Mechanisms of imprint effect on ferroelectric thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 98, Issue 2, 2005, Pages

  Zhou, Y ^a   Chan, H K ^b   Lam, C H ^a   Shin, F G ^a  

^a HONG KONG POLYTECHNIC UNIVERSITY   (Hong Kong)

^b UNIVERSITY OF MANCHESTER   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CLAMPING; DOMAIN PINNING; IMPRINT EFFECT; OXYGEN VACANCIES;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; COMPUTER SIMULATION; DEGRADATION; ELECTRODES; FERROELECTRIC DEVICES; FREE ENERGY; HYSTERESIS; LATTICE CONSTANTS; MATHEMATICAL MODELS; NUCLEATION; POLARIZATION; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SOL-GELS;

FERROELECTRIC THIN FILMS;

EID: 23844446119     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1984075     Document Type: Article

References (49)

1. D. Nagasawa and H. Nozawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 5406 (1999).
2. W. Liu, J. Ko, and W. Zhu, Mater. Lett. 49, 122 (2001).
3. S. Aggarwal and R. Ramesh, Annu. Rev. Mater. Sci. 28, 463 (1998).
4. M. Joseph, A. M. Randall, and F. B. McLean, Proc. 3rd Int. Symp. Integr. Ferroelectr., edited by, R. Panhozler, (Gordon & Breach, Switzerland, 1991), pp. 44-70.
5. K. Abe, N. Yanase, T. Yasumoto, and T. Kawakubo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 6065 (2002).
6. W. L. Warren, B. A. Tuttle, D. Dimos, G. E. Pike, H. N. Al-Shareef, R. Ramesh, and J. T. Evans, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1521 (1996).
7. K. Abe, S. Komatsu, N. Yanase, K. Sano, and T. Kawakubo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 5846 (1997).
8. K. Abe and S. Komatsu, J. Appl. Phys. 77, 6461 (1995).
9. T. Lü and W. Cao, Microelectron. Eng. 66, 818 (2003).
10. C. L. Wang, L. Zhang, Y. P. Peng, W. L. Zhong, P. L. Zhang, and Y. X. Wang, Solid State Commun. 109, 213 (1999).
11. S. Hong, E. L. Colla, E. Kim, D. V. Taylor, A. K. Tagantsev, P. Muralt, K. No, and N. Setter, J. Appl. Phys. 86, 607 (1999).
12. L. Baudry, J. Appl. Phys. 86, 1096 (1999).
13. K. W. Lee, Y. I. Kim, and W. J. Lee, Ferroelectrics 271, 1769 (2002).
14. V. C. Lo and Z. J. Chen, IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control 49, 980 (2002).
15. C. B. Sawyer and C. H. Tower, Phys. Rev. 35, 269 (1930).
16. H. K. Chan, C. H. Lam, and F. G. Shin, J. Appl. Phys. 95, 2665 (2004).
17. R. Coelho, Physics of Dielectrics for the Engineer (Elsevier Science, New York, 1979), pp. 123-125.
18. J. R. Hook and H. E. Hall, Solid State Physics (Wiley, Chichester, New York 1974), pp. 139-143.
19. Y. Saya, S. Watanabe, M. Kawai, H. Yamada, and K. Matsushige, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 3799 (2000).
20. Y. Li, V. Nagarajan, S. Aggarwal, R. Ramesh, L. G. Salamanca-Riba, and L. J. Martinez-Miranda, J. Appl. Phys. 92, 6762 (2000).
21. M. Grossmann, O. Lohse, D. Bolten, U. Boettger, and R. Waser, J. Appl. Phys. 92, 2688 (2002).
22. P. Müller and O. Thomas, Surf. Sci. 465, 764 (2000).
23. B. H. Park, T. W. Noh, J. Lee, C. Y. Kim, and W. Jo, Appl. Phys. Lett. 70, 1101 (1997).
24. S. K. Dey, J. J. Lee, and P. Alluri, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 3142 (1995).
25. B. H. Park, S. J. Hyun, C. R. Moon, B. D. Choe, J. Lee, C. Y. Kim, W. Jo, and T. W. Noh, J. Appl. Phys. 84, 4428 (1998).
26. Y. H. Xu, C. J. Chen, and R. Xu, J. Appl. Phys. 67, 2985 (1990).
27. W. B. Wu, K. H. Wong, and C. L. Mak, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2412 (2000).
28. S. B. Desu, J. Electrochem. Soc. 140, 2981 (1993).
29. T. Kumazawa, Y. Kumagai, H. Miura, and M. Kitano, Appl. Phys. Lett. 72, 608 (1998).
30. G. A. C. M. Spierings, G. J. M. Dormans, W. G. J. Moors, M. J. E. Ulenaers, and P. K. Larsen, J. Appl. Phys. 78, 1926 (1995).
31. T. K. Song, J. S. Kim, M. H. Kim, W. Lim, Y. S. Kim, and J. Lee, Thin Solid Films 424, 84 (2003).
32. W. B. Wu, K. H. Wong, G. K. H. Pang, and C. L. Choy, Appl. Phys. Lett. 86, 072904 (2005).
33. G. E. Pike, W. L. Warren, D. Dimos, B. A. Tuttle, R. Ramesh, J. Lee, V. G. Keramidas, and J. T. Evans, Appl. Phys. Lett. 66, 484 (1995).
34. H. N. Al-Shareef, D. Dimos, W. L. Warren, and B. A. Tuttle, Integr. Ferroelectr. 15, 53 (1997).
35. S. Sadashivan, S. Aggarwal, T. K. Song, R. Ramesh, J. T. Evans, B. A. Tuttle, W. L. Warren, and D. Dimos, J. Appl. Phys. 83, 2165 (1998).
36. D. Dimos, H. N. Al-Shareef, W. L. Warren, and B. A. Tuttle, J. Appl. Phys. 80, 682 (1996).
37. L. X. He and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 68, 134103 (2003).
38. I. Stoilichnov, A. Tagantsev, E. Colla, S. Gentil, S. Hiboux, J. Baborowski, P. Muralt, and N. Setter, J. Appl. Phys. 88, 2154 (2000).
39. C. L. Li, Z. H. Chen, Y. L. Zhou, and D. F. Cui, J. Phys.: Condens. Matter 13, 5261 (2001).
40. M. Shimizu, M. Okaniwa, H. Fujisawa, and H. Niu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 6686 (2002).
41. U. Robels, J. H. Calderwood, and G. Arlt, J. Appl. Phys. 77, 4002 (1995).
42. R. Loloee and M. A. Crimp, J. Appl. Phys. 92, 4541 (2002).
43. H. G. Baerwald and D. A. Berlincourt, J. Acoust. Soc. Am. 25, 703 (1953).
44. D. Ricinschi, C. Harnagea, C. Papusoi, L. Mitoseriu, V. Tura, and M. Okuyama, J. Phys.: Condens. Matter 10, 477 (1998).
45. Y. Sakashita, H. Segawa, K. Tominaga, and M. Okada, J. Appl. Phys. 73, 7857 (1993).
46. T. Hase, T. Sakuma, Y. Miyasaka, K. Hirata, and N. Hosokawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 4061 (1993).
47. A. K. Tagantsev, M. Landivar, E. Colla, and N. Setter, J. Appl. Phys. 78, 2623 (1995).
48. T. Nakamura, Y. Nakao, A. Kamisawa, and H. Takasu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 5207 (1994).
49. J. Lee, A. Safari, and R. L. Pfeffer, Appl. Phys. Lett. 61, 1643 (1992).