Studies on the influences of i-GaN, n-GaN, p-GaN and InGaN cap layers in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 44, Issue 5 A, 2005, Pages 2953-2960

  Arulkumaran, Subramaniam ^a,b   Egawa, Takashi ^a   Ishikawa, Hiroyasu ^a  

^a NAGOYA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

^b NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

Activation energy; AlGaN GaN; Breakdown voltage; Cap layer; Collapse related traps; Current collapse; GaN; HEMT; Illumination; InGaN

Indexed keywords

ALGAN/GAN; CAP LAYER; COLLAPSE-RELATED TRAPS; GAN; INGAN;

ACTIVATION ENERGY; DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC BREAKDOWN; ELECTRON BEAMS; ELECTRON GAS; EVAPORATION; GALLIUM COMPOUNDS; HALL EFFECT; LEAKAGE CURRENTS; LIGHTING; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PASSIVATION; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; TRANSCONDUCTANCE; TWO DIMENSIONAL;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 22544451237     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.44.2953     Document Type: Article

References (36)

1. K. Joshin, T. Kikkawa, H. Hayashi, T. Maniwa, S. Yokokawa, M. Yokoyama, N. Adachi and M. Takikawa: Tech. Dig. IEDM, 2003, p. 983.
2. Y. F. Wu, D. Kapolnek, J. P. Ibbetson, P. Parikh, B. P. Keller and U. K. Mishra: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 586.
3. J. R. Shealy, V. Kaper, V. Tilak, T. Prunty, J. A. Smart, B. Green and L. F. Eastman: J. Phys.: Condens. Matter. 14 (2002) 3499.
4. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa and T. Jimbo: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 2186.
5. K. Kunihiro, K. Kashahara, Y. Takahashi and Y. Ohno: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 2431.
6. S. C. Binari, K. Ikossi, J. A. Roussos, W. Kruppa. D. Park, B. Dietrich, D. Koleske, A. E. Wikenden and R. L. Hentry: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 465.
7. T. Kikkawa, M. Nagahara, N. Okamoto, Y. Tateno, Y. Yamaguchi, N. Hara, K. Joshin and P. M. Asbeck: Tech. Dig. IEDM, 2001, p. 85.
8. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa and T. Jimbo: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 3073.
9. P. B. Klein, S. C. Binari, K. Ikossi-Anastasiou, A. E. Wickenden, D. Koleske, R. L. Hentry and D. S. Katzer: Electron. Lett. 37 (2001) 661.
10. R. Ventury, N. Q. Zhang, S. Keller and U. K. Mishra: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 560.
11. A. Tarakji, G. Simin, N. Ilinskaya, X. Hu, A. Kumar, A. Koudymov, J. Yang, M. A. Khan, M. S. Shur and R. Gaska: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 2169.
12. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo and Y. Sano: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 613.
13. T. Mizutani, Y. Ohno, M. Akita, S. Kishimoto and K. Maezawa: IEEE Trans. Electron. Devices 50 (2003) 2015.
14. G. Koley, H. Kim, L. F. Eastman and M. G. Spencer: Electron. Lett. 39 (2003) 1217.
15. S. Heikman, S. Keller, Y. Wu, J. S. Speck, S. P. DenBaars and U. K. Mishra: J. Appl. Phys. 93 (2003) 10114.
16. G. Weimann, M. J. Manfra and T. Wachtler: IEEE Electron Device Lett. 24 (2003) 57.
17. R. Coffie, L. Shen, G. Parish, A. Chini, D. Buttari, Heikman, S. Keller and U. K. Mishra: Electron. Lett. 39 (2003) 1419.
18. O. Mitrofanov, M. Manfra and N. Weimann: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 4361.
19. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy and L. F. Eastman: IEEE Electron Device Lett. 21 (2000) 268.
20. N.-Q. Zhang, B. Moran, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, X. W. Wang and T. P Ma: Tech. Dig. IEDM, 2001, p. 589.
21. B. Luo, R. Mehandru, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. Pitch, J. Gillespie, J. Jenkins, J. Sewell, D. Via, A. Crespo and Y. Irokawa: J. Electrochem. Soc. 149 (2002) G613.
22. H. Hasegawa, T. Inagaki, S. Ootomo and T. Hashizume: J. Vac. Sci. Technol. B 21 (2003) 1844.
23. J. S. Lee, J. W. Kim, J. H. Lee, C. S. Kim, J. E. Oh, M. W. Shin and J. H. Lee: Electron. Lett. 39 (2003) 750.
24. B. Luo, J. W. Johnson, J. Kim, R. M. Mehandru, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, C. Monier and J. Han: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 1661.
25. J. Hilsenbeck. E. Nebauer, J. Wurfl, G. Trankle and H. Obloh: Electron. Lett. 36 (2000) 980.
26. S. Arulkumaran, T. Hibino, T. Egawa and H. Ishikawa: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 5745.
27. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa and T. Jimbo: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 3110.
28. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, M. Umeno and T. Jimbo: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 573.
29. B. Jogai: J. Appl. Phys. 93 (2003) 1631.
30. T. Shirata, J. Zhang, J. H. Neave and B. A. Joyce: J. Appl. Phys. 71 (1992) 4299.
31. J. Spradlin, C. Dogan, J. Xie, R. Molner, A. A. Baski and H. Morkoc: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 4150.
32. K. A. Rickert, A. B. Ellis, J. K. Kim, J.-L. Lee, F. J. Himpsel, F. Dwikusuma and T. F. Kuech: J. Appl. Phys. 92 (2002) 6671.
33. D.-W. Kim, J. C. Bae, W. J. Kim, H. K. Baik and S.-M. Lee: J. Vac. Sci. Technol. B 19 (2001) 609.
34. Y. Su, Y. Chiou, F. Juang, S. Chang and J. Sheu: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2001) 2996.
35. W. Gotz, N. M. Johnson, H. Amano and I. Akasaki: Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 463.
36. A. Yasan and M. Razeghi: Solid-State Electron. 47 (2003) 303.