Current issues in the physics of heavily doped semiconductors at the metal-insulator transition

Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences

Volumn 356, Issue 1735, 1998, Pages 139-155

  Von Lohneysen H ^a  

^a UNIVERSITY OF KARLSRUHE   (Germany)

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Critical behaviour; Doped semiconductors; Electronic transport properties; Hall constant; Localized magnetic moments

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EID: 3042948602     PISSN: 1364503X     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1098/rsta.1998.0154     Document Type: Article

References (58)

1. Abrahams, E., Anderson, P. W., Licciardello, D. C. & Ramakrishnan, T. V. 1979 Phys. Rev. Lett. 42, 673.
2. Alloul, H. & Dellouve, P. 1978 Phys. Rev. Lett. 59, 578.
3. Belitz, D. & Kirkpatrick, T. R. 1994 Rev. Mod. Phys. 66, 261.
4. Bhatt, R. N. & Fischer, D. S. 1992 Phys. Rev. Lett. 68, 3072.
5. Bhatt, R. N. & Lee, P. A. 1982 Phys. Rev. Lett. 48, 344.
6. Bhatt, R. N. & Rice, T. M. 1981 Phys. Rev. B 23, 1920.
7. Blaschette, A., Ruzzu, A., Wagner, S. & von Löhneysen, H. 1996 Europhys. Lett. 36, 527.
8. Castner, T. G. 1994 Phys. Rev. Lett. 73, 3600.
9. Castner, T. G. 1995 Phys. Rev. B 52, 12434.
10. Dai, P., Zhang, Y. & Sarachik, M. P. 1993 Phys. Rev. Lett. 70, 1968.
11. Dai, P., Zhang, Y. & Sarachik, M. P. 1994 Phys. Rev. B 49, 14039.
12. Dai, P., Bogdanovich, S., Zhang, Y. & Sarachik, M. P. 1995 Phys. Rev. B 52, 12439.
13. Dobrosavljević, V. & Kotliar, G. 1993 Phys. Rev. Lett. 71, 3218.
14. Field, S. B. & Rosenbaum, T. F. 1985 Phys. Rev. Lett. 55, 522.
15. Gaymann, A., Geserich, H. P. & von Löhneysen, H. 1993 Phys. Rev. Lett. 71, 3681.
16. Gaymann, A., Geserich, H. P. & von Löhneysen, H. 1995 Phys. Rev. B 52, 16486.
17. Hornung, M., Ruzzu, A., Schlager, H. G., Stupp, H. & von Löhneysen, H. 1994 Europhys. Lett. 28, 43.
18. Kobayashi, N., Ikehata, S., Kobayashi, S. & Sasaki, W. 1977 Solid State Commun. 24, 67.
19. Koon, D. W. & Castner, T. G. 1988 Phys. Rev. Lett. 60, 1755.
20. Lakner, M. & von Löhneysen, H. 1989 Phys. Rev. Lett. 63, 648.
21. Lakner, M. & von Löhneysen, H. 1993 Phys. Rev. Lett. 70, 3475.
22. Lakner, M., von Löhneysen, H., Langenfeld, A. & Wölfle, P. 1994 Phys Rev. B 50, 17064.
23. Langenfeld, A. & Wölfle, P. 1995 Ann. Phys. 4, 43.
24. Lee, P. A. & Ramakrishnan, T. V. 1985 Rev. Mod. Phys. 57, 287.
25. Liu, X., Sidorenko, A., Wagner, S., Ziegler, P. & von Löhneysen, H. 1996 Phys. Rev. Lett. 77, 3395.
26. Madel, O., Schlager, H. G. & von Löhneysen, H. 1997 Z. Phys. B102, 473.
27. Maki, K. 1969 Prog. Theor. Phys. 41, 586.
28. Marko, J. R., Harrison, J. P. & Quirt, J. D. 1974 Phys. Rev. B10, 2448.
29. Milovanovic, M., Sachdev, S. & Bhatt, R. N. 1989 Phys. Rev. Lett. 63, 82.
30. Mott, N. F. 1990 Metal-insulator transitions. London: Taylor & Francis.
31. Mott, N. F & Davis, E. A. 1979 Electronic processes in non-crystalline materials, 2nd edn. Oxford: Clarendon.
32. Norton, P. 1976 Phys. Rev. Lett. 37, 164.
33. Ootuka, Y. & Matsunaga, N. 1990 J. Phys. Soc. Jpn. 59, 1801.
34. Paalanen, M. A., Rosenbaum, T. F., Thomas, G. A. & Bhatt, R. N. 1982 Phys. Rev. Lett. 48, 1284.
35. Paalanen, M. A., Sachdev, S., Bhatt, R. N. & Ruckenstein, A. E. 1986 Phys. Rev. Lett. 57, 2061.
36. Rosenbaum, T. F., Andres, K., Thomas, G. A. & Bhatt, R. N. 1980 Phys. Rev. Lett. 45, 1723.
37. Rosenbaum, T. F., Milligan, R. F., Paalanen, M. A., Thomas, G. A., Bhatt, R. N. & Lin, W. 1983 Phys. Rev. B 27, 7509.
38. Rosenbaum, T. F., Thomas, G. A. & Paalanen, M. A. 1994 Phys. Rev. Lett. 72, 2121.
39. Roy, A. & Sarachik, M. P. 1988 Phys. Rev. B 37, 5531.
40. Sarachik, M. P. 1995 In Metal-insulator transitions revisited (ed. P. P. Edwards & C. N. R. Rao), p. 79. London: Taylor & Francis.
41. Schlager, H. G. & von Löhneysen, H. 1998 Europhys. Lett. (In the press.)
42. Shlimak, I., Kaveh, M., Ussyshkin, R., Ginodman, V. & Resnick, L. 1996 Phys. Rev. Lett. 77, 1103.
43. Stupp, H., Hornung, M., Lakner, M., Madel, O. & von Löhneysen, H. 1993 Phys. Rev. Lett. 71, 2634.
44. Stupp, H., Hornung, M., Lakner, M., Madel, O. & von Löhneysen, H. 1994a Phys. Rev. Lett. 72, 2122.
45. Stupp, H., Hornung, M., Lakner, M., Madel, O. & von Löhneysen, H. 1994b Phys. Rev. Lett. 73, 3601.
46. Thomas, G. A. 1985 Phil. Mag. B 52, 479.
47. Thomas, G. A., Paalanen, M. A. & Rosenbaum, T. F. 1983 Phys. Rev. B 27, 3897.
48. Thomas, G. A., Capizzi, M., DeRosa, F., Bhatt, R. N. & Rice, T. M. 1981 Phys. Rev. B 23, 5472.
49. Trappmann, T., Sürgers, C. & von Löhneysen, H. 1997 Europhys. Lett. 38, 177.
50. von Löhneysen, H. 1990 Festkörperprobleme/Adv. Solid State Phys. 30, 95.
51. von Löhneysen, H. & Welsch, M. 1991 Phys. Rev. B 44, 9045.
52. Wagner, S., Lakner, M. & von Löhneysen, H. 1997 Phys. Rev. B 55, 4219.
53. Wang, X.-F., Wang, Z., Kotliar, G. & Castellani, C. 1992 Phys. Rev. Lett. 68, 2504.
54. Ziegler, P., Lakner, M. & von Löhneysen, H. 1996 Europhys. Lett. 33, 285.
55. Liu, Y., McGreer, K. A., Nease, B., Haviland, D. B., Martinez, G., Halley, J. W. & Goldman, A. M. 1991 Scaling of the insulator-to-superconductor transition in ultrathin amorphous Bi films. Phys. Rev. Lett. 67, 2068-2071.
56. Kravchenko, S. V., Kravchenko, G. V., Furneaux, J. E., Pudalov, V. M. & Dioro, M. 1994 Possible metal-insulator transition at B = 0 in 2 dimensions. Phys. Rev. B 50, 8039-8042.
57. Kravchenko, S. V., Mason, W. E., Bowker, G. E., Furneaux, J. E., Pudalov, V. M. & Dioro, M. 1995 Scaling of an anomalous metal-insulator transition in a 2-dimensional system in silicon at B = 0. Phys. Rev. B 51, 7038-7045.
58. Kravchenko, S. V., Simonian, D., Sarachik, M. P., Mason, W. E. & Furneaux, J. E. 1996 Electricfield scaling at a B = 0 metal-insulator transition in 2 dimensions. Phys. Rev. Lett. 77, 4938-4941.