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Volumn 96, Issue 3, 2003, Pages 523-530

Behavior of dislocations in silicon in the presence of mechanical and magnetic perturbations

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CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL IMPURITIES; DOPING (ADDITIVES); MAGNETIC PROPERTIES; PERTURBATION TECHNIQUES; RESIDUAL STRESSES; SILICON;

EID: 21144438441     PISSN: 10637761     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1567426     Document Type: Article
Times cited : (25)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.