Resonant tunneling in nanocolumns improved by quantum collimation

Nano Letters

Volumn 5, Issue 12, 2005, Pages 2470-2475

  Wensorra, Jakob ^a   Indlekofer, Klaus Michael ^a   Lepsa, Mihail Ion ^a   Förster, Arno ^a,b   Luth, Hans ^a  

^a FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH   (Germany)

^b AACHEN UNIVERSITY OF APPLIED SCIENCES   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

LITHOGRAPHY; NANOSTRUCTURED MATERIALS;

MBE-GROWN NANODEVICES; QUANTUM COLLIMATION; SCALING PROPERTIES; SURFACE DEPLETION REGIONS IN ALAS/GAAS NANOCOLUMNS;

RESONANT TUNNELING;

ALUMINUM DERIVATIVE; GALLIUM; GALLIUM ARSENIDE; NANOMATERIAL; ORGANOARSENIC DERIVATIVE;

ARTICLE; CHEMICAL MODEL; CHEMISTRY; COMPUTER SIMULATION; CONFORMATION; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTROCHEMISTRY; MATERIALS TESTING; METHODOLOGY; QUANTUM THEORY;

ALUMINUM COMPOUNDS; ARSENICALS; COMPUTER SIMULATION; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTROCHEMISTRY; GALLIUM; MATERIALS TESTING; MODELS, CHEMICAL; MOLECULAR CONFORMATION; NANOSTRUCTURES; QUANTUM THEORY;

EID: 30644478390     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl051781a     Document Type: Article

References (26)

1. Auth, C. P.; Plummer, J. D. IEEE Electron Dev. Lett. 1997, 18, 74.
2. Hiruma, K.; Yazawa, M.; Katsuyama, T.; Ogawa, K.; Haraguchi, K.; Koguchi, M.; Kakibayashi, H. J. Appl. Phys. 1995, 77, 447.
3. Cui, Y.; Zhong, Z.; Wang, D.; Wang, W.; Lieber, C. Nano Lett. 2003, 3, 149.
4. Björk, M. T.; Ohlsson, B. J.; Thelander, C.; Persson, A. I.; Deppert, K.; Wellenberg, L. R.; Samuelson, L. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 4458.
5. Samuelson, L.; Thelander, C.; Björk, M. T.; Borgström, M.; Deppert, K.; Dick, K. A.; Hansen, A. E.; Martensson, T.; Panev, N.; Persson, A. I.; Seifert, W.; Skold, N.; Larsson, L. R.; Wallenberg, L. R. Physica E 2004, 25, 313.
6. Bakkers, E. P. A. M.; van Dam, J. A.; De Franceschi, S.; Kouwenhoven, L. P.; Kaiser, M.; Verheijen, M.; Wondergem, H.; van der Sluis, P. Nat. Mater. 2004, 3, 769.
7. Calarco, R.; Marso, M.; Richter, T.; Aykanat, A. I.; Meijers, R.; van der Hart A.; Stoica, T.; Lüth, H. Nano Lett. 2005, 5, 981.
8. Reed, M. A.; Randall, R. J.; Aggarwal, R. J.; Matyi, R. J.; Moore, T. M. ; Wetsel, A. E. Phys. Rev. Lett. 1988, 60, 535.
9. Tewordt, M.; Law, V. J.; Kelly, M. J.; Newbury, R.; Pepper, M.; Peacock, D. C.; Frost, J. E. F.; Ritchie, D. A.; Jones, G. A. C. J. Phys.: Condens. Matter 1990, 2, 8969.
10. Su, B.; Goldman, V. J.; Santos, M.; Shayegan, M. Appl. Phys. Lett. 1991, 58, 747.
11. Schmidt, T.; Tewordt, M.; Blick, R. H.; Haug, R. J.; Pfannkuche, D.; von Klitzing, K.; Förster, A.; Lüth, H. Phys. Rev. B 1995, 51, 5570.
12. Beton, P. H.; Dellow, M. W.; Main, P. C.; Foster, T. J.; Eaves, L.; Jezierski, A. F.; Henini, M.; Beaumont, S. P.; Wilkinson, C. D. W. Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 2508.
13. Guéret, P.; Blanc, N.; Germann, R.; Rothuizen, H. Phys. Rev. Lett. 1992, 68, 1896.
14. Goodings, C.; Mizuta, H.; Cleaver, J. R. A.; Ahmed, H. J. Appl. Phys. 1994, 76, 1276.
15. Austing, D. G.; Honda, T.; Tarucha, S. Semicond. Sci. Technol. 1996, 11, 388.
16. Griebel, M.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H. J. Appl. Phys. 1998, 84, 6718.
17. Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H. Physica B 2002, 314, 499.
18. Chang, L. L.; Esaki, L.; Tsu, R. Appl. Phys. Lett. 1974, 24, 593.
19. Patkar, M. P.; Chin, T. P.; Woodall, J. M.; Lundstrom, M. S.; Melloch, M. R. Appl. Phys. Lett. 1995, 66, 1412.
20. Chen, N.-P.; Ueng, H. J.; Janes, D. B.; Woodall, J. M.; Melloch, M. R. J. Appl. Phys. 2000, 88, 309.
21. Namatsu, H.; Takahashi, Y.; Yamazaki, K.; Yamaguchi, M.; Nagase, T.; Kurihara, K. J. Vac. Sci. Technol., B 1998, 16, 69.
22. Trellenkamp, S.; Moers, J.; van der Hart, A.; Kordoš, P.; Lüth, H. Microelectron. Eng. 2003, 67-68, 376.
23. Lee, H.-J.; Goo, J.; Kim, S.-H.; Hong, J.-G.; Lee, H.-D.; Kang, H.-K.; Lee, S.-I.; Lee, M. Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2000, 39, 3924.
24. Atlas/Blaze, SILVACO International, 2005.
25. Büttiker, M. Phys. Rev. B 1990, 41, 7906.
26. Topinka, M. A.; LeRoy, B. J.; Shaw, S. E. J.: Heller, E. J.; Wetervelt, R. M.; Maranowski, K. D.; Gossard, A. C. Science 2000, 289, 2323.