Hysteresis of charge tunneling in assemblies of carboxylic acid-modified gold nanoparticles

Journal of Physical Chemistry B

Volumn 109, Issue 18, 2005, Pages 8718-8722

  Biancardo, Matteo ^a,b   Quinn, Aidan J ^b   Floyd, Liam ^b   Mendes, Paula M ^c   Briggs, Simon S ^c   Preece, Jon A ^c   Bignozzi, Carlo A ^a   Redmond, Gareth ^b  

^a UNIVERSITY OF FERRARA   (Italy)

^b UNIVERSITY COLLEGE CORK   (Ireland)

^c UNIVERSITY OF BIRMINGHAM   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARBOXYLIC ACIDS; CHEMICAL MODIFICATION; ELECTRIC CURRENTS; GOLD; HYSTERESIS; PROTONS; SYNTHESIS (CHEMICAL);

CHARGE TRANSPORT; CHARGE TUNNELING; GOLD NANOPARTICLES; PROTON TRANSFER;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 19944392304     PISSN: 15206106     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp0447338     Document Type: Article

References (47)

1. Templeton, A. C; Wuelfing W. P.; Murray R. W. Ace. Chem. Res. 2000, 122, 11465.
2. Murray, C. B.; Kagan, C. R.; Bawendi, M. G. Annu. Rev. Mater. Sci. 2000 30, 545.
3. Terrill, R. H.; Postlethwaite, T. A.;, Chen, C. H.; Poon, C. D.; Terzis, A.; Chen, A. D.; Hutchison, J. E.; Clark, M. R.; Wignall, G.; Londono, J. D.; Superfine, R.; Falvo, M.; Johnson, C. S.; Samulski, E. T.; Murray, R. W. J. Am. Chem. Soc. 1995, 117, 12537.
4. Andres, R. P.; Bielefeld, J. D.; Henderson, J. I.; Janes, D. B.; Kolagunta, V. R.; Kubiak C. P.; Mahoney, W.; Osifchin, R. G. Science 1996, 273, 1690.
5. Feldheim, D. L.; Grabar, K. C.; Natan, M. J.; Mallouk, T. E. J. Am. Chem. Soc. 1996, 118, 7640.
6. Ingram, R. S.; Hosteller, M. J.; Murray, R. W.; Schaff, T. G.; Khoury, J. T.; Whetten, R. L.; Bigioni, T. P.; Guthrie, D. K.; First, P. N. J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 9279.
7. Collier, C. P.; Saykally, R. J.; Shiang, J. J.; Henrichs, S. E.; Heath, J. R. Science 1997, 277, 1978.
8. Markovich, G.; Collier, C. P.; Heath, J. R. Phys. Rev. Lett. 1998, 80, 3807.
9. Beverly, K. C.; Sampaio, J. F.; Heath, J. R. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 2131.
10. Brust, M.; Bethell, D.; Kiely, C. J.; Schiffrin, D. J. Langmuir 1998, 14, 5425.
11. Brust, M.; Kiely, C. J. Colloids Surf., A 2002, 202, 175.
12. Wessels, J. M.; Nothofer, H.-G.; Ford, W. E.; von Wrochem, F.; Scholz, F.; Vossmeyer, T.; Schroedter, A.; Weller, H.; Yasuda, A. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 3349.
13. Beecher, P.; Quinn, A. J.; Shevchenko, E. V.; Weller, H.; Redmond, G. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 9564.
14. Beecher, P.; Quinn, A. J.; Shevchenko, E. V.; Weller, H.; Redmond, G. Nano Lett. 2004, 4, 1289.
15. Chen, S.; Kimura, K. Langmuir 1999, 15, 1075.
16. Chen, S. Langmuir 1999, 15, 7551.
17. Zheng, W.; Maye, M. M.; Leibowitz, F. L.; Zhong, C.-J. Analyst 2000, 125, 17.
18. Sinard, J.; Briggs, C.; Boal, A. K.; Rotello, V. M. Chem. Commun. 2000, 1943.
19. Chen, S. J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 7420.
20. Templeton, A. C.; Zamborini, F. P.; Wuelfing, W. P.; Murray, R. W. Langmuir 2000, 16, 6682.
21. Hicks, J. F.; Zamborini, F. P.; Osisek, A. J.; Murray, R. W. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 7048.
22. Zamborini, F. P.; Leopold, M. C.; Hicks, J. F.; Kulesza, P. J.; Malik, M. M.; Murray, R. W. J. Am. Chem. Soc 2002, 124, 8958.
23. Leopold, M. C.; Donkers, R. L.; Georganopoulou, D.; Fisher, M.; Zamborini, F. P.; Murray, R. W. Faraday Discuss. 2004, 127, 63.
24. Shenar, R.; Rotello, V. M. Acc. Chem. Res. 2003, 36, 549.
25. Daniel, M.-C.; Astruc, D. Chem. Rev. 2004, 104, 293.
26. Adams, D. M. et al. J. Phys. Chem. B 2003, 107, 6668.
27. Collins, P. G.; Bradeley, K.; Ishigami, M.; Zettl, A. Science 2000, 287, 1801.
28. Kim, W.; Javey, A.; Vermesh, O.; Wang, Q.; Li, Y.; Dai, H. Nano Lett. 2003, 3, 193.
29. Bradley, K.; Cumings, J.; Star, A.; Gabriel, J.-C. P.; Grüner, G. Nano Lett. 2003, 3, 639.
30. Fuhrer, M. S.; Kim, B. M.; Dürkop, T.; Brintlinger, T. Nano Lett. 2002, 2, 755.
31. Rosenblatt, S.; Yaish, Y.; Park, J.; Gore, J.; Sazonova, V.; McEuen, P. L. Nano Lett. 2002, 2, 869.
32. Besteman, K.; Lee, J.; Wiertz, F. G. M.; Heering, H. A.; Dekker, C. Nano Lett. 2003, 3, 727.
33. Duan, X.; Huang, Y.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2002, 2, 487.
34. Li, C.; Ly, J.; Lei, B.; Fan, W.; Zhang, D.; Han, J.; Meyyappan, M.; Thompson, M.; Zhou, C. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 9646.
35. Brust, M.; Walker, M.; Bethell, D.; Schiffrin, D. J.; Whyman R. J. Chem. Soc., Chem. Commun. 1994, 801.
36. Parthasarathy, R.; Lin, X.-M.; Jaeger, H. M. Phys. Rev. Lett. 2001, 87, 186807.
37. Bone, S.; Zaba, B. Bioelectronics; Wiley: Chichester, U.K., 1992.
38. Wang, B.; Luo, J.; Wang, X.; Wang, H.; Hou, J. G. Langmuir 2004, 20, 5007.
39. Abeles, B.; Sheng, P.; Coutts, M. D.; Arie, Y. Adv. Phys. 1975, 24, 407.
40. Black, C. T.; Murray, C. B.; Sandstrom, R. L.; Sun, S. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2001, D1071, 636.
41. Schroder, D. K. Semiconductor Material and Device Characterization; John Wiley & Sons: New York, 1991.
42. Likharev, K. K. Proc. IEEE 1999, 87, 606 and references therein.
43. Zhang, J. F.; Taylor, S.; Eccleston, W. J. Appl. Phys. 1992, 71, 725.
44. 4K ∼ 75 mV/s (see Figure 4b, Figure 4c)
45. Snow, E. H.; Grove, A. S.; Deal, B. E.; Sah, C. T. J. Appl. Phys. 1965, 36, 1664.
46. Vanheusden, K.; Warren, W. L.; Devine, R. A. B.; Fleetwood, D. M.; Schwank, J. R.; Shaneyfelt, M. R.; Winokur, P. S.; Lemnios, Z. J. Nature 1997, 386, 587.
47. Jenkinson, R. I.; Ikram, A.; Horsewill, A. J.; Trommsdorff, H. P. Chem. Phys. 2003, 294, 95.