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Volumn 17, Issue 4, 1999, Pages 1561-1566

Novel lateral field emission device fabricated on silicon-on-insulator material

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EID: 22644452512     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.590789     Document Type: Article
Times cited : (7)

References (25)
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    • 24644456566 scopus 로고    scopus 로고
    • U.S. Patent No. 4,307,507 (filed 29 December 1981)
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.