Laterally self-aligned InGaAs/GaAs quantum dots fabricated by using a multilayer stacking technique

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 47, Issue 1, 2005, Pages 94-99

  Kim, J O ^a   Lee, S J ^a   Noh, S K ^a   Ryu, Y H ^b   Choi, S M ^b   Choe, J W ^c  

^a Korea Research Institute of Standards and Science   (South Korea)

^b Korea Institute of Oriental Medicine (KIOM)   (South Korea)

^c Kyung Hee University   (South Korea)

Author keywords

Atomic force microscope; Indium gallium arsenide; Photoluminescence; Quantum dot chain; Self alignment

Indexed keywords

EID: 23744481180     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (23)

1. P. M. Petroff, A. Lorke and A. Imanoglu, Phys. Today 54, 46 (2001).
2. M. Kuntz, G. Fiol, M. Laemmlin, D. Bimberg, M. G. Thompson, K. T. Tan, C. Marinelli, R. V. Penty, I. H. White, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, Yu. M. Shernyakov and A. R. Kovsh, Appl. Phys. Lett. 85, 843 (2004).
3. I. R. Sellers, H. Y. Liu, K. M. Groom, D. T. Childs, D. Robbins, T. J. Badcock, M. Hopkinson, D. J. Mowbray and M. S. Skolnick, Electron. Lett. 40, 1412 (2004).
4. J. Jiang, K. Mi, S. Tsao, W. Zhang, H. Lim, T. O'Sullivan, T. Sills, M. Razeghi, G. J. Brown and M. Z. Tidrow, Appl. Phys. Lett. 84, 2232 (2004).
5. E. -T. Kim, A. Madhukar, Z. Ye and C. Campbell, Appl. Phys. Lett. 84, 3277 (2004).
6. Z. Yuan, B. E. Kardynal, R. M. Stevenson, A. J. Shields C. J. Lobo, K. Cooper, N. S. Beattie, D. A. Ritchie and M. Pepper, Science 295, 102 (2002).
7. M. Jung, K. Hirakawa, Y. Kawaguchi, S. Komiyama, S. Ishida and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 86, 033106 (2005).
8. M. Sugawara, N. Hatori, T. Akiyama, Y. Nakata and H. Ishikawa, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L488 (2001).
9. H. Nakamura, S. Nishikawa, S. Kohmoto, K. Kanamoto and K. Asakawa, J. Appl. Phys. 91, 922 (2002).
10. Y. Nakamura, N. Ikeda, S. Ohkouchi, Y. Sugimoto, H. Nakamura and K. Asakawa, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L362 (2004).
11. J. H. Kim, K. S. Ahn, K. N. Lee, C. O. Kim and J. P. Hong, J. Korean Phys. Soc. 45, 141 (2004).
12. J. S. Kim, M. Kawabe and N. Koguchi, J. Cryst. Growth 262, 265 (2004).
13. H. J. Kim, Y. J. Park, Y. M. Park, E. K. Kim and T. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 78, 3253 (2001).
14. K. Yamaguchi, K. Kawaguchi and T. Kanto, Jpn. J. Appl. Phys. 41, L996 (2002).
15. Z. M. Wang, K. Holmes, Yu. I. Mazur, and G. J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 84, 1931 (2004).
16. Z. M. Wang, Yu. I. Mazur, G. J. Salamo, P. M. Lytvin, V. V. Strelchuk and M. Ya. Valakh, Appl. Phys. Lett. 84, 4681 (2004).
17. T. Mano, R. Noetzel, G. J. Hamhuis, T. J. Eijkemans and J. H. Wolter, J. Appl. Phys. 95, 109 (2004).
18. G. Springholz, V. Holy, M. Pinczolits and G. Bauer, Science 282, 734 (1998).
19. H. Lee, J. A. Johnson, M. Y. He, J. S. Speck and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 78, 105 (2001).
20. S. J. Lee, S. K. Noh, K-.S. Lee and J. W. Choe, Solid State Commun. 132, 115 (2004).
21. S. J. Lee, J. I. Lee, M. D. Kim, S. K. Noh, S. K. Rang and J. W. Choe, J. Korean Phys. Soc. 42, 686 (2003).
22. M. A. Migliorato, L. R. Wilson, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, M. Al-Khafaji, A. M. Cullis and M. Hopkinson, J. Appl. Phys. 90, 6374 (2001).
23. S. Adachi, J. Appl. Phys. 53, 8775 (1982).