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Volumn 62, Issue 19, 1993, Pages 2378-2380

Atomic layer epitaxy of GaAs with a 2 μm/h growth rate

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EID: 21744452175     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.109370     Document Type: Article
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References (7)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.