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Volumn 54, Issue 11, 2005, Pages 5450-5454

Residual stress in the GaN epitaxial film prepared by in situ SiNx deposition

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GaN; In situ SiNx deposition; Photoluminescence; Raman; Residual stress

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EID: 27944484494     PISSN: 10003290     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.