Growth and characterization of bulk GaN crystals at high pressure and high temperature

Materials Research Society Symposium - Proceedings

Volumn 798, Issue , 2003, Pages 275-280

  D'Evelyn, M P ^a   Narang, K J ^a   Park, D S ^a   Hong, H C ^a   Barber, M ^a   Tysoe, S A ^a   Leman, J ^a   Balch, J ^a   Lou, V L ^a   LeBoeuf, S F ^a   Gao, Y ^a   Teetsov, J A ^a   Codella, P J ^a   Tavernier, P R ^b   Clarke, D R ^b   Molnar, R J ^c  

^a GE GLOBAL RESEARCH   (United States)

^b University of California   (United States)

^c MIT LINCOLN LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTALLIZATION; CRYSTALS; DIAMOND CUTTING TOOLS; DIAMONDS; HIGH PRESSURE EFFECTS; HIGH TEMPERATURE APPLICATIONS; LIGHT EMITTING DIODES; SAPPHIRE; SUBSTRATES; ULTRAVIOLET RADIATION; VAPOR PHASE EPITAXY;

DIAMOND CRYSTALS; DISLOCATION DENSITIES; SAPPHIRE SUBSTRATES;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 2942659606     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1557/proc-798-y2.3     Document Type: Conference Paper

References (37)

1. T. Mukai and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 5735 (1999); T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 79, 711 (2001); A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, S. R. Darvish, H. Zhang, P. Kung, M. Razeghi, S. K. Lee, and J. Y. Han, Appl. Phys. Lett. 81, 2151 (2002); S. Yu Karpov and Y. N. Makarov, Appl. Phys. Lett. 81, 4721 (2002).
2. T. Mukai and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 5735 (1999); T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 79, 711 (2001); A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, S. R. Darvish, H. Zhang, P. Kung, M. Razeghi, S. K. Lee, and J. Y. Han, Appl. Phys. Lett. 81, 2151 (2002); S. Yu Karpov and Y. N. Makarov, Appl. Phys. Lett. 81, 4721 (2002).
3. T. Mukai and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 5735 (1999); T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 79, 711 (2001); A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, S. R. Darvish, H. Zhang, P. Kung, M. Razeghi, S. K. Lee, and J. Y. Han, Appl. Phys. Lett. 81, 2151 (2002); S. Yu Karpov and Y. N. Makarov, Appl. Phys. Lett. 81, 4721 (2002).
4. T. Mukai and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 5735 (1999); T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 79, 711 (2001); A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, S. R. Darvish, H. Zhang, P. Kung, M. Razeghi, S. K. Lee, and J. Y. Han, Appl. Phys. Lett. 81, 2151 (2002); S. Yu Karpov and Y. N. Makarov, Appl. Phys. Lett. 81, 4721 (2002).
5. S. Nakamura, MRS Bulletin, May 1998, 37; S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku, T. Kozaki, M. Sano, H. Matsumura, H. Umemoto, K. Chocho, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L647 (2000).
6. S. Nakamura, MRS Bulletin, May 1998, 37; S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku, T. Kozaki, M. Sano, H. Matsumura, H. Umemoto, K. Chocho, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L647 (2000).
7. H. P. Maruska and J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett. 15, 327 (1969); R. J. Molnar, in Gallium Nitride II, ed. J. I. Pankove and T. D. Moustakas, Semiconductors and Semimetals, Vol. 57 (Academic Press, San Diego, 1999).
8. H. P. Maruska and J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett. 15, 327 (1969); R. J. Molnar, in Gallium Nitride II, ed. J. I. Pankove and T. D. Moustakas, Semiconductors and Semimetals, Vol. 57 (Academic Press, San Diego, 1999).
9. K. Y. Lee and K. H. Auh, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L13 (2001); K. Motoki, T. Okahisa, N. Matsumoto, M. Matsushima, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, T. Hirano, M. Nakayama, S. Nakahata, M. Ueno, D. Hara, Y. Kumagai, A. Koukitu, and H. Seki, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L140 (2001); R. P. Vaudo, X. Xu, C. Loria, A. D. Salant, J. S. Flynn, and G. R. Brandes, Phys. Stat. Sol. (a) 194, 494 (2002).
10. K. Y. Lee and K. H. Auh, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L13 (2001); K. Motoki, T. Okahisa, N. Matsumoto, M. Matsushima, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, T. Hirano, M. Nakayama, S. Nakahata, M. Ueno, D. Hara, Y. Kumagai, A. Koukitu, and H. Seki, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L140 (2001); R. P. Vaudo, X. Xu, C. Loria, A. D. Salant, J. S. Flynn, and G. R. Brandes, Phys. Stat. Sol. (a) 194, 494 (2002).
11. K. Y. Lee and K. H. Auh, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L13 (2001); K. Motoki, T. Okahisa, N. Matsumoto, M. Matsushima, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, T. Hirano, M. Nakayama, S. Nakahata, M. Ueno, D. Hara, Y. Kumagai, A. Koukitu, and H. Seki, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L140 (2001); R. P. Vaudo, X. Xu, C. Loria, A. D. Salant, J. S. Flynn, and G. R. Brandes, Phys. Stat. Sol. (a) 194, 494 (2002).
12. S. Porowski, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G1.3 (1999).
13. T. Inoue, Y. Seki, O. Oda, S. Kurai, Y. Yamada, and T. Taguchi, Phys. Stat. Sol. (b) 223, 15 (2001); D. R. Gilbert, A. Novikov, N. Patrin, J. S. Budai, F. Kelly, R. Chodelka, R. Abbaschian, S. J. Pearton, and R. Singh, Appl. Phys. Lett. 77, 4172 (2000).
14. T. Inoue, Y. Seki, O. Oda, S. Kurai, Y. Yamada, and T. Taguchi, Phys. Stat. Sol. (b) 223, 15 (2001); D. R. Gilbert, A. Novikov, N. Patrin, J. S. Budai, F. Kelly, R. Chodelka, R. Abbaschian, S. J. Pearton, and R. Singh, Appl. Phys. Lett. 77, 4172 (2000).
15. M. Aoki, H. Yamane, M. Shimada, S. Sarayama, and F. J. DiSalvo, Cryst. Growth Design 1, 119 (2001); V. Soukhoveev, V. Ivantsov, Yu. Melnik, A. Davydov, D. Tsvetkov, K. Tsvetkova, I. Nikitina, A. Zubrilov, A. Lavrentiev, and V. Dmitriev, Phys. Stat. Sol. (a) 188, 411 (2001); F. Kawamura, T. Iwahashi, K. Omae, M. Morishita, M. Yoshimura, Y. Mori, and T. Sasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 42, L4 (2003).
16. M. Aoki, H. Yamane, M. Shimada, S. Sarayama, and F. J. DiSalvo, Cryst. Growth Design 1, 119 (2001); V. Soukhoveev, V. Ivantsov, Yu. Melnik, A. Davydov, D. Tsvetkov, K. Tsvetkova, I. Nikitina, A. Zubrilov, A. Lavrentiev, and V. Dmitriev, Phys. Stat. Sol. (a) 188, 411 (2001); F. Kawamura, T. Iwahashi, K. Omae, M. Morishita, M. Yoshimura, Y. Mori, and T. Sasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 42, L4 (2003).
17. M. Aoki, H. Yamane, M. Shimada, S. Sarayama, and F. J. DiSalvo, Cryst. Growth Design 1, 119 (2001); V. Soukhoveev, V. Ivantsov, Yu. Melnik, A. Davydov, D. Tsvetkov, K. Tsvetkova, I. Nikitina, A. Zubrilov, A. Lavrentiev, and V. Dmitriev, Phys. Stat. Sol. (a) 188, 411 (2001); F. Kawamura, T. Iwahashi, K. Omae, M. Morishita, M. Yoshimura, Y. Mori, and T. Sasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 42, L4 (2003).
18. R. Dwiliński, R. Doradziński, J. Garczyński, L. Sierzputowski, J. M. Baranowski, and M. Kamińska, Diamond Relat. Mater. 7, 1348 (1998); D. R. Ketchum and J. W. Kolis, J. Cryst. Growth 222, 431 (2001); A. P. Purdy, Chem. Mater. 11, 1648 (1999); C. Collado, G. Demazeau, B. Berdeu, A. Largeteau, J.-C. Garcia, J.-L. Guyaux, and J. Massies, C. R. Acad. Sci. Paris, 2, Série II c, 483 (1999).
19. R. Dwiliński, R. Doradziński, J. Garczyński, L. Sierzputowski, J. M. Baranowski, and M. Kamińska, Diamond Relat. Mater. 7, 1348 (1998); D. R. Ketchum and J. W. Kolis, J. Cryst. Growth 222, 431 (2001); A. P. Purdy, Chem. Mater. 11, 1648 (1999); C. Collado, G. Demazeau, B. Berdeu, A. Largeteau, J.-C. Garcia, J.-L. Guyaux, and J. Massies, C. R. Acad. Sci. Paris, 2, Série II c, 483 (1999).
20. R. Dwiliński, R. Doradziński, J. Garczyński, L. Sierzputowski, J. M. Baranowski, and M. Kamińska, Diamond Relat. Mater. 7, 1348 (1998); D. R. Ketchum and J. W. Kolis, J. Cryst. Growth 222, 431 (2001); A. P. Purdy, Chem. Mater. 11, 1648 (1999); C. Collado, G. Demazeau, B. Berdeu, A. Largeteau, J.-C. Garcia, J.-L. Guyaux, and J. Massies, C. R. Acad. Sci. Paris, 2, Série II c, 483 (1999).
21. R. Dwiliński, R. Doradziński, J. Garczyński, L. Sierzputowski, J. M. Baranowski, and M. Kamińska, Diamond Relat. Mater. 7, 1348 (1998); D. R. Ketchum and J. W. Kolis, J. Cryst. Growth 222, 431 (2001); A. P. Purdy, Chem. Mater. 11, 1648 (1999); C. Collado, G. Demazeau, B. Berdeu, A. Largeteau, J.-C. Garcia, J.-L. Guyaux, and J. Massies, C. R. Acad. Sci. Paris, 2, Série II c, 483 (1999).
22. P. R. Tavernier and D. R. Clarke, J. Am. Ceram. Soc. 85, 49 (2002).
23. S. Vagarali, M. Lee, and R. C. DeVries, J. Hard Mater. 1, 233 (1990).
24. L. Haar and J. S. Gallagher, J. Phys. Chem. Ref. Data 7, 635 (1978).
25. M. Aoki, H. Yamane, M. Shimada, T. Kajiwara, S. Sarayama, and F. J. DiSalvo, Cryst. Growth Design 2, 55 (2002).
26. J. L. Weyher, S. Müller, I. Grzegory, and S. Porowski, J. Cryst. Growth 182, 17 (1997); F. Karouta, J. L. Weyher, B. Jacobs, G. Nowak, A. Presz, I. Grzegory, and L. M. F. Kaufmann, J. Electronic Mater. 28, 1448 (1999).
27. J. L. Weyher, S. Müller, I. Grzegory, and S. Porowski, J. Cryst. Growth 182, 17 (1997); F. Karouta, J. L. Weyher, B. Jacobs, G. Nowak, A. Presz, I. Grzegory, and L. M. F. Kaufmann, J. Electronic Mater. 28, 1448 (1999).
28. P. Perlin, C. Jauberthie-Carillon, J. P. Itie, A. San Miguel, I. Grzegory, and A. Polian, Phys. Rev. B 45, 83 (1992); H. Siegle, L. Eckey, A. Hoffmann, C. Thomsen, B. K. Meyer, D. Schikora, M. Hankeln, and K. Lischka, Solid State Commun 96, 943 (1995); J. A. Freitas, Jr., G. C. B. Braga, W. J. Moore, J. G. Tischler, J. C. Culbertson, M, Fatemi, S. S. Park, S. K. Lee, and Y. Park, J. Cryst. Growth 231, 322 (2001); E. Oh, S. K. Lee, S. S. Park, K. Y. Lee, I. J. Song, and J. Y. Han, Appl. Phys. Lett. 78, 273 (2001).
29. P. Perlin, C. Jauberthie-Carillon, J. P. Itie, A. San Miguel, I. Grzegory, and A. Polian, Phys. Rev. B 45, 83 (1992); H. Siegle, L. Eckey, A. Hoffmann, C. Thomsen, B. K. Meyer, D. Schikora, M. Hankeln, and K. Lischka, Solid State Commun 96, 943 (1995); J. A. Freitas, Jr., G. C. B. Braga, W. J. Moore, J. G. Tischler, J. C. Culbertson, M, Fatemi, S. S. Park, S. K. Lee, and Y. Park, J. Cryst. Growth 231, 322 (2001); E. Oh, S. K. Lee, S. S. Park, K. Y. Lee, I. J. Song, and J. Y. Han, Appl. Phys. Lett. 78, 273 (2001).
30. P. Perlin, C. Jauberthie-Carillon, J. P. Itie, A. San Miguel, I. Grzegory, and A. Polian, Phys. Rev. B 45, 83 (1992); H. Siegle, L. Eckey, A. Hoffmann, C. Thomsen, B. K. Meyer, D. Schikora, M. Hankeln, and K. Lischka, Solid State Commun 96, 943 (1995); J. A. Freitas, Jr., G. C. B. Braga, W. J. Moore, J. G. Tischler, J. C. Culbertson, M, Fatemi, S. S. Park, S. K. Lee, and Y. Park, J. Cryst. Growth 231, 322 (2001); E. Oh, S. K. Lee, S. S. Park, K. Y. Lee, I. J. Song, and J. Y. Han, Appl. Phys. Lett. 78, 273 (2001).
31. P. Perlin, C. Jauberthie-Carillon, J. P. Itie, A. San Miguel, I. Grzegory, and A. Polian, Phys. Rev. B 45, 83 (1992); H. Siegle, L. Eckey, A. Hoffmann, C. Thomsen, B. K. Meyer, D. Schikora, M. Hankeln, and K. Lischka, Solid State Commun 96, 943 (1995); J. A. Freitas, Jr., G. C. B. Braga, W. J. Moore, J. G. Tischler, J. C. Culbertson, M, Fatemi, S. S. Park, S. K. Lee, and Y. Park, J. Cryst. Growth 231, 322 (2001); E. Oh, S. K. Lee, S. S. Park, K. Y. Lee, I. J. Song, and J. Y. Han, Appl. Phys. Lett. 78, 273 (2001).
32. G. Irmer, V. V. Toporov, H. H. Bairamov, and J. Monecke, Phys. Stat. Solidi (b) 119, 595 (1983); T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, Y. Taga, M. Hashimoto, N. Koide, and K. Manabe, J. Appl. Phys. 75, 1098 (1994); M. Klose, R. Dassow, M. Gross, and H. Schroder, J. Cryst. Growth 189/190, 666 (1998).
33. G. Irmer, V. V. Toporov, H. H. Bairamov, and J. Monecke, Phys. Stat. Solidi (b) 119, 595 (1983); T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, Y. Taga, M. Hashimoto, N. Koide, and K. Manabe, J. Appl. Phys. 75, 1098 (1994); M. Klose, R. Dassow, M. Gross, and H. Schroder, J. Cryst. Growth 189/190, 666 (1998).
34. G. Irmer, V. V. Toporov, H. H. Bairamov, and J. Monecke, Phys. Stat. Solidi (b) 119, 595 (1983); T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, Y. Taga, M. Hashimoto, N. Koide, and K. Manabe, J. Appl. Phys. 75, 1098 (1994); M. Klose, R. Dassow, M. Gross, and H. Schroder, J. Cryst. Growth 189/190, 666 (1998).
35. S. J. Rosner, E. C. Carr, M. J. Ludowise, G. Girolami, and H. I. Erikson; Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997); T. Sugahara, H. Sato, M. Hao, Y. Naoi, S. Kurai, S. Tottori, K. Yamashita, K. Nishino, L. T. Ramano, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L398 (1998).
36. S. J. Rosner, E. C. Carr, M. J. Ludowise, G. Girolami, and H. I. Erikson; Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997); T. Sugahara, H. Sato, M. Hao, Y. Naoi, S. Kurai, S. Tottori, K. Yamashita, K. Nishino, L. T. Ramano, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L398 (1998).
37. T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, and M. Ikeda, Appl. Phys. Lett. 76, 3421 (2000).