Formation and characterization of nanometer scale metal-oxide-semiconductor structures on GaAs using low-temperature atomic layer deposition

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 1, 2005, Pages

  Ye, P D ^a   Wilk, G D ^b   Tois, E E ^b   Wang, Jian Jim ^c  

^a PURDUE UNIVERSITY   (United States)

^b ASM AMERICA   (United States)

^c NanoOpto Corporation   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD); NANOIMPRINT LITHOGRAPHY; OXIDE FILMS; THZ TRANSISTORS;

DEPOSITION; DIELECTRIC MATERIALS; GALLIUM NITRIDE; INTERFACES (MATERIALS); NANOSTRUCTURED MATERIALS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

MOSFET DEVICES;

EID: 24144470069     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1954902     Document Type: Article

References (14)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. T. M. Mayer, J. W. Elam, S. M. George, P. G. Kotula, and R. S. Goeke, Appl. Phys. Lett. 82, 2883 (2003).
3. J. S. King, C. W. Neff, C. J. Summers, W. Park, S. Blomquist, E. Forsythe, and D. Morton, Appl. Phys. Lett. 83, 2566 (2003).
4. A. Javey, H. Kim, M. Brink, Q. Wang, A. Ural, J. Guo, P. McIntyre, P. McEuen, M. Lundstrom, and H. J. Dai, Nat. Mater. 1, 241 (2002).
5. J. Appenzeller, J. Knoch, V. Derycke, R. Martel, S. Wind, and P. Avouris, Phys. Rev. Lett. 89, 126801 (2002).
6. P. D. Ye, G. D. Wilk, J. Kwo, B. Yang, H.-J. L. Gossmann, M. Frei, S. N. G. Chu, J. P. Mannaerts, M. Sergent, M. Hong, K. Ng, and J. Bude, IEEE Electron Device Lett. 24, 209 (2003).
7. P. D. Ye, G. D. Wilk, B. Yang, J. Kwo, H.-J. L. Gossmann, S. N. G. Chu, S. Nakahara, H.-J. L. Gossmann, J. P. Mannaerts, M. Sergent, M. Hong, K. Ng, and J. Bude, Appl. Phys. Lett. 83, 180 (2003).
8. P. D. Ye, G. D. Wilk, B. Yang, J. Kwo, H.-J. L. Gossmann, M. Hong, K. Ng, and J. Bude, Appl. Phys. Lett. 84, 434 (2004).
9. P. D. Ye, B. Yang, K. Ng, J. Bude, G. D. Wilk, S. Halder, and J. C. M. Hwang, Appl. Phys. Lett. 86, 063501 (2005).
10. S. Y. Chou, P. R. Krauss, and P. J. Renstrom, Appl. Phys. Lett. 67, 3114 (1995).
11. M. J. Biercuk, D. J. Monsma, C. M. Marcus, J. S. Becker, and G. G. Gordon, Appl. Phys. Lett. 83, 2405 (2003).
12. J. Wang, Z. Yu, W. Wu, and S. Y. Chou, J. Vac. Sci. Technol. 17, 2957 (1999).
13. T. W. Schroeder and J. R. Engstrom, J. Appl. Phys. 95, 6470 (2004).
14. W. Zhang and S. Y. Chou, Appl. Phys. Lett. 83, 1632 (2003).