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Volumn 58, Issue 7, 1991, Pages 732-734

Effects of low-dose Si implantation damage on diffusion of phosphorus and arsenic in Si

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EID: 21544457823     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.104530     Document Type: Article
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References (18)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.