kim, D. Y. Ryu, N. A. Bojarczuk, J. Karasinski, S. Guha, S. H. Lee, and J. H. Lee, J. Appl. Phys. 88, 2564 (2000).
12. D. Seghier and H. P. Gislason, J. Appl. Phys. 88, 6483 (2000).
13. R. Y. Korotkov, J. M. Gregie, and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 78, 222 (2001).
14. E. Litwin-Staszewska et al., J. Appl. Phys. 89, 7960 (2001).
15. N. D. Nguyen, M. Germain, M. Schmeits, B. Schineller, and M. Heuken, J. Appl. Phys. 90, 985 (2001).
16. Y. Nakano and T. Kachi, Appl. Phys. Lett. 79, 1631 (2001).
17. Y. Nakano and T. Jimbo, J. Appl. Phys. 92, 5590 (2002).
18. M. G. Cheong, K. S. Kim, C. S. Kim, R. J. Choi, H. S. Yoon, N. W. Namgung, and E.-K. Suh, Appl. Phys. Lett. 80, 1001 (2002).
19. K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi, J. Appl. Phys. 93, 3370 (2003).
20. J.-K. Ho, C.-S. Jong, C. C. Chiu, C.-N. Huang, K. K. Shih, L. C. Chen, F. R. Chen, and J. J. Kai, J. Appl. Phys. 86, 4491 (1999).
21. Y. Koide, T. Maeda, T. Kawakami, S. Fujita, T. Uemura, N. Shibata, and M. Murakami, J. Electron. Mater, 28, 341 (1999).
22. L. C. Chen et al., J. Appl. Phys. 86, 3826 (1999).
23. B. A. Hull, S. E. Mohney, H. S. Venugopalan, and J. C. Ramer, Appl. Phys. Lett. 76, 2271 (2000).
24. S. H. Chung, M. Lachab, T. Wang, Y. Lacroix, D. Basak, Q. Fareed, Y. Kawakami, K. Nishini, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 4749 (2000).
25. T.-C. Wen, S.-C. Lee, W.-I. Lee, T.-Y. Chen, S.-H. Chan, and J.-S. Tsang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L495 (2001).
26. H. H. Tippins, Phys. Rev. 140, 316 (1965).
27. Y. Nakano and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 82, 218 (2003).
28. Y. Nakano, T. Kachi, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 83, 4336 (2003).