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Volumn 19, Issue 1, 2006, Pages 1-8

Properties of hydrostatically extruded in situ MgB2 wires doped with SiC

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DEFORMATION; EXTRUSION; FORMING; SEMICONDUCTOR DOPING; SILICON CARBIDE; SINTERING;

EID: 29244463037     PISSN: 09532048     EISSN: 13616668     Source Type: Journal    
DOI: 10.1088/0953-2048/19/1/001     Document Type: Article
Times cited : (31)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.