A selective electrochemical approach to carbon nanotube field-effect transistors

Nano Letters

Volumn 4, Issue 5, 2004, Pages 827-830

  Balasubramanian, Kannan ^a   Sordan, Roman ^a   Burghard, Marko ^a   Kern, Klaus ^a  

^a MAX PLANCK INSTITUT FÜR FESTKÖRPERFORSCHUNG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ADSORPTION KINETICS; ARTICLE; COVALENT BOND; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRICITY; ELECTROCHEMISTRY; FIELD EMISSION; QUANTUM YIELD; SEMICONDUCTOR; TRANSPORT KINETICS;

EID: 2642522068     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl049806d     Document Type: Article

References (24)

1. Saito, R.; Dresselhaus, G.; Dresselhaus, M. S. Physical Properties of Carbon Nanotubes; Imperial College Press: London, 1998.
2. Tans, S. J.; Verschueren, A. R. M.; Dekker, C. Nature 1998, 393, 49-52.
3. Martel, R.; Schmidt, T.; Shea, H. R.; Hertel, T.; Avouris, Ph. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2447-2449.
4. Avouris, Ph.; Appenzeller, J.; Martel, R.; Wind, S. J. Proc. IEEE 2003, 91, 1772-1784.
5. Fuhrer, M. S.; Kim, B. M.; Dürkop, T.; Brintlinger, T. Nano Lett. 2002, 2, 755-759.
6. Javey, A.; Guo, J.; Wang, Q.; Lundstrom, M.; Dai, H. Nature 2003, 424, 654-657.
7. Chattopadhyay, D.; Galeska, I.; Papadimitrakopoulos, F. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 3370-3375.
8. Zheng, M.; Jagota, A.; Semke, E. D.; Diner, B. A.; McLean, R. S.; Lustig, S. R.; Richardson, R. E.; Tassi, N. G. Nature Materials 2003, 2, 338-342.
9. Chen, Z.; Du, X.; Du, M.-H.; Rancken, C. D.; Cheng, H.-P.; Rinzler, A. G. Nano Lett. 2003, 3, 1245-1249.
10. Krupke, R.; Hennrich, F.; Löhneysen, H. v.; Kappes, M. M. Science 2003, 301, 344-347.
11. Collins, P. G.; Arnold, M. S.; Avouris, Ph. Science 2001, 292, 706-709.
12. Kooi, S. E.; Schlecht, U.; Burghard, M.; Kern, K. Angew. Chem., Int. Ed. 2002, 41, 1353-1355.
13. Balasubramanian, K.; Friedrich, M.; Jiang, C.; Fan, Y.; Mews, A.; Burghard, M.; Kern, K. Adv. Mater. 2003, 15, 1515-1518.
14. Radosavljević, M.; Freitag, M.; Thadani, K. V.; Johnson, A. T. Nano Lett. 2002, 2, 761-764.
15. Cui, J. B.; Sordan, R.; Burghard, M.; Kern, K. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3260-3262.
16. Kim, W.; Javey, A.; Vermesh, O.; Wang, Q.; Li, Y.; Dai, H. Nano Lett. 2003, 3, 193-198.
17. Strano, M. S.; Dyke, C. A.; Usrey, M. L.; Barone, P. W.; Allen, M. J.; Shan, H.; Kittrell, C.; Hauge, R. H.; Tour, J. M.; Smalley, R. E. Science 2003, 301, 1519-1522.
18. Wind, S. J.; Appenzeller, J.; Martel, R.; Derycke, V.; Avouris, Ph. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 3817-3819.
19. Martel, R.; Derycke, V.; Lavoie, C.; Appenzeller, J.; Chan, K. K.; Tersoff, J.; Avouris, Ph. Phys. Rev. Lett. 2001, 87, 256805.
20. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices; Wiley: New York, 1981.
21. Snow, E. S.; Novak, J. P.; Campbell, P. M.; Park, D. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 2145-2147.
22. Xiao, K.; Yunqi, L.; Hu, P.; Yu, G.; Wang, X.; Zhu, D. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 150-152.
23. Derycke, V.; Martel, R.; Appenzeller, J.; Avouris, Ph. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2773-2775.
24. Derycke, V.; Martel, R.; Appenzeller, J.; Avouris, Ph. Nano Lett. 2001, 1, 453-456.