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Volumn 69, Issue 4, 1991, Pages 2135-2142

Diffusion of boron in silicon during post-implantation annealing

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EID: 21544453382     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.348740     Document Type: Article
Times cited : (165)

References (31)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.