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Volumn 59, Issue 11, 1999, Pages 7768-

Erratum: Negative-U centers in 4H silicon carbide [Phys. Rev. B 58, R10 119 (1998)]
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EID: 25544442012     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.59.7768     Document Type: Erratum
Times cited : (20)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.